射频溅射制备α－Ge／SiO2多层膜

射频溅射制备α－Ｇｅ／ＳｉＯ２多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清（兰州大学物理系，兰州７３００００）由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性，α－Ｇｅ和α－ＳｉＯ２得到了深入的研究［１，２］．近年来，用共溅射的方法制备的Ｇｅ／ＳｉＯ２纳米材料由...     

硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究

硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究①姚江宏彭军王永谦陈光华②（兰州大学物理系，兰州７３００００）Ｃ６０的发现［１］及采用简单方法大量制备的成功［２］，在物理、化学及材料科学等领域引起了人们极大兴趣和关注．考虑到Ｃ６０具有半导体性质，经过掺杂，...     

溅射a—GeCNx：H薄膜的红外和拉曼特性

本文首次报道了用溅射反应法制备的ａ－ＧｅＣＮｘ：Ｈ薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性，并观测到因掺碳引起的新的Ｎ－ＣＨｎ的红外吸收峰。     

GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学常数的研究

本文报导了利用椭圆偏振光谱法对掺硼和未掺杂的GDa—Si_xCi(1-x):H薄膜在可见光范围内光学常数的测温结果。实验发现,折射率n与波长的关系,在5000A°附近有一光滑的峰,n值随碳含量的增加而下降;电介质常数的虚部ε_2对光子能量的关系也有一光滑的峰出现,峰值随碳含量的增加而下降.本文对这些结果进行了初步讨论。     

退火冷却速率对a—Si_(1-x)Ge_x:H薄膜电导的影响

本文比较全面地研究了退火冷却(即热淬火)对反应溅射a—si_1_rGe_x:H薄膜电导的影响,测量了热淬火态引起的热诱导电导.结果表明:电导的改变强烈地依赖于热历史:热诱导电导向平衡态的弛豫过程遵从指数衰减规律;弛豫时间是热激活式的.     

掺Mn的硫系玻璃半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)的电流—电压特性

本文主要报导我们对掺Mn的As_(35)Te_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流——电压特性,包括在≤6.5×10~3v/cm的弱场下所观察到的欧姆行为,以及在强场下log I～V~(1/2)曲线的直线关系,并用类受主中心的场发射空穴原理,对强场特性作了说明。     

硫族化合物非晶态半导体As_(35)Te_(55)si_(10)掺Mn和Cu的ESR特性

本文研究了非晶态半导体As_(35) Te_(55) Si_(10)中M~(2 )和Cu~(2 )离子的电子自旋共振吸收谱。结果表明:对Mn~(2 ),g=2的吸收峰主要起因于相分凝的Mn-Te群聚,g4.3的吸收峰起因于 Mn~(2 ); Cu~(2 )在该材料中引起了 g=2.113的吸收峰,随Cu量的增大,峰宽△H变宽。     

创新驱动发展战略下中小企业创新效率研究

中小企业量大面广,是中国经济结构转型升级的重点和难点,中小企业创新发展关系到中国创新驱动发展战略的成功实施。采用Bootstrap-DEA方法和Tobit模型对中小企业创新效率和影响因素进行了分析,并基于企业生命周期分阶段进行了效率测算,从微观层面深度剖析中小企业创新存在的问题和原因。结论表明,中小企业创新效率整体偏低,企业稳定期的技术效率和纯技术效率最高,初创期和稳定期效率差距较小;政府资助与企业利润对创新效率有显著促进作用,企业规模与创新效率呈显著负相关,劳动者素质的作用不明显。最后,从企业、行业和政府角度提出了相关的政策建议。     

薄膜太阳电池的最新发展——出席第五届国际光伏科学与工程会议

本文介绍了第五届国际光伏科学与工程会议概况及薄膜太阳电池的最新数据,其中包括单结和多结非晶硅电池、多晶CuInSe_2、CdTe电池、薄膜多晶硅和单晶GaAs电池性能。