| 低纯Gd制备Gd5Si2Ge2的结构与磁热性能 |
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| 引用本文： | 张铁邦,陈云贵,付浩,滕保华,唐永柏,涂铭旌.低纯Gd制备Gd5Si2Ge2的结构与磁热性能[J].科学通报,2005,50(18):2043-2045. |
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| 作者姓名： | 张铁邦 陈云贵 付浩 滕保华 唐永柏 涂铭旌 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学材料科学与工程学院,成都,610065
2. Department of Physics, National University of Singapore, Singapore 117542 |
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| 基金项目： | 本工作为国家高技术研究发展计划资助项目（批准号：2002AA324010）. |
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| 摘 要： | 以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd5Si2Ge2合金, 研究了低纯Gd5Si2Ge2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能. 粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明, 经1200℃, 1 h退火处理后, 低纯Gd5Si2Ge2合金具有Gd5Si2Ge2型主相、在268 K存在一级磁晶相变. 据磁相变温度附近的磁化曲线计 算, 低纯Gd5Si2Ge2合金在5 T磁场变化下的最大磁熵变为17.55 J·Kg-1·K-1, 具有巨磁热效应.
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| 关 键 词： | 磁致冷材料 Gd5Si2Ge2 一级相变 磁热性能 |
| 收稿时间： | 2005-03-09 |
| 修稿时间： | 2005-03-092005-06-27 |
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