| 利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件 |
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| 引用本文： | 徐静波,张海英,王文新,刘亮,黎明,付晓君,牛洁斌,叶甜春.利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件[J].科学通报,2008,53(5):593-597. |
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| 作者姓名： | 徐静波 张海英 王文新 刘亮 黎明 付晓君 牛洁斌 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 北京100029(徐静波，张海英，刘亮，黎明，付晓君，牛洁斌，叶甜春)，中国科学院物理研究所 北京100080(王文新) |
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| 摘 要： | 电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
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| 关 键 词： | 电子束光刻 应变高电子迁移率晶体管 T型栅 电流增益截止频率 |
| 收稿时间： | 2007-09-24 |
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