| Al离子注入Al—SiO2的研究 |
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| 引用本文： | 宫泽祥,苏晓维.Al离子注入Al—SiO2的研究[J].大连理工大学学报,1997,37(6):649-652. |
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| 作者姓名： | 宫泽祥 苏晓维 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室 |
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| 摘 要： | 在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．
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| 关 键 词： | 离子注入 薄膜 结合力 铝 二氧化硅 |
Al ion implantation into Al films in SiO 2 substrates |
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| Gong Zexiang,Su Xiaowei,Zhang Qingyu.Al ion implantation into Al films in SiO 2 substrates[J].Journal of Dalian University of Technology,1997,37(6):649-652. |
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| Authors: | Gong Zexiang Su Xiaowei Zhang Qingyu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation films/adhesion |
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