高电压虚火花电子束的发射度和亮度测量

用脉冲线加速器作驱动电源 ,在充以 15Pa的氮气十隙虚火花放电室中获得电压为 2 0 0kV ,束流大于2kA的高亮度电子束 .用罗格斯基线圈和多缝板与酸敏纸薄膜构成的发射度计 ,测出距阳极不同距离电子束的电流强度 ,发射度及亮度 .电子束亮度在阳极附近最大达到 2 7× 10 12 A/(mrad) 2 ,在距阳极 16cm处仍高于 10 10 A/(mrad) 2 .     

Design and fabrication of superconducting HEB mixer

This paper describes the design and fabrication of superconducting hot electron bolometer （HEB） mixer based on ultra-thin superconducting NbN films. The high quality films were epitaxially grown on high resistance Si substrates. The device was fabricated by magnetron sputtering, electron beam lithography （EBL）, reactive ion etching （RIE）, lithography, and so on. The device＇s resistance-temperature （R-T） curves and current-voltage （I-V） curves were studied. The results of THz response of the device are presented. Y-factor technique was used to measure the device＇s noise temperature. When the device was irradiated with a laser radiation of 2.5 THz, the obtained lowest noise temperature of the device was 2213 K.     

Detection of infrared photons with a superconductor

A superconductor single photon detector based on NbN nanowire was fabricated using electron beam lithography （EBL） and reactive ion etching （RIE） for infrared photon detection. When biased well below its critical current at 4.2 K, NbN nanowire is very sensitive to the incident photons. Typical telecommunication photons with a wavelength of 1550 nm were detected by this detector. Data analysis indicates the repeating rate of the device with 200 nm NbN nanowire may be up to 100 MHz, and the quantum efficiency is about 0,01% when biased at 0.95/c.     

无掩模多束SPPs干涉光刻成像仿真软件研究

多束SPPs干涉光刻是一种可制作纳米尺度光子晶体器件的新型微加工方法,目前尚未见对多束SPPs干涉光刻过程进行模拟分析的专门软件.在分析SPPs激励和传输机理基础上,建立多束SPPs干涉成像模型,并采用VC和Matlab库函数混合编程编制了可计算多束SPPS干涉光刻成像的仿真软件.模拟和分析表明,该模型及软件计算准确、快速,达到预期效果,为实现无掩模SPPs干涉光刻全过程模拟和曝光实验研究的开展提供了技术支撑.     

射频磁控溅射和电子束蒸发制备ZnO薄膜特性的比较

利用射频磁控溅射(Radio frequency-magnetro sputtering,RF-MS)和电子束蒸发(Electron beam evaporation,E-BE)方法制备ZnO薄膜,并对两种方法制备的薄膜在400、450和500℃退火后的微观结构、光学与电学性能进行比较.结果表明,RF-MS比E-BE制备的ZnO薄膜的晶粒细小且均匀,表面粗糙度小.两种方法制备的ZnO薄膜的平均透光率均大于80%,且随温度升高均表现出禁带宽度变小以及在380 nm附近出现近带边发射和绿光发射现象.此外,E-BE比RF-MS制备的ZnO薄膜的电阻率小.     

面向心血管应用的电子束蒸发氧化钛薄膜的特性——润湿性与血液相容性

用电子束蒸发的方法在钛盘上沉积氧化钛薄膜以检验其在心血管支架方面的应用.用接触角仪测定水滴在所制备氧化钛薄膜表面的接触角,随着沉积过程中氧气流量的增加,薄膜的接触角不断降低,经过热处理后薄膜的亲水性得到了增强.通过观察猪主动脉平滑肌细胞(PASMC)在样品表面的生长行为,研究薄膜的结构与细胞活性的关系.结果表明,覆有薄膜的钛盘具有更好的生物相容性,而沉积后的热处理能够进一步改善氧化钛薄膜的生物相容性.通过观察血小板的吸附行为研究薄膜的血液相容性,发现在所制备的氧化钛薄膜上吸附了极少的血小板.研究结果表明,用电子束蒸发制备的氧化钛薄膜能够用于心血管支架的表面改性.     

电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质

以电子束直写光刻图形为模版,采用直流电沉积和数值模拟的方法,研究了镍纳米柱阵列图案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题.研究结果表明,在加速电压、曝光电流确定的条件下,电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决定,模版的孔径和孔距在10 nm量级精确可调.在纳米孔阵列模版中进行电沉积时,适当增大孔距,降低阴极电解电势,可以减小电沉积过程中相邻孔之间的相互干扰,提高电沉积的均匀性,从而为图案化磁记录介质的电沉积制备提供了一种新的方法.     

Monte Carlo模拟电子在球壳模型中的能量沉积分布

高能电子和物质相互作用是一个级联簇射（shower) 物理过程。空间飞行器防护系统就是利用这一原理,通过宇宙中的电子在飞行器中产生的shower电子,来了解其中半导体器件的有关信息。该文利用Monte Carlo,采用PENELOPE（Penetration and Energy Loss of Positrons and Electrons)软件包,对电子在飞行器中的运动过程进行模拟,给出球壳和半导体材料中的能量沉积分布,为空间飞行器的防护提供了理论依据。     

利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件

电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.     

激光微细加工在电子工业中的应用

从电子工业的角度出发,介绍激光微细加工的应用,包括：激光打标、细导线剥离、微透镜列阵、激光光刻、激光表面改性等,并综述了它们的研究现状和未来发展趋势。