电子注入对CdSe探测器性能的影响

研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺，并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现，CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流，减少探测器噪声，提高探测器能量分辨率。制备出的CdSe室温核辐射探测器对^241Am 59.5keV和^109Cd 87KeV γ射线的能量分辨率分别为9．6％和7．5％。     

硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.     

阳极氧化电压对纳米孔阵列阳极氧化铝膜形貌的影响

阳极氧化铝是将金属铝进行阳极氧化处理后，在其表面上形成的一层氧化膜，可对金属铝起到装饰和保护的作用．20世纪末人们发现，铝在适当的阳极氧化条件下可以制得具有纳米孔阵列的阳极氧化铝膜．随着纳米科学的蓬勃发展，纳米孔阵列阳极氧化铝膜由于其具有大的比表面积、高纵横比、大小均     

La1+zBa2-zCu3Oy相的形成、固溶度及La对Ba的替代

对Ｌａ１＋ｚＢａ２－ｚＣｕ３Ｏｙ相的形成,固溶度和Ｌａ对Ｂａ的替代进行了系统研究,以期获得制备具有更高Ｔｃ的超导体的最佳条件。表明Ｌａ１＋ｚＢａ２－ｚＣｕ３Ｏｙ在空气中固溶度为０．２０－０．７０,Ｎ２中为０。在空气中合成Ｌａ１＋ｚＢａ２－ｚＣｕ３Ｏｙ时,Ｌａ能替代Ｂａ,但Ｂａ并不能替代Ｌａ,空气和Ｏ２有利于Ｌａ对Ｂａ的替代,但当在Ｎ２中合成Ｌａ１＋ｚＢａ２－ｚＣｕ３Ｏｙ时,Ｌａ对Ｂａ的替代受到抑制     

坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测

报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单相致密的ＡｇＧａＳ２多晶材料，生长出尺寸为φ１５ｍｍ×３０ｍｍ的ＡｇＧａＳ２单晶锭．对晶体的完整性进行了结构分析，观测到ＡｇＧａＳ２｛０１１｝面族的六级Ｘ射线衍射峰呈现高级次的衍射强度异常增强的反常现象．对晶体的位错蚀坑进行了扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察．     

塑料粘结炸药残余应力测试方法研究

本文介绍了残余应力产生的原因及其对材料性能的影响,以及塑料粘结炸药药柱内应力的产生与预防;分析了目前在这领域最有应用前景的三种残余应力无损检测方法与技术;介绍了塑料粘结炸药残余应力测试的最新研究进展.     

Ce~(3 ) 激活的氟化物磷光体的基质结构与光谱特性

研究总结了Ｃｅ３＋激活的氟化物磷光体的基质结构和这类磷光体的吸收光谱、激发光谱、反射光谱等典型光谱的特性，并探讨了其基质结构与光谱特性的关系，将为探索和设计新型Ｃｅ３＋的可调谐激光晶体材料和高效发光材料提供实验和理论依据。     

纳米级SiO2粒子对HDPE增强增韧研究

探讨了纳米级SiO2粒子增韧、增强HDPE机理，研究了纳米级SiO2与普通超细SiO2用量对HDPE力学性能的影响，实验结果表明：纳米级SiO2用量为6％－10％时体闰伸强度、冲击强度都有明显提高，起到增韧、增强的双重效果，普通超细SiO2填充HDPE基本未见增韧效果，同时，随着普通SiO2用量的增加，体系的拉伸强度和断裂伸长率明显下降。     

纳米孔阵列阳极氧化铝膜的制备与形貌观测

报道了用阳极氧化法在高纯铝片上制备含有纳米孔阵列的阳极氧化名膜技术，并用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对样品形貌进行了分析。结果表明，阳极氧化处理后的铝片明显地分成了未反应的铝、阻挡层氧化铝和多孔层氧化铝3层结构，且阻挡层处在铝和多孔层之间，具有弧形底部。多孔层氧化铝中孔的大小约为50nm，孔间距约为100nm，且这些孔有规律地排列形成纳米孔阵列。     

无机纳米粒子填充改性聚合物的研究进展

无机纳米粒子改性的聚合物复合材料综合了无机、有机、纳米材料的优良特性 ,在许多领域具有广阔的应用前景 .概述了纳米粒子的结构、特性及表面处理方法、无机纳米粒子与聚合物复合材料的制备方法以及国内外无机纳米粒子对聚合物改性 ,尤其是增强增韧的应用成果进展及改性机理 ,指出了纳米粒子改性聚合物的发展前景与方向