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用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540~550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值. 相似文献
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本课题的主要研究内容以及应用场景,包括污染源自动监控信息的交换机制;建立污染源数据交换标准体系;数据交换技术模式设计;污染源自动监控信息交换原型系统开发;以及污染源自动监控信息交换原型系统试点示范,为实现全国污染源监控信息的交换和集成奠定理论基础和实施范例。课题提出的技术路线已经应用于“国家环境信息与统计能力建设项目”(5.8亿资金)中“数据传输与交换平台”的设计和开发,为选定“数据传输与交换平台”的交换模式提供了理论依据和实践经验,有效解决大规模部署中关键技术问题;课题提出的“三位一体”交换机制框架,为环境监察管理工作的深化,提供了理论支撑;对于新增污染物(氨氮、氮氧化物)自动监控工作也有较好的借鉴作用。建设原型系统,支撑了江苏、辽宁、青海、宁夏四省污染源自动监控数据交换;污染源自动监控信息交换原型系统的设计与开发基于“HJ/T352-2007规范”,原型系统的成功从技术上验证了“HJ/T 352-2007规范”的可实现性,另一方面可以解决分布式污染源自动监控信息在同构、异构数据库之间的数据共享和交换问题;丰富和完善环境信息化标准体系,“环境信息交换技术规范”(HJ XXXX-201X 报批稿)中采纳了本课题提出的交换体系、交换模式。 相似文献
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电磁继电器触点面的SEM和XPS研究 总被引:2,自引:0,他引:2
使用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)等表面分析方法,研究未启封、使用过失失效和使用过失效的继电器触点表面和形貌、组份和结构,结构表明,经过使用后触点表面烧蚀严重并发生磨损,其组份中含Ag、Sn、C和O等原子,C和O的XPS峰显示,触点表面氧化膜和碳化物的形成,导致接触电阻增大,从而影响继电器的稳定履使用寿命。 相似文献
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射频磁控溅射方法制备氧化钒薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射的方法.在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品,并在纯氩气环境下作了退火处理,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜扫描图像,对样品进行研究.XRD分析显示退火前样品为非晶态,退火后为结晶态.并用激光共聚焦显微镜对图像做了验证.对比退火后样品的XRD图谱显示在其它条件相同时.可以通过增大溅射功率或降低衬底温度.来提高退火后薄膜样品的结晶程度,并增强V2O5(001)晶面的取向性;通过对比退火前样品的XPS谱可知在其它条件相同时,通过升高衬底温度或减小溅射功率.可以提高薄膜样品中高价钒的含量. 相似文献
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使用多弧离子镀在铜基镀Cr的衬底上制备TiN薄膜,借助表面分析技术研究了不同温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触的界面与表面性质。通过SEM、TEM观测表面形貌,微结构随温度变化;用AES和XPS测量接触界面成分随温度的变化。结果表明,在90℃下,表面TiN薄膜欠均匀,界面较清晰可辨;随着温度的升高,表面微结晶性能有所改善,在170℃时可见局部球聚隆起,出现粗细不同的类枝状结晶结构,此时TiN与Cr/Cu界面层增厚,形成较为稳定的Tr-Cr金属间化合物。TiN薄膜在金属衬底上的生长行为与衬底表面的原子结构、晶向,以及TiN与金属间的电荷转移和键合状况有关,适当的衬底温度(120℃)可以改变TiN形貌,改善其机械性能。 相似文献
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Ni/Si接触界面的ESCA研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用XPS、UPS等表面分析方法对Ni/Si接触的界面体系进行了研究,Ni-Si界面在室温下形成不稳定的多晶混层,其演化过程为:NiO_x/金属Ni/富Ni相/Ni-Si互混相/富Si相/Si,同样Ni-Si界面经650℃真空退火形成均匀的NiSi_2界面层,表层并有SiO_2相存在,说明硅化物的生成过程为:Ni与SiO_2接触产生金属氧化物,加热后逐步形成金属硅化物,讨论了NiSi_2的化学键形成。 相似文献
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硫酸溶液中铂电极表面氧吸附过程的光电子能谱研究徐富春,陈声培,薛国庆,孙世刚(分析测试中心,化学系,物化所,固体表面物理化学国家重点实验室,甘肃张掖师专化生系)电催化反应包含一系列表面吸附与脱附过程[1].这些过程与电极表面结构密切相关。因此,深入研... 相似文献
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利用XPS方法,分析四种由不同CVD温度(250~550℃)淀积在n-Si衬底上形成异质结的SnO2透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明,表面存在三种氧物种,在加热吸附H2前后,相对含量发生变化,变化大小与制备温度有关,根据实验结果和分析,研究薄膜H2吸附机理,讨论SnO2薄膜的气敏与SnO2/n-Si异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响。 相似文献
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