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1.
基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响.  相似文献   
2.
采用经典电磁场、有限元数值计算两种方法,设计了一种用于磁热效应直接测量的脉冲螺线管磁体,在螺线管磁体中心处,磁感应强度的计算值及测量值均在2.2T(180A电流时),且它们之间的误差很小;在以螺线管中心为球心,直径为10mm球内,磁感应强度的均匀度优于1%,达到了脉冲磁体的设计要求。  相似文献   
3.
基于Green函数技术,作者首先分析了切断近似对处理一维对称周期Anderson模型中电子间关联的影响,然后计算了该模型的局域磁矩,杂化能量元和基态能量,计算结果与Blankenkecler等人的Monte Carlo模型一致,这表明Green函数方法可以较好地处理周期Anderson模型的基态性质。  相似文献   
4.
对称周期Anderson模型的基态性质滕保华(四川联合大学应用物理系)黄建敏蒋夏萍(华北水电学院基础部)周期Anderson模型是一种用于研究重费米子系统物理性质的有效模型[1~5].我们应用Green函数方法研究了对称周期Anderson模型,首先...  相似文献   
5.
作者提出了一种统一计算d-维伊辛模型(d=1,2,3)中相变温度的方法。首先利用格林函数方法得到了各维伊辛模型中关于格点自旋的严格代数方程,然后采用统一的退耦合近似方案,计算了各维伊辛模型的相变温度结果表明:这种计算方法的特点是计算简单,步骤统一,精度较高。  相似文献   
6.
基于矩量法研究半波振子天线的电流分布.在矩量法计算天线电流过程中,基函数选用脉冲函数,权函数选用局域高斯函数,得到半波振子天线辐射的E面方向图.结果显示,该方向图与CST数据后处理法和天线电流驻波理论的结果完全重合,并且矩量法比CST数据后处理法具有明显的节约时间的优点.  相似文献   
7.
低纯Gd制备Gd5Si2Ge2的结构与磁热性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd5Si2Ge2合金, 研究了低纯Gd5Si2Ge2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能. 粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明, 经1200℃, 1 h退火处理后, 低纯Gd5Si2Ge2合金具有Gd5Si2Ge2型主相、在268 K存在一级磁晶相变. 据磁相变温度附近的磁化曲线计 算, 低纯Gd5Si2Ge2合金在5 T磁场变化下的最大磁熵变为17.55 J·Kg-1·K-1, 具有巨磁热效应.  相似文献   
8.
作者利用格林函数方法较严格地讨论了一维伊辛模型中任意两格点之间的自旋关联,并通过对比昂萨格的二维正方伊辛模型的结果表明,有限温度下一维伊辛模型尽管不存在通常的铁磁到顺磁的自发相变,但是存在零温附近的强自旋关联,从而可加深对一维伊辛模型的认识.  相似文献   
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