N沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(P-P))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

新型RF MEMS开关的动态表征

一种基于UV LIGA加工技术的双稳态电磁型RF MEMS开关，由于其结构使用了永磁体单元而使得开关在维持“开”或“关”态时不需要功耗，从而实现低功耗的电磁驱动.利用非接触式Wyko NT1 100光学轮廓仪所附带的动态测量系统（DMEMS），对开关的动态响应进行了测量.测量结果表明开关实现了双稳态驱动，开关实现状态完全切换到位对应的响应时间不到20 μs.     

相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,Al_xSi_1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372^o/3. 5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。     

无线通讯用硅基微小天线

采用微电子加工工艺在高电阻率硅片上设计和制备了微小天线，并对其进行了仿真和测试，模拟和测试结果比较吻合，测试得到天线为水平和垂直双向辐射，天线的增益约为2.5 dBi，谐振频率约为3GHz，能够满足通讯系统中天线系统的要求，并且文章对天线的制作工艺进行了详细的介绍，此天线有利于天线集成和与CMOS工艺等的兼容．     

多孔硅微机械技术的薄膜量热传感器结构研究

多孔硅的形成和刻蚀技术是一项新型的表面微机械加工技术，我们以多孔硅为牺牲层，利用多孔硅的选择性生长机理，以及利用在高阻衬底上横向形成速率大于纵向形成速率的特点，得到了距衬底很深的微桥、微梁、微沟道等微结构，并设计研制了一种绝热式量热传感器。     

针对LDPC码的伸缩因子量化方案

通过分析节点的信息分布和量化饱和效应,提出一种基于伸缩因子的量化方案.该方案不但对校验节点和变量节点的信息进行伸缩,同时还对初始化阶段的信道信息进行伸缩处理.通过对节点的信息收缩,该方案可以使信息的整数部分表示更多的有效信息,同时也降低量化饱和的影响.该文采用(q,0)对节点进行量化,由于节点信息更新全部采用整数而不需要浮点操作,大大减少了硬件复杂性.同时,对(7493,3048)的LDPC码字仿真表明,该量化方案的性能与浮点性能仅相差0.1 dB.     

一种改进的一阶数字锁相环(简报)

锁相环(PLL)在电子通信中得到了广泛的应用,并已成为频率合成、调制解调等领域的关键技术.随着近年来数字通信的兴起和集成电路的发展,数字锁相环(DPLL)正以其数字化、集成化和高频率的优势得到越来越广泛的应用.本文在对传统的一阶数字锁相环分析的基础上,提出了一种更为灵活的一阶数字锁相环的实现方法,并提高了性能,且易于用FPGA实现.最后,本文列举了该数字锁相环在上海市科委重点项目"微机电系统一微带天线与中继系统"中的应用,并收到了理想的效果.