12 kJ等离子体焦点中子源

研制了一台脱离真空机组和充氘系统的12 kJ紧凑型密封等离子体焦点中子源, 在520 Pa最佳工作氘气压力下, 中子产额为(1.4 ± 0.39)×10⁹ (D-D)中子/脉冲. 采用ANSYS软件对DPF中子管内阴阳电极间隙的场分布进行了模拟, 并采用激光干涉法对阳极端部的等离子体鞘运动过程进行了诊断. 最终研制的密封等离子体焦点中子源具有稳定运行时间长、产额高、放电次数多、体积小且易于维护等优点.     

射频溅射两步法制备立方氮化硼（c—BN）薄膜

用常规射频(RF)溅射系统，采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c—BN)薄膜。沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步，当由第一步变为第二步时，工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体，衬底温度和偏压也降为较低的值。对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析，对最后沉积的薄膜进行了XPS分析。结果表明：采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c—BN薄膜内应力较之常规方法减小约11．3GPa，薄膜的B、N原子之比为1．01，c—BN的体积分数为88％，薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象。文中还讨论了c—BN薄膜的综合生长机制。     

富水、偏压、软弱地层隧道动态设计实践

本文结合浦南高速公路葫芦丘隧道出口富水、偏压、软弱围岩地段施工实践,详细阐述了对富水、偏压、软弱围岩隧道进行连续的监控量测和动态设计是确保隧道施工安全和结构安全的有效手段.     

电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。     

立方氮化硼薄膜的织构生长

立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率、抗辐射电子器     

CNX薄膜的PCVD制备及研究

ＣＮＸ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法，制备了含氮量的２１ａｔ％的ＣＮＸ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜听屡元素主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ＝Ｂ，Ｃ－Ｎ键的形成与碳结合。     

用场效应法研究GD-a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜的隙态密度

利用场效应法测得了 GD—a—SixCl一x∶H 膜的 ID～VG 曲线,得到了 N(E)～E 关系,对这些实验结果进行了初步的讨论.     

非晶硅太阳电池中缓变P-I异质结的光、热稳定性的研究

本文通过测量CP—I和GB—I异质结光照前、后以及在不同温度下的I—V和C—V特性,研究了光诱导和热诱导缺陷态对两种结的光稳定性和热稳定性的影响。结果表明,GBP—I结改进了P—I结的界面特性,但都明显地受到强光和高温的影响,使结特性退化。     

空间环境下Insb晶体的生长

最近,我国首次利用返回式卫星进行太空微重力环境下的材料加工技术试验,我们进行了掺 Zn 的 Insb 晶体的重熔和再结晶的试验,取得了初步结果,现作一简单的报告。首先把掺 Zn 的 Iasb 切出5cm长,在10~(-5)托真空度下封入石英管内,然后装在多用途炉内,在太空中沿晶体<111>方向进行重熔。经0.5小时升温达到 Insb 熔点,在熔点持     

非晶态固体形成的能力

非晶态固体的形成理论是非晶态物理的一个重要研究方面,它在指导获得优质的非晶态材料方面有着重要的意义.本文根据Turnbull和Uhlmann的结晶理论,再考虑σ=0.32△H_m和η=Aexp[B/R (T-T_0)]可得出晶体的成核率I和生长率u为: