钨离子注入多晶不锈钢引发亚结构变化的研究

利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了钨离子注入经１１５０℃固溶处理的奥氏体不锈钢（１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ）的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子体身的注入深度，钨离子注入多晶奥氏体不锈钢中位错密度沿位入深度有一个峰值。位错密度峰值处的亚结构，在多个晶体学倒易矢量显现。其他区域位错显像有方向性；在最密排面上易于显像，其他的矢量方向大多隐像。     

Mn^＋注入GaAs中Ga—Mn二十面体准晶的形成

利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＾＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成。能谱及电子能量损失谱分析表明，这些粒子不含Ａｓ，由Ｇａ和Ｍｎ元素组成，约含５０ａｔ％的Ｍｎ；其结构具有五次对称性和非周期分布的电子衍射斑点，这些具有２／ｍ３５↑－对称性的ＧａＭｎ准晶粒子同具有闪锌矿结构的ＧａＡｓ基体之间具有确定的取向关系：ｉ－５↑－／／〔１１０〕ＧａＡｓ；ｉ－３↑－／／     

铁离子注入单晶铜引发亚结构组态变化的研究

用加速电压５０ｋＶ、剂量为４×１０１７／ｃｍ２的铁离子注入单晶铜中，利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了被注入材料的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子本身注入的深度，铁离子注入单晶铜中位错密度随注入深度的变化有两个峰值出现．其亚结构为多种位错组成的复杂位错组态，这种亚结构会使被注入材料具有相当于加工硬化的效果．探讨了离子注入材料中由辐照引发的加工硬化现象，即所谓的“长程效应”     

Influence of Yttrium Implantation on Oxidation Behavior of Pure Nickel at 1 000℃

Isothermal and cyclic oxidation behaviors of pure and yttrium-implanted nickel were studied at 1000℃ in air. The oxide scales formed on nickel substrates were performed using SEM and TEM. It was found that Yimplantation greatly improved the anti-oxidation ability of nickel both in isothermal and cyclic oxidizing experiments. Laser Raman microscopy was also used to study the stress status of oxide scales formed on nickel with and without yttrium. The main reason for the improvement in antioxidation and adhesion of oxide scale was Y-implantation greatly reduced the grain size of NiO and lowered the compressive stress within the scale. Yttrium implantation enhanced the adhesion of protective NiO oxide scale formed on nickel substrate.?AKeywords：Oxidation, Ion-implantation, Laser Raman, Yttrium.     

离子束混合法制备Sm—Fe—N磁性薄膜

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度、矫顽力）与注入前的Ｓｍ－Ｆｅ薄膜相比有明显的提高     

Mo离子注入Al_2O_3的表面改性

研究Ｍｏ离子注入Ａｌ＿２Ｏ＿３表面机械性能的变化及产生变化的原因，结果表明，Ｍｏ离子的注入，在Ａｌ＿２Ｏ＿３表面产生辐射损伤，使表面残余应力、表面硬度及断裂韧性提高；注入剂量Ｄ＞１×１０￣１７ｃｍ￣－２时，随着离子注入剂量增加，表层开始非晶化，导致表面残余应力及硬度下降，而断裂韧性仍继续得到改善。     

Al离子注入Al—SiO2的研究

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．