气体放电增强准分子激光溅射反应沉积 AlN 膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积了ＡｌＮ薄膜．讨论了脉冲能量密度、氮气放电、基底温度等因素对膜的性能的影响．实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊｃｍ－２,ＰＮ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上．Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ．     

阴极共沉积Ni（OH）2薄膜在碱淀粉液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ｎｉ（ＯＨ）薄膜,循环伏安法在１．０ｍｏｌ．ｄｍ＾－３ＫＯＨ溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性,沉积Ｎｉ（ＯＨ）２的薄膜电极比镍基底增加了２０ｍＡ．ｃｍ＾－２的析氧电流。在制膜过程中掺杂７％Ｃｅ（Ｖ／Ｖ）得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约２０ｍＡ．ｃｍ＾－２,分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析。     

聚（N—甲基）苯胺作为蓄电池阴极活性材料的电化学性能研究

聚（Ｎ－甲基）苯胺作为一种新的二次电池阴极材料在酸性溶液中有很高的稳定性,由聚（Ｎ－甲基）苯胺膜电极Ｚｎ片,１．０ｍｏｌ／Ｌ,ＺｎＣｌ２水溶液（ｐＨ＝２．０１）构成的电池,其开路电压的１．３１Ｖ,在恒电流放电速率为０．１５ｍＡ／ｃｍ＾２（放电电压为０．９Ｖ,聚合物重量为２．０ｍｇ／ｃｍ＾２）聚（Ｎ－甲基）苯胺的容量密度和能量密度分别为９７．５Ａｈ／ｋｇ,９４．６Ｗｈ／ｋｇ,在上述充放电电流密度下,     

Pb—Ag—Ca新型阳有在MnSO4—H2SO4溶液中腐蚀速度的测定

分别测定了ＰＡＣ电极（Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ新型阳极的简称）在ＭｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４溶液中的阴极极化曲线及阳极极 线，从图中求得：ｉｃｏｒ＝１５．８５μＡ／ｃｍ＾２，ψωｒ＝－０．０９５Ｖ，Ｖｃｏｒ＝２．９５Ｋｇ／ｍ＾２ａｎｎ．７．９０％（电极重量每年消耗的百分数）ｉ。（２）＝５４．７０μＡ／ｃｍ＾２及ｉ。（３）＝１．１０μＡ／ｃｍ＾２；讨论了ＰＡＣ阳极的腐蚀机理即反应（２）受反应（３）的动力学参数所     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

UO2（PMBP）2HMPA配合物的合成与结构研究

合成了ＵＯ_２（ＰＭＢＰ）_２ＨＭＰＡ（ＰＭＢＰ＝１－苯基－３－甲基－４－苯甲酰基－吡唑啉酮－５，ＨＭＰＡ＝六甲基磷酰胺），测定了该配合物的元素组成、红外光语、质子核磁共振谱及晶体结构。该晶体属于单斜晶系，空间群为Ｐ２_１，ａ＝１．１４６８（５）ｎｍ，ｂ＝１．４７７７（２）ｎｍ，ｃ＝１．４０５６（６）ｎｍ，β＝１００．９１（４）°，Ｖ＝２．３３８９ｎｍ￣３，Ｄ_ｃ＝１．４３ｇ／ｃｍ￣３，Ｚ＝２，Ｆ（０００）＝９７９．８５。在配合物中，Ｕ原子采用七配位，其配位多面体为扭曲的五角双锥。     

酞菁铁—表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能

将酞菁铁（ＦｅＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氧仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＦｅＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极，循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中该薄膜电极有２对还原氧化峰，第１对峰的Ｅｐｃｌ＝－０．６４Ｖ，Ｅｐａｌ＝－０．２９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）第２对峰的Ｅｐｃ２＝－１．０４Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．９４Ｖ着重探讨了第２对峰的电化学行为，估计了该体系的电化学参     

杂多酸荷移跃迁盐系列研究（Ⅰ）—Keggin结构杂多酸的荷移跃迁盐的合成和表征

利用电解结晶法合成了Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多酸荷移跃迁盐（ＢＥＤＴ－ＴＴＦ）８［ＰＭｏ３ＮｂＷ８Ｏ４０］．Ｘ－射线衍射测定为单斜晶系．晶胞参数ａ＝１４．２０（０）×１０（－８）ｃｍ；ｂ＝４３．３９（０）×１０（－８）ｃｍ；ｃ＝１３．５５（６）×１０（－８）ｃｍ；β＝９１°；Ｖ＝８．３５３×１０（－２１）ｃｍ３．该化合物具半导体性质。σｒ．ｔ＝３．７×１０（－２）Ｓｃｍ（－１）．ＥＡ＝１６０ｍｅＶ．变温磁化率测定表明其为Ｓｐｉｎ－Ｐｅｉｅｒｌｓ体系．     

非弹性散射和总截面的反常质量维度(S=10-100GeV)(英文)

在紫外不动点处,反常质量维度的实验值γｍ（ｇ※Ｒ）＝０．０７７２（Ｓ＝１０ＧｅＶ—１．８ＴｅＶ）,γｍ（ｇＲ）＝０．０５１７＋０．０００２（Ｓ＝２－１００ＴｅＶ,质子空气核）表明,电强相互作用的关系（ｇ※Ｒ～ｅ※Ｒ）普遍存在,且在ｇ※Ｒ＝０．３４８２３２（ＱＣＤ）,（ｅ※Ｒ）２／ｈｃ＝１／１２６．３０４９６２．     

Hastelloyc-275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积 （０ ０ ２） 取向的 ＹＳＺ过渡层薄膜于ＮｉＣｒ 合金基底上;基底加温至７５０ ℃,用准分子脉冲激光沉积ＹＢＣＯ 高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ 上,并切割成线材．实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材不但为ｃ－轴取向的,同时为在ａ－ｂ 平面内织构的,其临界温度Ｔｃ≥９０ Ｋ（Ｒ＝ ０）,临界电流密度Ｊｃ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）．     

双（N－氰基亚氨基二硫代甲酸）合镍（Ⅱ）酸－（5，7，7，12，14，14－六甲基－1，4，8，11－四氮杂环十四－4，11－二烯）合镍（Ⅱ）的合成与晶体结构

通过盐消除反应合成了双核镍的加合物［Ｎｉ（ｈｍｔａｄｅ）］［Ｎｉ（ｃｄｃ）２］，其中ｈｍｔａｄｅ＝５，７，７，１２，１４，１４－六甲基－１，４，８，１１－四氮杂环十四－４，１１－二烯，ｃｄｃ＝Ｎ－氰基亚氨基二硫代甲酸根。用元素分析、红外光谱、电子光谱和磁化率对它进行了表征。用Ｘ－射线测定了单晶的晶体结构，晶体属单斜晶系，空间群为Ｃ２／Ｃ，晶胞参数ａ＝１１．８８３（２）Ａ，ｂ＝１１．７５３（２）Ａ，Ｃ＝２０．４８２（４）Ａ，ａ＝９０°，β＝１００．１９（１）°，ｒ＝９０°，Ｖ＝２８１５．４Ａ３，Ｍ＝６２８．１９，Ｄｘ＝１．４８２ｇ／ｃｍ２，Ｚ＝４，Ｒ＝０．０４７，Ｒｗ＝０．０５４。正离子的［ＮｉＮ４］为近似平面构型，整个正离子的外形是马鞍型；负离子的［ＮｉＳ４］为绝对平面。在Ｎ（１）和Ｎ（１１）之间形成了氢键，使得加合物呈一维线性链结构。     

金属—氨基酸多羧酸类配合物分子和晶体结构的研究（Ⅲ）

本文报导了Ｋ「Ｆｅ（ｉｄａ）２」．３Ｈ２Ｏ（ｉｄａ＾２－＝氨基二乙酸根）配合物的合成的分子结构和晶体结构的测定，具体结果如下：正交晶系，Ｐｂｃｎ空间群，ａ＝１８．７６５（３）Ａ，ｂ＝１０．４４７（３）Ａ，ｃ＝１５．６４５（２）Ａ，ｖ＝３０６７（１）Ａ。单位晶体的分子数为８，Ｄｃ＝１．７８ｇ．ｃｍ＾－３，Ｄｏ＝１．７２ｇ．ｃｍ＾－３μ＝１．３１４ｍｍ＾－１，Ｆ（０００）＝１６８８．对于２７６７个独立     

三维流形不变量的表示

利用Ｊｏｎｅｓ－Ｋａｕｆｆｍａｎ模的基底变换,给出了由Ｌｉｃｋｏｒｉｓｈ和Ｂｌａｎｃｈｅｔ等构造的三维流形不变量的各种表示．１　Ｊｏｎｅｓ－Ｋａｕｆｆｍａｎ模和基底变换　　记Ｖｍ是由链环的弧段生成且模去下面的关系：（１）平面同痕保持弧段图的方块左、右的交点（弧段与方块的交点）不变;（２）Ｘ∪Ｃ＝δＸ．其中Ｃ是不带交叉点的平凡纽结,δ＝－Ａ２－Ａ－２,Ｘ是任意一个图;（３）×＝Ａ　＋Ａ－１）（．　　　（　）关系（３）表示三个链环图只有在该处是不同的,其余都是相同的．Ｖｍ中的任意两个图的排列诱导了一…     

激光开槽,埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ＾２的条件下，以面积为４５ｃｍ＾２的３６片硅研制的硅太阳的输出参数的平均值为Ｊｓｃ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ＾２，Ｖｏｃ＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了这种高性能硅太阳电池的设计特点。     

氧化钒簿膜电极在锂充电电池中的应用(英文)

鉴于氧化钒是应用于锂充电电池的最有希望的电极材料之一，采用等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）和激光溅射沉积法（ＰＬＤ），制备了不同的氧化钒薄膜，并研究了它们的电化学性质。这些薄膜具备较高的充放电容量和优良的充放电稳定性。晶体和非晶体的Ｖ２Ｏ５薄膜都可以用ＰＬＤ方法在２００℃和不同的气氛下制备。这些薄膜的充电容量可达３８０ｍＡ·ｈ／ｇ。所制备的最稳定的薄膜是用ＰＥＣＶＤ方法得到的。这些薄膜的Ｏ／Ｖ比很接近Ｖ６Ｏ１３（厚度约为０．５ｕｍ）。它们的放电容量可达４０８ｍＡ．ｈ／ｇ或１２６５ｍＡｈ／ｃｍ３，其能量密度可达９６０．３Ｗ．ｈ／ｋｇ。即使经过４４００次的充放电后，这些薄膜的放电容量仍基本不变。因此，ＰＥＣＶＤ方法及其用它所制备的氧化钒薄膜将是锂充电电池工业很有希望的一种选择。     

烟酸钕Nd2(C5H4NCOO)6(H2O4的晶体结构

从ＬｎＡｌａＮＡ溶液（Ｌｎ＝Ｎｄ,Ａｌａ＝Ｌ－丙氨酸,ＮＡ＝烟酸）中得到烟酸钕晶体,其晶体结构用四元Ｘ射线衍射技术测定。化合物为二聚体结构,属单斜晶系,Ｐ２１／ｃ空间群,晶胞参数：ａ＝９．６８６（２）,ｂ＝１１．９９６９（１１）,ｃ＝１７．２２０６（１３）,β＝９２．５５０（９）°,Ｖ＝１９９９．２（４）３,Ｚ＝２,Ｄｃ＝１．８１６ｍｇ／ｍ３。Ｎｄ配位数为８,配位多面体为畸变四方反棱柱。     

Al离子注入Al—SiO2的研究

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．     

反式—9,10—二苄基—9,10—二氢—9,10—菲二醇的晶体结构

合成了化合物反式－９,１０－二苄基－９,１０－二氢－９,１０菲二醇,通过ｍ．ｐ。．,ＩＲ,＾１ＨＮＭＲ对其进行了表征;并经过Ｘ－射线分析确定了基单晶结构,晶体属三斜晶系,空间群Ｐｉ,ａ＝８．０５８（２）,ｂ＝９．７１５（２）,ｃ＝１４．４３７（３）＾°Ａ,α＝１０９．５９（３）,β＝９５．９６（２）,γ＝９５．９６（２）°,Ｚ＝２,Ｖ＝１０４７．１（４）°Ａ＾３,没有发现其包合物,从结构上分析了不     

dl－2，3－二氰基－2，3－二（3，4－二甲氧基苯基）丁二酸二乙酯的晶体和分子结构

用Ｘ射线晶体结构测定和分析了ｄｌ－２，３－二氰基－２，３－二（３，４－二甲氧基苯基）丁二酸二乙酯的分子和晶体结构。晶体学数据为Ｃ（２６）Ｈ（２８）Ｎ２Ｏ８，Ｍｒ＝４９６．５２，空间群Ｐｌ，ａ＝１２．０４７（１）Ａ，ｂ＝１３．２７１（１）Ａ，ｃ＝８．７２８（２）Ａ，α＝９０．７１（１）°，β＝１０８．８１（１）°，γ＝８４．８７（１）°，Ｖ＝１　３１５．４（２）Ａ３，Ｚ＝２，Ｄｃ＝１．２５４ｇ．ｃｍ（－３）．计算表明分子内有许多非键连原子间距小于ｖａｎｄｅｒＷａａｌｓ半径和，基团间的空间排斥作用使两苄碳原子间的σ键键长较正常的碳－碳单键键长明显增长，且分子内苯环上取代基的电子效应对上述σ键的变化亦有较大影响．     

SmAlGe结构中的Al—Ge共价成键网络

用电弧熔炼法合成ＳｍＡｌＧｅ，以单晶Ｘ射线衍射法测定晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＳｍＡｌＧｅ，Ｍｒ＝２５０．０，正交晶系，ＬａＰｔＳｉ类型，（１０９）Ｉ４１ｍｄ，ａ＝０．４１９５７（３）ｎｍ，ｃ＝１．４５８８（２）ｎｍ，Ｖ＝０．２５６７９（４）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝６．４６４ｇ／ｃｍ３，μ＝３５．２７ｍｍ－１（λＭｏＫ＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４２８，Ｔ＝２９６Ｋ，对于１２个最小二乘修正参数和１２０个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０３０，ｗＲ＝０．０２５．此化合物中主要是Ａｌ－Ｇｅ的共价结合并形成三维网络，经典极限情况下结构式可写成Ｓｍ３＋Ａｌ２－Ｇｅ１－，可称为“ｍｅｔａｌｉｃＺｉｎｔｌｐｈａｓｅ＂．而ＹＡｌＧｅ中Ａｌ－Ｇｅ准二维网络为共价到金属结合过渡，几何堆积因素占了很重要地位．