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1.
以国产计算机(龙芯3A3000+7A1000)为研究对象,分析其基于车载环境计算资源受限情况下的环境适应能力,通过压力测试和可靠性摸底实验进行验证与改进,采用冒烟测试获取计算机平台的环境适应阈值,并提出计算环境适应能力优化与可靠性提升的解决方案.  相似文献   
2.
基于行为金融学的价格压力假说,结合企业生命周期理论,以2007—2014年的主板上市公司为样本,分析投资者关注对权益资本成本的影响以及这种影响在企业生命周期中存在的阶段性差异。研究发现,投资者关注与权益资本成本显著负相关,即权益资本成本随着投资者关注的提高而降低。对于不同生命周期的企业,投资者关注对权益资本成本的影响存在差异。新生期、衰退期企业的权益资本成本并不会随着投资者关注程度的提高而降低;成长期、成熟期企业的权益资本成本随着投资者关注程度的提高而降低。可以看出,投资者能够识别企业所处的生命周期,并愿意为成长期、成熟期的企业支付更高的溢价。  相似文献   
3.
为了减少现有的钢桥面铺装层车辙深度预估的误差,提出基于长期实测数据的钢桥面铺装车辙评估模型的温度影响系数计算公式。首先对南京长江第四大桥的实测温度概率统计后采用双高斯函数表征其分布;在此基础上修正了现有车辙评估模型中的温度影响系数公式,并利用车辙实测数据对车辙评估模型计算值进行验证。研究结果表明:钢箱梁复合浇筑式铺装层温度可通过双高斯分布描述其概率分布;计入温度影响系数的车辙深度与实际车辙值之间误差较小,相对误差为15.2%。  相似文献   
4.
西湖凹陷花港组盖层具有砂泥岩交互式发育特征,而与泥岩伴生的砂岩类盖层的油气封闭作用研究较少。采用岩芯、镜下观察及压汞等分析方法,对砂泥岩交互式盖层中的砂岩特征进行了分析。结果表明,盖层中的砂岩可作为有效盖层,砂岩类盖层早期受沉积环境控制,含有较多的泥质而导致早期压实作用较强,加之晚期的黏土矿物转换及胶结物的发育,具备形成良好盖层的条件。在不同地区进行砂岩盖层有效性研究时应以沉积环境为基础,针对不同类型的砂岩进行成岩作用研究,并针对不同类型的砂岩样品进行实验分析以明确砂岩盖层的有效性。  相似文献   
5.
常规二次二阶矩可靠性方法只适用于功能函数偏导数(一阶和二阶)能够简便地由解析法求解的工程,使得其难以解决复杂岩土体结构的稳定可靠度问题.针对这一局限,基于数值差分原理,导出功能函数在验算点处各阶导数近似表达式,结合随机变量在X空间和Y空间的变换,构建了基于差分方法的梯度矢量数值求解工具;以该工具置换Breitung二次二阶矩方法中的梯度计算准则,形成一种适用于任意形式功能函数的二次二阶矩可靠度算法,消除了经典方法的局限;利用所提方法解决了功能函数为隐式和未知形式的边坡可靠度问题,展示了该方法解决复杂岩土体结构概率稳定性问题的能力,并同时在基准Y空间内建议了具有普遍意义的合适步长系数值0.01.  相似文献   
6.
热运动对纳米级磁流变液系统的颗粒团聚行为和宏观流变特性扰动影响不可忽视.为研究施加外磁场后系统微结构与热运动间的关系,探讨在不同颗粒粒径情况下热运动能量在系统总能量中的占比.采用CCD设计方法,分析Monte Carlo仿真获取的颗粒位形信息,生成关于外磁场磁感应强度、颗粒粒径和体积分数的系统热耦合系数<λ>回归模型;成链团聚的临界颗粒粒径计算值比文献经验值高出约23%,证实在考虑系统内多因素的综合影响下,纳米级磁流变液具有更严格的流变现象临界发生条件.  相似文献   
7.
现有CSR规范仅考虑了冲击压力对VLCC船首外飘结构的影响而忽略了砰击压力的影响,使得具有较大船首外飘结构的VLCC常由于遭遇较大波浪载荷而受损.本文借鉴CSR规范载荷体系提出两种冲击压力的假设,并结合实船案例数据,采用有限元法对受损结构进行逆向工程计算,采用最小二乘法分析实验数据以寻求最优解.最后,根据最佳方案对损坏结构提出修改方案并验证.本文的研究结果可为超大型油船的结构设计提供思路.  相似文献   
8.
 糖尿病足是糖尿病患者最严重的并发症之一。设计合理的足部辅具可有效实现糖尿病患者足底高压区域卸载和足底压力分布优化,有助于降低足溃疡发生率和复发率、延缓足溃疡恶化和截肢周期。综述了糖尿病足部的评估方法、足部辅具的设计原则、制作技术以及临床应用效果,分析发现研究主要以糖尿病足部形状与破损情况为依据,通过结构设计、材料组合等实现降低足底压力峰值、保护足部的目的。然而,目前的糖尿病足部辅具仍需进一步结合足部生理参数监测、主动防护等功能,以更实时、准确地监测糖尿病足部健康水平,更智能、有效地维护足部健康。关键词糖尿病足;足部辅具;压力卸载;智能辅具  相似文献   
9.
通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40~110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA.  相似文献   
10.
定义了偏对称正态分布并研究了其性质.此类分布包括偏均匀正态分布,偏t正态分布,偏拉普拉斯正态分布,偏Logistic正态分布和偏三角正态分布等,探讨了此类分布的一些性质.  相似文献   
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