F007模拟集成电路的铝腐蚀失效及改进前后的分析对比

在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进后产品的中位寿命比原产品约有一个数量级的提高。     

一种新型可调式微机械光衰减器

讨论基于抗反射结构（Mechanical Anti-Reflection Structure ,MARS）的硅基微机械式光衰减技术的基本原理和相关的制造方法,研制了一种工作在 1 320~1 550nｍ波长范围内的静电力驱动的可调式微机械光衰减器.制备该衰减器使用常规的硅平面工艺,制作简单,成本较低.器件体积小,响应速度快,可适应日益增长的波分复用（wavelength division multiplex,WDM）全光网的发展.     

相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,Al_xSi_1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372^o/3. 5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。     

Al－Si（1％）互连线电迁移失效研究

本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁移寿命有显著的影响。对实验结果作了初步的分析和讨论。     

F007模拟集成电路的铝腐蚀失效及改进前后的分析对比

在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进后产品的中位寿命比原产品约有一个数量级的提高。