无掩模多束SPPs干涉光刻成像仿真软件研究

多束SPPs干涉光刻是一种可制作纳米尺度光子晶体器件的新型微加工方法,目前尚未见对多束SPPs干涉光刻过程进行模拟分析的专门软件.在分析SPPs激励和传输机理基础上,建立多束SPPs干涉成像模型,并采用VC和Matlab库函数混合编程编制了可计算多束SPPS干涉光刻成像的仿真软件.模拟和分析表明,该模型及软件计算准确、快速,达到预期效果,为实现无掩模SPPs干涉光刻全过程模拟和曝光实验研究的开展提供了技术支撑.     

电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质

以电子束直写光刻图形为模版,采用直流电沉积和数值模拟的方法,研究了镍纳米柱阵列图案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题.研究结果表明,在加速电压、曝光电流确定的条件下,电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决定,模版的孔径和孔距在10 nm量级精确可调.在纳米孔阵列模版中进行电沉积时,适当增大孔距,降低阴极电解电势,可以减小电沉积过程中相邻孔之间的相互干扰,提高电沉积的均匀性,从而为图案化磁记录介质的电沉积制备提供了一种新的方法.     

利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件

电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.     

激光微细加工在电子工业中的应用

从电子工业的角度出发,介绍激光微细加工的应用,包括：激光打标、细导线剥离、微透镜列阵、激光光刻、激光表面改性等,并综述了它们的研究现状和未来发展趋势。     

四大公司联手研发纳米光刻技术目标为线宽22纳米

著名的四大计算机芯片制造商将与纽约州合作，在今后5年内出资5亿美元，联合开发下一代计算机芯片光刻技术，研究线宽只有人头发丝10万分之一的集成电路。IBM、超微（AMD）、美光（Mi鄄cron）及德国英飞凌四家公司与纽约州日前宣布了这一计划。纽约州计划出资18亿美元，上述四家公司各出5000万美元，另外几家提供原料和设备的公司出资2亿美元。     

用非银盐感光材料制备彩虹片

用PVA-(NH4)2Cr2O7作为感光材料,利用光刻技术制得可用于灯饰的彩虹片,制品在水和稀酸以及其他家用洗涤剂溶液中良好的抗蚀能力,适合家庭装饰使用,由于使用非银盐材料而使得成本较低,工艺也较简单.     

纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究

对100kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1：1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1：1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.     

二十一世纪微电子光刻技术与设备的发展对策研究

微电子、集成电路的水平是国家地位和综合国力的重要标志。集成电路集成度的增长离不开生产和制作集成电路的光刻设备。本文重点介绍集成电路的制造技术的制作设备的最新发展状况，提出发展我国微电子光刻技术的建议。     

美开发出热蘸笔纳朱光刻技术

据美国物理学家组织网2011年11月7日报道，美国科学家首次厘清了温度在蘸笔纳米光刻技术中的作用，据此研制出的热蘸笔纳米光刻技术能在物质表面构造大小为20纳米的结构。