电磁继电器触点面的SEM和XPS研究

使用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）等表面分析方法,研究未启封、使用过失失效和使用过失效的继电器触点表面和形貌、组份和结构,结构表明,经过使用后触点表面烧蚀严重并发生磨损,其组份中含Ag、Sn、C和O等原子,C和O的XPS峰显示,触点表面氧化膜和碳化物的形成,导致接触电阻增大,从而影响继电器的稳定履使用寿命。     

不同镀膜温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触界面形成与表面特性

使用多弧离子镀在铜基镀Cr的衬底上制备TiN薄膜，借助表面分析技术研究了不同温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触的界面与表面性质。通过SEM、TEM观测表面形貌，微结构随温度变化；用AES和XPS测量接触界面成分随温度的变化。结果表明，在90℃下，表面TiN薄膜欠均匀，界面较清晰可辨；随着温度的升高，表面微结晶性能有所改善，在170℃时可见局部球聚隆起，出现粗细不同的类枝状结晶结构，此时TiN与Cr/Cu界面层增厚，形成较为稳定的Tr-Cr金属间化合物。TiN薄膜在金属衬底上的生长行为与衬底表面的原子结构、晶向，以及TiN与金属间的电荷转移和键合状况有关，适当的衬底温度（120℃）可以改变TiN形貌，改善其机械性能。     

金霉素链霉菌废菌丝体吸附金(Au3+)特性的表征

以金霉素发酵生产中的金霉素链霉菌废菌丝体为生物吸附剂,研究了该菌体吸附金离子的特性.结果表明,该菌体吸附金离子的最适pH值为3.5,其吸附作用是一种快速而非依赖温度的过程.在起始Au3+浓度(100mg·L-1)与菌体浓度(2g·L-1)之比为50mg/g,pH3.5和30℃条件下,吸附45min,菌体对Au3+的吸附量为45.6mg·g-1吸附率达91.2%.菌体所吸附的金可被解吸附.透射电子显微镜观察结果表明,该菌体能将Au3+还原成金颗粒,并形成不同形状和大小的金晶体.X射线光电子能谱分析证明,Au3+能被菌体还原成Au0.     

金霉素链霉菌废菌丝体吸附金(Au~(3+))特性的表征

以金霉素发酵生产中的金霉素链霉菌废菌丝体为生物吸附剂，研究了该菌体吸附金离子的特性．结果表明，该菌体吸附金离子的最适ｐＨ值为３．５，其吸附作用是一种快速而非依赖温度的过程．在起始Ａｕ３＋浓度（１００ ｍｇ·Ｌ－１）与菌体浓度（２ｇ·Ｌ－１）之比为５０ｍｇ／ｇ，ｐＨ ３．５和 ３０℃条件下，吸附 ４５ｍｉｎ，菌体对Ａｕ３＋的吸附量为４５．６ ｍｇ·ｇ－１，吸附率达 ９１．２％．菌体所吸附的金可被解吸附．透射电子显微镜观察结果表明，该菌体能将Ａｕ３＋还原成金颗粒，并形成不同形状和大小的金晶体．Ｘ射线光电子能谱分析证明，Ａｕ３＋能被菌体还原成Ａｕ０．     

农用光转换材料结构的剖析

用高温固相反应制备ＣａＳ：Ｃｕ,Ｅｕ农用光转换材料,运用ＸＲＤ和透射光谱技术对材料的微晶结构进行研究,获得ＣａＳ：Ｃｕ,Ｅｕ荧光材料构态与光转换效率关系的信息,为光转换材料及其相应的光转换农膜的迅速发展提供依据。