GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学常数的研究

本文报导了利用椭圆偏振光谱法对掺硼和未掺杂的GDa—Si_xCi(1-x):H薄膜在可见光范围内光学常数的测温结果。实验发现,折射率n与波长的关系,在5000A°附近有一光滑的峰,n值随碳含量的增加而下降;电介质常数的虚部ε_2对光子能量的关系也有一光滑的峰出现,峰值随碳含量的增加而下降.本文对这些结果进行了初步讨论。     

掺Mn的硫系玻璃半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)的电流—电压特性

本文主要报导我们对掺Mn的As_(35)Te_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流——电压特性,包括在≤6.5×10~3v/cm的弱场下所观察到的欧姆行为,以及在强场下log I～V~(1/2)曲线的直线关系,并用类受主中心的场发射空穴原理,对强场特性作了说明。     

硫族化合物非晶态半导体As_(35)Te_(55)si_(10)掺Mn和Cu的ESR特性

本文研究了非晶态半导体As_(35) Te_(55) Si_(10)中M~(2 )和Cu~(2 )离子的电子自旋共振吸收谱。结果表明:对Mn~(2 ),g=2的吸收峰主要起因于相分凝的Mn-Te群聚,g4.3的吸收峰起因于 Mn~(2 ); Cu~(2 )在该材料中引起了 g=2.113的吸收峰,随Cu量的增大,峰宽△H变宽。     

退火冷却速率对a—Si_(1-x)Ge_x:H薄膜电导的影响

本文比较全面地研究了退火冷却(即热淬火)对反应溅射a—si_1_rGe_x:H薄膜电导的影响,测量了热淬火态引起的热诱导电导.结果表明:电导的改变强烈地依赖于热历史:热诱导电导向平衡态的弛豫过程遵从指数衰减规律;弛豫时间是热激活式的.     

射频反应溅射a—Ge_(1-x)C_x∶H薄膜的红外谱分析

a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太阳电池来说,其关键之一是要获得一种具有高光敏性且 Eopt 小于1.5eV 的窄带隙底部电池材料。目前人们是把 Ge 或 Sn 掺入 a-si∶H 中,获得了窄带隙材料 a Si_(1-x)     

薄膜太阳电池的最新发展——出席第五届国际光伏科学与工程会议

本文介绍了第五届国际光伏科学与工程会议概况及薄膜太阳电池的最新数据,其中包括单结和多结非晶硅电池、多晶CuInSe_2、CdTe电池、薄膜多晶硅和单晶GaAs电池性能。     

退火对C60膜结构及PPC效应的影响

研究了退火前后Ｃ６０膜的ＰＰＣ效应。结果表明，随着高温退火温度的升高，Ｃ６０膜的结果由非晶相向多晶相转变，同时其ＰＰＣ效应减弱，基于以上实验事实，对上述结果给出了合理的理论解释。     

BCN薄膜的结构及其内应力研究

用射频反应溅射法制备出BCN薄膜。X射线衍射和傅立叶红外吸收光谱量发现样品的组成原子之间实现了原子级化合，样品与Si衬底之间存在较大的应力。样品剥落后，应力的消除使红外吸收峰位向低波数移动。实际还发现，衬底材料对样品中的压应力影响很大，压应力的释放与衬底密切相关：在硅衬底上呈枫叶状隆起，在石英衬底上样品呈周期性的拆线状隆起。     

弹性分组环技术与应用研究

弹性分组环(RPR)是一种新兴的城域网技术.本文重点阐述了RPR的几项关键技术,简要介绍了弹性分组环技术目前在国内城域网建设中的一些应用.     

ia-Si∶H/n~+C-Si异质结稳态和瞬态特性研究

本文报导具有良好稳态与瞬态特性的 ia—Si∶H/n~(+C)—Si 异质结二极管.在2V 偏压时稳态整流比大于10~8,最大电流密度达2.5A/cm~2.击穿电压大于13V,质量因子约为1.65.在0.1MHz 时.输出特性同步响应输入特性.9100pf 电容负载的充电时间小于0.5μs.