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51.
杨丽  高俊宇  张承东 《科技信息》2012,(20):52+55-52,55
微格教学已在师范院校培养师范生的教学能力的实践中得到普遍采用。本文对微格教学的认识以及现状、改革与发展进行了分析和研究,并提出了一些对策。对利用微格教学提高师范生的教学能力有一定的促进作用。  相似文献   
52.
传宇 《青年科学》2009,(10):24-24
据有关研究报告显示,利用一种技术可以使从大脑开始被切脊髓以使瘫痪老鼠重新奔跑起来,科学科家称这项技术也可适于人类。  相似文献   
53.
王建元  张博宇  杨小远 《河南科学》2011,29(12):1387-1397
研究了二重级数和累次级数收敛问题,提出了二重级数与累次级数收敛的判别法并给出了证明,在此基础上研究了二者之间的关系,丰富了级数基本理论.  相似文献   
54.
研究了一类由退化线性椭圆方程所支配的分布参数系统的最优控制问题.当退化点集为单点集时,利用正则化方法证明了系统广义解的存在唯一性,并得到了该分布参数系统最优控制的必要条件.  相似文献   
55.
近期新疆东天山冰川退缩及其对水资源影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
李开明  李忠勤  高闻宇  王林 《科学通报》2011,56(32):2708-2716
新疆东疆盆地属于资源性缺水地区. 流域内大部分河流的补给依赖于东天山高山区丰富的降水与冰川融水. 1981 年中日联合考察和2009 年中国科学院天山冰川站对该区博格达峰3 条冰川考察表明, 夏季消融强烈, 并有加速退缩趋势. 基于1962/1972 年地形图及近期的ASTER和SPOT5 遥感影像资料, 研究了博格达山脉203 条冰川和哈尔里克山75 条冰川的进退情况. 结果表明: 在1962~2006 年间博格达峰地区冰川面积减小了21.6%(0.49% a-1), 长度平均退缩181 m,冰储量减小了28%; 1972~2005 年间哈尔里克山冰川面积减小了10.5%(0.32% a-1), 长度平均退缩166 m, 冰储量减小了14%. 南坡冰川退缩快于北坡, 其中博格达山脉南北坡冰川面积分别减小了25.3%和16.9%, 哈尔里克山脉分别减小了12.3%和6.6%. 小于0.5 km2 的冰川退缩最为强烈,而大于2 km2 的冰川将会成为未来径流的主要贡献者. 东疆盆地水系的冰川消融总体呈增强趋势, 水资源处在不断恶化之中. 该地区坎儿井数量及其水量的锐减, 以及有无冰川补给河流径流量的显著变化均与上游冰川退缩有关, 未来将会对下游的乌鲁木齐市和吐鲁番盆地的水资源产生影响.  相似文献   
56.
研究了双辊薄带连铸条件下,1.2%Si无取向电工钢初始组织和析出物形貌及分布规律.结果表明,在1 550℃浇注条件下,铸带经过空冷后以粗大的原始铸态铁素体组织为主,也有一部分相变产生的细小晶粒,晶粒尺寸范围为50~400μm.铸带中析出物为AlN和MnS,其中AlN析出分为高温析出和相变析出两种,高温析出AlN尺寸在0.5μm左右,相变析出AlN尺寸则在100 nm左右,二者对再结晶组织影响不大.MnS在铸带成型和成品退火过程中都有析出,尺寸范围为30~40nm.  相似文献   
57.
利用ANSYS软件对磁流体-泡沫金属减振器的磁路进行数值模拟研究,对影响其性能的磁路级数及相邻两级线圈中电流流向的异同进行了分析.研究结果表明,相同条件下采用多级磁路较单级磁路具有较多的优点,并且多级磁路中相邻激励线圈绕向相反能够更好的改善磁路性能.本研究为磁流体-泡沫金属减振器的设计提供依据.  相似文献   
58.
利用热力模拟实验机及试验轧机研究了添加Ti,V的超纯中铬铁素体不锈钢热变形过程中的析出行为变化特点,并采用热动力学计算及透射电子显微镜观察来表征析出相特征.结果表明:热变形过程中形成的析出相主要为TiC,这与热动力学分析一致.这些析出相的特征与变形温度密切相关,随着变形温度的降低,析出相TiC尺寸更加细小且分布更加弥散.这主要是由于变形温度降低时扩散速率相对较低,不利于析出相长大,而晶体缺陷增加,形变诱导析出的有效形核位置增加.这一热变形过程中的析出行为变化规律在中试试验条件下得到了验证.  相似文献   
59.
某型航炮是武装直升机的主要攻击武器,自动化程度高,设计复杂,机构紧凑。气压缓冲器是某型航炮主要部件,其工作原理是利用气体腔内压强来减少活动件的后座冲量。通过对某型航炮气压缓冲器内腔压力分析,利用SolidWorks Simulation软件建立了气压缓冲器的工作模型,对气压缓冲器工作时的应力强度分析和位移变形量作出仿真,提出了结构优化设计方法。  相似文献   
60.
本文通过射频磁控反应溅射实现高质量的AlN绝缘栅层,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀出凹栅槽结构,将MIS结构和凹栅槽结构的优点相结合,研制成功AlGaN/GaN凹栅槽结构MIS HEMT器件,在提高器件栅控能力的同时,降低栅极漏电,提高击穿电压。器件栅长0.8μm,栅宽60μm,测得栅压为+5V时最大饱和输出电流为832mA/mm,最大跨导达到210mS/mm,栅压为-15V时栅极反向漏电为6nA/mm。  相似文献   
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