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提出了应用高速剪切乳化机制备纳米氧化锌材料的新方法,研究了反应时间、pH值、锌盐浓度、乳化机转速和搅拌方式等实验条件对氧化锌纳米材料形貌的影响.与其它方法相比,用该方法制备纳米氧化锌具有方法简单、条件易控、成本低廉、易于量产、纳米结构几何形状均一等优点. 相似文献
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化学气相沉积法合成ZnS纳米球 总被引:5,自引:0,他引:5
以碳纳米管层作为空间限制反应的模板,采用化学气相沉积法(CVD)生长ZnS纳米球。透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验结果显示出其生成物为β-ZnS纳米球,直径为70nm左右,具有颗粒均为、纯度高、产率大、成本低、适于批量化生产等特点。 相似文献
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应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术 ,先在不锈钢基底上室温下淀积出平面织构的钇稳锆(YSZ)缓冲层薄膜 ,再在YSZ/不锈钢上 750℃下制备出了平面织构和高临界电流密度YBa2 Cu3 O7-x(YBCO)薄膜 .YSZ和YBCO薄膜都为C 轴取向和平面织构的 ,YSZ( 2 0 2 )和YBCO( 1 0 3 )的X射线 (扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 2 0°和 1 2°.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 91K(R =0 )和 7.2× 1 0 5A/cm2 ( 77K ,无外磁场 ) . 相似文献
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应用WKB方法计算了圆柱金属体中带电粒子在外磁场中磁性的量子尺寸效应。结果表明,金属圆柱体半径越小,带电粒子的抗磁性越强,当金属圆柱体半径为100nm左右时,其抗磁性是Landau抗磁性的10^4~10^6倍。另外,当圆柱体的半径比最大抗磁性半径还小时,带电粒子的抗磁性有振荡行为。 相似文献
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室温下应用Ar^+离子源辅助准分子脉冲激光沉积取向的YSZ过渡层薄腊地NiCr合金基底上;基底加温至750℃,用分子脉冲激光高温超导薄膜于YSZ/NiCr上,并切割一材,实验结果表明:YBCO超导线材不但为c-轴取向的,同时为在a-b平面内织构的,其临界温度Tc≥90K,临界电流密度Jc≥1×10^6A/cm^2(77K,0T)。 相似文献
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应用激子动力学方法,分析讨论了基底厚度对STM图谱的影响,并具体计算模拟了Au(110)基底厚度对STM图谱影响的结果。 相似文献
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用WKB方法得到了无限深球方势阱中粒子能级近似解析式,并通过计算分析,找到了两种修正方案,从而使得本文的粒子能级解析式的结果与已有结论的误差在3%以下。 相似文献
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在不同温度、电压、溶液中,应用阳极氧化高纯铝片的方法制备出不同孔径、厚度的阳极氧化铝(AAO)模板,用扫描电子显微镜(SEM)表征了AAO模板的微观结构,应用紫外可见分光光度计、荧光光度计对模板进行了光学特性表征,发现在草酸溶液中制备的模板具有紫外吸收和光致发光性能。 相似文献
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室温下在 Ni Cr合金 ( Hastelloy c-2 75)基底上应用 Ar 离子源辅助 ,准分子脉冲激光沉积了Ce O2 薄膜 .结果表明 :在合适的外部条件控制下 ,直接在 Ni Cr合金基底上可以制备出 c-轴取向的 Ce O2薄膜 ,但这时的 Ce O2 薄膜在其 a-b平面内没有观察到织构的信息 ;进一步在相同的条件下 ,首先在 Ni Cr合金基底上制备一层 YSZ( Yttria-Stabilized Zirconia) ,再在 YSZ/Ni Cr上制备 Ce O2 薄膜 ,这时的 Ce O2薄膜不但是 c-轴取向 ,同时在其 a-b平面内织构 . 相似文献
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由于影响外磁场中超导体"中间态"几何形状的物理量过多,理论上还没有得到任何严格的一般解,使得计算机的模拟成为必要.从唯象的角度,本文尝试着引入了一个新的物理量ρ,并利用计算机对无限大平板和无限长圆柱体进行了模拟. 相似文献