交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术。它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度(?)等SPICE模拟程序中的模型参数。对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段。     

一种新型微机械热导压力敏感器及其数值模拟

本文研究了一种新型微机械ＣＭＯＳ热导压力敏感器。其压力测量范围是０．００１－１００ Ｔｏｒｒ。整个量程范围内，多晶硅热敏电阻相对变化（即灵敏度）优於３０％。为使敏感器结构性能优化，我们首次开发了一软件包对器件热电性能进行数值模拟。三维模拟问题被简化为两个２－Ｄ模拟，并将由稳态能量平衡得到的方程组离散化用非线性Ｇａｕｓｓ－Ｓｅｉｄｅｌ算法迭代求解。器件敏度的模拟结果和实验值相吻合。文中还对温度分布进     

N 沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(?))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

一种新型可调式微机械光衰减器

讨论基于抗反射结构（Mechanical Anti-Reflection Structure ,MARS）的硅基微机械式光衰减技术的基本原理和相关的制造方法,研制了一种工作在 1 320~1 550nｍ波长范围内的静电力驱动的可调式微机械光衰减器.制备该衰减器使用常规的硅平面工艺,制作简单,成本较低.器件体积小,响应速度快,可适应日益增长的波分复用（wavelength division multiplex,WDM）全光网的发展.     

味觉传感器的研究：计算机对一个新的液膜体系中酸,甜,苦,…

本文用十六烷基三甲基溴化铵＋乙醇／含苦味酸的二氯甲烷／蔗糖水溶液为研究体系，在油水界面建立可兴奋性人工膜，观察到甜、酸、苦、咸物质均能对该体系振荡波形有影响。采用模糊数学的方法，用计算机对有味物质实现定性识别，取得了满意的结果。并解释了该味觉电化学传感器产生电位振荡响应的机理和利用模糊数学进行了模式识别的规则。     

味觉传感器的研究──计算机对一个新的液膜体系中酸、甜、苦、咸物质的定性识别

本文用十六烷基三甲基溴化铵十乙醇／含苦味酸的二氯甲烷／蔗糖水溶液为研究体系，在油水界面建立可兴奋性人工膜，观察到甜、酸、苦、咸物质均能对该体系振荡波形有影响。采用模糊数学的方法，用计算机对有味物质实现定性识别，取得了满意的结果。并解释了该味觉电化学传感器产生电位振荡响应的机理和利用模糊数学进行模式识别的规则。     

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段.     

射频分布式MEMS移相器Bragg频率的研究

详细讨论了Bragg频率产生的原因及其分析方法，并依据微波网络理论对不同结构参数MEMS移相器的Bragg频率进行了分析比较.计算结果表明Bragg频率随共平面波导信号线宽度增大、随微桥周期间距增大而降低.对特征阻抗50 Ω、周期间距300 μm、中心信号线宽度分别为50 μm和100 μm的MEMS移相器，Bragg频率相应为38.1 GHz和27.6 GHz；对中心信号线宽度为100 μm的移相器，当周期间距增加为567 μm时，Bragg频率进一步下降到19.6 GHz.对Bragg频率的研究为分布式MEMS移相器优化设计提供了重要依据.     

新型RF MEMS开关的动态表征

一种基于UV LIGA加工技术的双稳态电磁型RF MEMS开关，由于其结构使用了永磁体单元而使得开关在维持“开”或“关”态时不需要功耗，从而实现低功耗的电磁驱动.利用非接触式Wyko NT1 100光学轮廓仪所附带的动态测量系统（DMEMS），对开关的动态响应进行了测量.测量结果表明开关实现了双稳态驱动，开关实现状态完全切换到位对应的响应时间不到20 μs.