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专业分类

教育与普及

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2008年

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利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件

徐静波张海英王文新刘亮黎明付晓君牛洁斌叶甜春《科学通报》2008,53(5):593-597

电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础. 相似文献