电致变色WO3薄膜的结构与光电性能研究

对电致变色ＷＯ３薄膜的结构与光电性能进行了研究．首先从ＷＯ３薄膜的微观结构、电子能态出发，分析了电化学反应导致ＷＯ３薄膜光吸收并着色的机理；其次介绍了ＷＯ３薄膜的制作方法和过程．采用真空电子枪将热压块状ＷＯ３（纯度９９．９％）蒸镀在普通玻璃衬底上，然后用多种物理手段测试了ＷＯ３薄膜的性能与工艺参数的关系，如ＸＲＤ、ＸＰＳ．选择适当的工艺参数可使得膜层的特性达到最佳．最后指出ＷＯ３薄膜最有希望应用在光电子学和太阳能应用领域     

V2O5薄膜的超声喷雾制备及其性能研究

采用超声喷雾法在玻璃衬底上制备了V2O5薄膜，研究了超声沉积参数对V2O5薄膜微结构以及薄膜晶化生长过程的影响．利用X射线衍射仪（XRD）扫描电子显微镜（SEM）分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的晶相结构表面形貌和性能进行了分析．XRD结果表明：V2O5薄膜为斜方晶系结构，当衬底温度（Ts）小于215℃时，沉积的薄膜为非晶态；当Ts≥215℃时，V2O5薄膜开始形成微晶结构，而且随着衬底温度上升，薄膜的择优取向由（001）方向向（110）方向发生了转变．SEM图谱显示了V2O5薄膜的沉积生长过程．当V2O5薄膜温度从室温升高至380℃时，薄膜电阻变化了将近2个数量级；该方法制备的V2O5薄膜光学能隙Eg=2．25eV．     

一种新型有机薄膜的制备和光电性质的研究

用热蒸发法成功地在玻璃、硅和铝等衬底上沉积新型四羧基合铜化合物ＣｕＢ（Ｂ为有机配体甜菜碱）薄膜．通过对比薄膜与粉末原料的红外吸收光谱图,确认薄膜物质成分与结构未发生变化;电子探针分析结果表明薄膜的元素空间分布均匀．用金相显微镜、扫描电镜对薄膜的表面形貌进行了研究;并测量了膜的电导温度特性、紫外可见吸收光谱和荧光光谱．结果表明,所制备的薄膜是具有很宽禁带宽度（Ｅｇ＞６ｅＶ）的绝缘体,带隙中具有３个能级,测得荧光发射的特征波长为４０９ｎｍ．     

光电器件中有机半导体薄膜的光学和电学性质研究

采用真空热蒸发制备了 AlQ， BAlQ 和 NPB 有机半导体薄膜样品， 探讨了薄膜的透射、吸收和光学性质．制备了有机薄膜样品的夹心结构器件，研究了其电流-电压特性．结果表明: 有机薄膜的透明性能良好， AlQ 和 BAlQ 具有几乎相同的直接光学能隙(4.46 eV) ，大于 NPB 的能隙值(3.11 eV) ． AlQ， BAlQ 和 NPB 内部自由载流子浓度具有相同的数量级(10²² m^-3) ，但NPB 具有最高的零电场迁移率(1.75×10^-8 cm·V^-1·s^-1) 和电导率(1.45×10^-10 S·cm^-1)     

光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟

基于SOI薄膜,提出一种引入P^＋N注入结的光敏BJMOSFET（Bipolar Junction Metal—Oxide—Semiconductor Field Effect Transistor）结构．在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略．根据基本的半导体方程,建立该器件的物理模型．数值模拟结果显示：在光敏BJMOSFET中,光生电子和空穴都参与导电,和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度．此外,它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流,完全与CMOS工艺兼容．     

检测超快超强激光脉冲光电薄膜的研究进展

应用于检测皮秒激光脉冲的薄膜（Ａｇ－ＢａＯ）是一种新型的光电薄膜,基于我们的研究综述了这种超微粒子薄膜的研究进展和应用前景。     

内场助结构Ag-O-Cs光电发射薄膜真空制备研究

通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag-O-Cs 光电发射薄膜。Ag-O-Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明,该方法能够有效地实现Ag-O-Cs 薄膜体内电场的加载与表面电极的引出,薄膜光电灵敏度随内场偏压的增大而上升。Ag-O-Cs 薄膜在内场作用下的光电发射增强现象与薄膜体内能带结构变化、低能电子参与光电发射等物理机制有关。     

真空蒸发制备（Cd,Zn）S薄膜及性能研究

用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明的（Ｃｄ,Ｚｎ）Ｓ薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿〔００２〕晶向的择优生长取向．薄膜的性能随Ａ值（Ａ＝ＺｎＳＺｎＳ＋ＣｄＳ）和蒸发条件而变化,薄膜为ｎ型材料,呈高阻状态,在可见光范围内有良好的透过率     

电化学沉积CaWO4薄膜及表征

在室温条件下，采用恒电流电化学沉积技术直接在钨片基体上制备了白钨矿结构的CaWCId晶态薄膜。电化学反应的工艺参数为：电流密度为1mA／cm^2、电解液的pH值为13．0、电化学处理时间为1．5h。采用XP,D、XPS、SEM技术分析了制备的CAWO4薄膜的晶相、化学组成和表面形貌，所制备的薄膜是表面均匀致密的四方晶系的单相薄膜。     

V2O5薄膜结构和性能研究

在常温下，用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜，经过450℃退火，得到V2O5薄膜。用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试，用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明，V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。室温到320℃范围内电阻变化2个量级，薄膜的光学能隙为2．46eV，与V2O5体材料性能一致。     

ITO薄膜的制备、光刻及性能测试实验设计

文中就电子科技大学显示器件技术课程ITO薄膜的制备、光刻及性能测试实验进行了深入分析。该实验主要涉及ITO薄膜的制备、图案的刻蚀、ITO薄膜的方阻测试及透过率测试。通过该实验让学生掌握ITO薄膜的制备、薄膜图案的形成及薄膜的性能测试等基本工艺技术。     

薄膜太阳能电池技术及市场发展现状

详细叙述了硅基薄膜太阳能电池结构、工艺制造技术,a-Si沉积设备,并针对薄膜电池技术的发展现状,分析了薄膜电池引起波动和变化的原因,展望了BIPV薄膜电池在未来城市建筑中的应用前景。     

用RF—PECVD制备的SnO2薄膜光电性质及化学成分

利用ＸＰＳ研究了ＲＦ－ＰＥＣＶＤ制备ＳｎＯ２薄膜的化学计量配比，测试了ＳｎＯ２薄膜的光学和电加热特性。结果表明：具有导电性能的ＳｎＯ２薄膜是一种非理想化学计量配比的氧化物半导体薄膜材料，薄膜还具有较高的可见光透过率和较好的电加热性能。     

ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展

ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜（ITO）相比，不仅性能与其相似，还具有ITO很多无法比拟的优点．因此，制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点．综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展，并对各自的优缺点进行了讨论．     

Magnetoresistance of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions

The magnetoresistance and I-V characteristics at different temperatures of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions of variable width (from 20 to 250 nm) and 10 nm thicknesses, fabricated by electron beam lithography and vacuum thin film deposition are compared. The magnetoresistance and resistance of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions are not related to the width of the nanoconstrictions. Instead the resistance of the local nano-region in the middle of the thin film ferromagnetic nanoconstriction has only a minor role compared to that of the two microscale thin film ferromagnetic electrodes, which contribute the majority of the measured resistance. The magnetoresistances of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions and a 0.2 cm × 0.8 cm thin ferromagnetic film deposited under the same conditions were also compared; the thin film ferromagnetic nanoconstrictions have higher magnetoresistances than the thin ferromagnetic film, which implies that the measured magnetoresistance of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions comes mainly from the local nano-region in their centers. In conclusion, the measured magnetoresistance of the whole sample is similar to the anisotropic magnetoresistance, because the resistance of the two microscale thin film ferromagnetic electrodes is much higher than that of the local nano-region in the middle of the samples. Comparing the experimental results for the thin film ferromagnetic nanoconstrictions and the thin ferromagnetic film reveals that the magnetoresistance of the local nano-region in the middle of the sample is much higher than that of the two microscale thin film ferromagnetic electrodes attached to it.     

Al/SiO_2 周期迭层膜式微型偏光器中的Al膜层

对周期性Ａｌ／ＳｉＯ２迭层膜式微型偏光器中的Ａｌ膜层进行了研究．高消光比的迭层膜式微型偏光器的性能主要决定于Ａｌ膜层的介电常数．从理论上分析了影响Ａｌ膜层介电常数的因素及Ａｌ膜层的介电常数偏离体金属Ａｌ相应值的原因．Ａｌ膜层溅射沉积条件实验研究结果表明,沉积速率、膜层厚度及基底形貌的控制和选择是非常重要的     

超导MgB2薄膜相含量的分析

该文运用物相衍射分析中的多相物质衍射强度公式对所制备的超导MgB2薄膜的相含量进行了研究，算出了多相衍射相关的物理量，获得了MgO在MgB2超导膜中的相含量．在计算过程中。作者作了适当的近似，并在此基础上，分析了相含量对薄膜质量的影响．     

Preparation of porous nanocrystalline TiO2 electrode by screen-printing technique

Different paste has been used for preparing porous TiO2 thin film by screen-printing technique, the main component of it comes from commercial TiO2 P25 power. The dye-sensitized solar cell based on this TiO2 thin film without further chemical treatments exhibits high overall conversion efficiency of 5.81%―6.70%, even with low TiO2 content and thin film thickness. The experimental repeatability is nice and the properties of the films are uniform.     

测定薄膜厚度的基片X射线衍射法

基于X射线衍射与吸收理论，建立了一种薄膜厚度测量方法，即基片多级衍射法．利用X射线衍射仪测量高速钢表面的TiN薄膜厚度，由于膜下基片的衍射强度较高及衍射峰形良好，可以确保薄膜厚度的测量精度．本法克服了非晶薄膜材料中薄膜衍射信息较差以及存在织构等不利因素所导致测量结果不可靠等问题．     

MgB2超导体的相图及其对薄膜制备的指导作用

MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB2薄膜生长意义重大。总结MgB2相体系及相关系,详细对比分析Mg-B/Mg-B-O体系的热力学相图,总结分析富氧区杂项MgO的生成机理及其对MgB2薄膜质量和性能的影响,研究分析有氧体系下Mg-B/Mg-B-O热力学相图对MgB2薄膜材料制备生长的指导意义,探讨HPCVD环境下采用原位生长技术制备MgB2超导薄膜时热力学相图的指导作用及相关制备工艺。