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| 掺Mn的硫系玻璃半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)的电流—电压特性 | |
| 引用本文： | 陈光华,王印月,张仿清.掺Mn的硫系玻璃半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)的电流—电压特性[J].兰州大学学报(自然科学版),1981(1). |
| 作者姓名： | 陈光华 王印月 张仿清 |
| 摘 要： | 本文主要报导我们对掺Mn的As_(35)Te_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流——电压特性,包括在≤6.5×10~3v/cm的弱场下所观察到的欧姆行为,以及在强场下log I～V~(1/2)曲线的直线关系,并用类受主中心的场发射空穴原理,对强场特性作了说明。 |
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