四硝基取代酞菁铜/介孔二氧化硅复合材料的成及表征

利用溶胶-凝胶方法原位同步合成了四硝基取代酞菁铜/介孔二氧化硅的有机-无机复合材料.采用紫外可见吸收光谱(UV-vis)、红外光谱(IR)等对四硝基取代酞菁铜/介孔二氧化硅复合材料进行了表征.发现四硝基取代酞菁铜在介孔二氧化硅中以单聚体和二聚体两种形式存在,且以二聚为主.XRD检测结果表明:四硝基取代酞菁铜/介孔二氧化硅复合膜仍保持了原来的介孔结构,SEM检测结果表明原位合成的四硝基取代酞菁铜可以均匀地分散到介孔二氧化硅的基质中.     

无氰电镀金镍合金的研究

金的耐蚀性、导电性及化学稳定性是电子元件、精密仪表和装饰等行业所需求的。但金的价格昂贵,硬度和耐磨性均较差。电镀工作者为得到金基合金把精力放到新电镀溶液的研究和开发上。 60年代后期发展起来的金镍合金,既保持了金的优点,又提高了金的硬度及耐磨性,减     

罗丹明B对表面活性剂溶液表面张力的影响

采用最大气泡压力法,在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸纳(SDS)、十二烷基苯磺酸纳(SDBS)、十二烷基苯磺酸(DBSA)和壬基酚聚氧乙烯醚(Oπ-10)所形成的胶束水溶液中,测定了加入罗丹明B(RB)前后溶液表面张力随表面活性剂浓度的变化规律.结果表明:RB与各表面活性剂之间存在不同程度的相互作用,由于RB是阳离子染料,它与阴离子表面活性剂的静电作用比较强;RB的加入对不同表面活性剂的临界胶束浓度(cmc)的影响较小,但是对表面张力的影响却很大.     

电沉积条件对ITO/TiO2/CdS薄膜光电性能的影响

采用电沉积方法,以ITO/TiO2薄膜为基底,在水体系中成功制备出ITO/TiO2/CdS复合半导体薄膜,通过光电流作用谱考查了该薄膜电极的光电性能。实验表明,电镀液的组成、实验温度可影响薄膜中CdS纳米粒子的生长,从而使不同条件获得的复合薄膜电极的光电转换效率不同,实验温度为40℃、电镀液的组成为CCd2 =0.02 mo.lL-1,CS2O23-=0.10 mo.lL-1,pH=2.0条件下沉积所得的ITO/TiO2/CdS薄膜电极,在400 nm~500 nm波长范围内具有较强的光吸收,也有较高的光电转换效率。     

钼配合物MoO_2Cl_2(C_4H_3OCOOH)_2的合成和性质

使MoCl_5与C_4H_3OCOOH在氯苯溶剂中反应,合成了新的过渡金属钼配合物MoO_2Cl_2(C_4H_3OCOOH)_2。研究了该化合物的红外光谱、紫外-可见光谱、光电子能谱和电氧化还原性质,还用DTA和TG技术研究了它的热分解过程;同时讨论了上述性质与该配合物的结构之间的关系。     

无隔膜电解槽中苯的直接电氧化

在无隔膜电解槽中,以苯为原料,硫酸为支持电解质,二氧化铅为阳极,石墨为阴极,直接电氧化合成对苯醌,并对其影响因素进行研究.     

7,7,8,8-四氰基对笨醌二甲烷的合成、结构和性质研究

以1,4-环己二酮和丙二腈为原料,合成出7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷(TCNQ)晶体,并测定其结构。晶体属单斜晶系,空间群C_c,晶胞参数α=8.910(4),b=7.068(1),c=16.403(1),β=98.510°,Z=8。结构参数经块矩阵最小二乘法精修后,最后的偏离因子R=0.034。此外,对该化合物还进行了红外光谱,紫外可见光谱和电化学氧化还原特性的测定,并结合量子化学计算探讨了TCNQ的电子结构和性能之间的关系。     

Dawson结构钼钒磷杂多化合物的性质

合成了具有Ｄａｗｓｏｎ结构的钼钒磷杂多酸，并将其转变为相应的十六烷基吡啶盐，利用ＩＲ，ＣＶ，３１ＰＮＭＲ，ＵＶ等手段进行表征．讨论了钒取代后杂多化合物的结构特征．     

无隔膜电解槽中对苯醌电合成的研究

在无隔膜电解槽中， 以Cu^２＋离子为电解媒质， 铜板作阳极， 石墨作阴极， 对苯的 间接电氧化进行研究. 实验结果表明， 苯的电解产物对苯醌的产率和电流效 率均比无隔膜电解槽中苯的直接电氧化有较大的提高.