高耐磨聚四氟乙烯复合材料的实验研究

利用MM-200摩擦磨损试验机考察了填充聚丙烯腈的聚四氟乙烯复合材料在干摩擦条件下的摩擦学性能．用扫描电子显微镜对样品的磨损面和转移膜进行了观察和分析．结果表明，聚丙烯腈的加入，使聚四氟乙烯的耐磨损性大幅提高，摩擦系数有所降低；填充聚丙烯腈的聚四氟乙烯样品的对磨面有完整而且不易脱落的转移膜，这是其具有良好耐磨性的主要原因；在复合材料中，聚丙烯腈与聚四氟乙烯有很好的相容性．     

论教师培训权及其保障

教师培训权是指教师参加进修或者其他方式培训的权利。保障教师依法享有培训权，对于教师队伍整体素质的提高，促进我国社会主义市场经济和现代化建设，构建和谐社会具有重要的意义。当前，教师培训权由于保障缺失而受到侵害，因此，应从完善立法、加强法制教育、建立和健全执法监督机制、完善法律救济、发挥教育工会作用等方面来加强教师培训权的保障。     

扫描探针显微镜漂移的定量测量方法

对扫描探针显微镜(SPM)仪器漂移的定量测量的几种方法进行探讨,提出应用二维零位标记进行漂移测量.分析比较使用普通样品、周期二维光栅、二维零位标记和原子光栅在测定仪器漂移中的优缺点.结果表明:应用二维零位标记的测量技术对探针与样品形貌耦合引起的图像误差不敏感,漂移测量范围不受光栅单元尺寸影响.该方法优于采用普通样品和规则周期的二维光栅样品的方法,而应用原子光栅可以预计达到亚原子量级的超高精度的SPM漂移测量.     

在硅表面上的单原子操纵

室温条件下Si表面的单原子操纵在基础研究和微电子应用两方面都具有十分重要的意义。本文详细介绍了利用STM在Si(111)×7、Si（100）－2×1：H表面进行单原子操纵和加工原子级人工微结构的基本原理和技术方法。综述了近年来这一领域研究工作的最新进展，并探讨单原子操纵技术和激光选健技术相结合从而实现选键化学反应或“分子手术”的可能性和前景。     

非圆形空气孔型二维光子晶体带隙率模拟

采用平面波展开法对两类晶格(三角晶格和正方晶格)及圆形空气孔或两种非圆形空气孔(正方形和六边形)构成的二维光子晶体带隙率进行了数值研究,分析了填充比f对带隙率ωR的影响.结果表明,晶格对称结构和空气孔形状对带隙大小有影响.给定晶格对称结构,选择具有相同对称形状的空气孔能得到较大的绝对光子带隙.在这3种空气孔当中,三角晶格对应六边形空气孔有最大带隙率,当填充比f=0.8时,带隙率ωR=23.3%;正方晶格对应正方形空气孔有最大带隙率,当填充比f=0.67时,带隙率ωR=14.7%.     

碳纤维两臂微镊的研究分析

为了对微米尺度物体进行操作,利用显微镜和三维位移台制作了一种微操作器.该微操作器是一种用两根单根碳纤维为两臂的微镊,使用静电力驱动,能实现对30~200μm尺度的物体的夹持.通过闭合实验、夹持实验及微镊闭合过程的理论分析,证明该方法对设备要求低、成本低.     

双光子三维微细加工重复率对表面形貌的影响

飞秒激光三维微细加工是一种集超快激光、CAD／CAM、光化学材料等技术于一体的新型加工方法,它采用单点扫描累积成型,由点成线,由线成面进行加工．要得到精细的三维微器件,不仅需要高加工分辨率,还须选用合适的扫描步距．我们采用不同重复率工艺参数进行实验,并对得到的表面质量进行了分析,优化了微器件加工的重复率参数．还基于自由基浓度理论和曝光等效性原理,对重复率影响表面质量进行了仿真．加工系统采用飞秒激光光源：脉宽为80fs,中心波长为800nm,重复频率为80MHz,输出功率为400mW;使用数值孔径（NA=1．25）浸油物镜聚焦;三维扫描使用PZT移动台;材料是新型聚丙烯类S-3负性光刻胶．实验中采用步距0．1,0．2,0．3,0．4μm得到不同平面,并测得其表面粗糙度,分析了重复率对微器件表面质量的影响．     

飞秒激光微爆加工铌酸锂晶体

利用紧聚焦飞秒激光脉冲入射到铌酸锂（LiNbO3）晶体中引起微爆,可以在晶体内部进行微爆加工．与各向同性的熔融石英不同,因为铌酸锂晶体的各向异性,微爆加工点在垂直晶轴的截面上表现出强烈的各向异性．我们利用狭缝光阑对入射飞秒高斯光束进行整形,改变了光束的能量分布,成功地减小加工点的各向异性,获得尺寸较一致的微爆单元．另外发现由于折射率失配的存在,飞秒脉冲激光聚焦深度不一样时,微爆加工点在沿晶轴方向的截面形状和尺寸都有很大的变化,对此也进行了理论和实验上的分析．     

精密轴承钢球纳米级表面粗糙度的测量与评定

利用原子力显微镜在纳米(10~(-9)m)级尺度上测量了小轴承钢球的表面结构。为了评定这种三维测量的表面形貌,我们建议使用下列参数:R_a,R_q,R_y和t_p。文中讨论了与此有关的几个问题。     

基于透反式二维绝对零位光栅的光刻对准技术

在二维零位光栅原理的基础上提出了一种透反式二维零位光栅系统,从理论上分析了系统的可行性,并进行了对准性能的试验.实验数据表明透反式光栅系统比一般的光刻对准技术的对比度更强,判别零位的性能更好.该系统作为一种新型的掩模-硅片对准技术,应用于光刻机中可获得优于20 nm的定位对准精度.