InP反欧泊结构三维光子晶体的制备及研究

MOCVD法实验制备了InP反欧泊密堆积结构三维光子晶体,平面波法计算分析发现对于2003年Yethiraj和Van B laaderen提出的非密堆积结构,利用此方法制备的InP非密堆积结构反欧泊三维光子晶体,只要填充率达到44%以上即可出现完全光子带隙.     

InP单晶表面势垒高度与表面态密度的光伏测算

应用变温光伏方法测定了Ｎ型低阻ＩｎＰ单晶的表面势垒高度，进而分析、计算了简并化的ＩｎＰ单晶表面态密度。     

纳米多孔InP对氨气的气敏特性研究

InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料,利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点,但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP,并观察其对氨气的伏安特性响应,从而分析该材料的气敏特性.     

非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.     

硫酸蚀刻溶液中InP半导体之薄膜生长

利用X一射线衍射技术研究了InP半导体在H2SO4/H2O蚀刻溶液中之薄膜生长,分析P型InP（100）在酸性蚀刻溶液中表面氧化物的化学组成．实验中．一台12kW的铜旋转阳极x射线源用于保证高敏感度的表面型态分析．利用广角度衍射（WAD）,从一个基体氧化物的晶格组界面检测衍射线来分析蚀刻溶液H2SO4/H2O每个衍射线出现可能引起的反应物表面层反射光束的干涉图案,生成物为具有单晶结构的磷酸铟水合物（InP04-xH20）．观察到一组（nh,nk,n1）的广角度衍射中磷酸铟水舍物（InPO4·xH2O）相的反射峰,并且侦测到在每个反射光束的干扰振荡现象．利用感应电浆耦合离子发射光谱法测定溶液中的铟（In）和磷（P）成分,分析InP在不同浓度的H2S04／1-120溶液中的溶解速率．观察发现,在InP的氧化表面上存在混合成份的氧化物和单一成份生成物．借着ICP仪器分析测试在照光或暗室下,InP在H2SO4/H2O系统的溶解率差异几乎是不可分辨的．藉由X射线结果对比JCPDS卡标准化合物中的数据．可获得酸性溶液蚀刻反应中各种表面氧化物的结构特点和反应现象．     

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV     

GaP和InP纳米晶形貌研究

研究了交换法合成的GaP纳米棒的形成过程和形成以后自组装成微米棒的过程 ,运用透射电子显微镜对元素反应法制备的InP纳米晶在电子束作用下的运动过程进行了监测     

Theoretical analysis and simulation of InP-based uni-traveling-carrier photodetector

In this paper the photocurrent response of InP-based uniotraveling-carrier photodetectors （UTC-PDs） is analyzed using the drift-diffusion approach. Based on the theoretical analysis, an InP/InGaAs UTC-PD is modeled utilizing a numerical device simulator （ATLAS）, and the physics of the device＇s operation and its performance as a function of biasing and power level are simulated. The simulation results indicate that the linear dynamic range is up to 60 mW, the f-3 dB is about 40 GHz and the full-width at half-maximum （FWHM） of the current pulse is 28 ps with 10 mW optical power injection for an optimized structure UTC-PD.     

MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性

使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。比较两种不同衬底上外延层的光荧光谱，发现杂质ｓ在ＩｎＰ外延层中的扩散是不容忽视的。     

GaInAsP/InP跑道型环形谐振腔的制备及其性能测试

采用等离子增强型化学汽相沉积和电子束刘蚀相结合方法制备了直径为1～20μm的GaInAsP/InP跑道型环形谐振腔,采用扫面电镜等方法对其进行了研究.结果表明:直径为4.5μm、跑道长度为5μm,直径为10.5μm、跑道长度为5μm和直径为19.5μm、跑道长度为3μm的环形谐振腔的自由频谱范围分别为28nm、16nm和9.5nm;随着环形直径的增加,其自由频谱范围减小;在相同的直径下,随着跑道的长度增加,自由频谱范围减小.