几种国产盘形悬式绝缘子链放电性能的比较

在本文中研究了我国三个主要电瓷厂所生产的五种绝缘子链的工频干闪电压,冲击放电电压 及冲击伏秒特性。绝缘链元件个数为６－７个。（由於设备参数限制只做４个元件的冲击伏秒特 性）。通过实验确定了五种绝缘子链的放电梯度,其中数ＸＱ－４．５型的电梯度最高,它的冲击 放电梯度达７．１仟伏／公分,工频湿闪梯度达１．３７仟伏／公分。П－４．５型绝缘子虽尺寸大但湿 闪梯度却不高,认为为了提高放电梯度在缩短п４．５型绝缘子结构高度的同时,应增长裙下漏 距离。 由伏秒特性看到增多棱数将使绝缘子正负冲击伏秒特性区别增大,且棱多时负特性在正特性 之上,反之负特性在正特性之下,不过二者十分接近。 在实验中发现各厂生产的绝缘子的放电电压值有出入,即使同厂家制造的同一型号的绝缘子 的放电电压值也有很大分散性,估计主要由於表面状态的影响。     

γ‘—Fe4N制备的穆斯堡尔谱研究

在ＮＨ３／Ｈ２气氛下热处理草酸亚铁的结果表明氮化物的形成和氮化物间的相转变是有条件的。在众多的影响产物的工艺因素中，热处理温度和ＮＨ３／Ｈ２的气流比是影响γ］－Ｆｅ４Ｎ形成的两个最关键因素。为了获得单相的γ＇－Ｆｅ４Ｎ，除热处理温度要在５５０－６５０℃附近外，ＮＨ３／Ｈ２的比最好应小于１：１。     

在直拉法尖晶石上外延硅膜的研制

本文叙述了在直拉法生长的尖晶石上外延硅膜的制备与性质。已在直拉法尖晶石 （１００）面衬底上生长出一批电学性能较好的Ｎ型单晶硅膜，并进行了热氧化稳定性试 验，Ｎ型掺杂的硅膜其霍尔迁移率一般在３００厘米２／伏·秒左右．最高达３８０厘米２／伏 ·秒。载流子浓度控制在 １０１５～１０１６／厘米３硅膜厚度在 １—２微米。     

γ′－Fe4N制备的穆斯堡尔谱研究

在ＮＨ３／Ｈ２气氛下热处理草酸亚铁的结果表明氮化物的形成和氮化物间的相转变是有条件的．在众多的影响产物的工艺因素中，热处理温度和ＮＨ３／Ｈ２的气流比是影响γ′－Ｆｅ４Ｎ形成的两个最关键因素．为了获得单相的γ′－Ｆｅ４Ｎ，除热处理温度要在５５０～６５０℃附近外，ＮＨ３／Ｈ２的比最好应小于１∶１．     

QDTA/T/EGD/GC在线联用技术 ⅩⅡ.倍半氧化羧乙基锗(Ge-132)热分解反应历程的研究

应用ＤＴＡ／Ｔ／ＥＧＤ／ＧＣ在线联用技术，对倍半氧化羧乙基锗（Ｇｅ－１３２）在Ｎ２气氛中的热分解反应历程（室温～９８０℃）进行了研究。依据ＤＴＡ／Ｔ／ＥＧＤ／ＧＣ提供的信息，分别对２２０℃、３５０℃、６５０℃、８００℃、９００℃、９８０℃等反应温度下的热分解残物，应用ＸＲＤ仪进行了物相鉴定，并测定了Ｇｅ－１３２在Ｎ２气氛中（室温～９３０℃）的ＴＧ／ＤＴＧ曲线。对ＤＴＡ曲线上显示的五个吸热效应和一个放热效应的性质作出了判断和验证，并对该热分解反应中逸出气的组成演变、残物中的Ｇｅ和ＧｅＯ２晶相的析出以及ＧｅＯ２在高温下转化为Ｇｅ的反应历程进行了探讨。     

高温时效对9CrlMoNbV钢焊接接头的影响

研究了焊后和高温时效后９ＣｒｌＭｏＮｂＶ钢焊接接头的微观组织、显微硬度和拉伸性能．在６５０℃以下时效，焊缝、ＨＡＺ和母材微观组织中的马氏体板条形貌保持稳定；在６５０℃以下时效１００～１６０ｈ，由于９ＣｒｌＭｏＮｂＶ钢焊接接头的微观组织的稳定性，使焊接接头显微硬度和拉伸机械性能没有明显变化，焊接接头具有良好的高温时效性能。     

~（238）U裂变率测量中~（235）U裂变的修正

叙述了一种用２３５Ｕ裂变室和２３８Ｕ裂变室在反应堆中同一位置上分别测量裂变率，并由此对２３８Ｕ裂变室所测量的裂变率进行修正的方法及其原理。用这种方法对石墨球床堆中２３８Ｕ裂变率测量结果进行了修正。修正结果与用包镉裂变室测量结果一致性很好。     

氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响

通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃,１．５ｈ后急冷热处理,研究了硅中氧、氮、磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响．实验结果表明,普通氩气氛下直拉单晶硅（ＡＣＺＳｉ）高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅（ＦＺＳｉ）的１／３左右．在含氮气氛下直拉硅（ＮＣＺＳｉ）中,氮含量为４．５×１０１５ｃｍ－３的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的１／３,重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多．     

310SS在SO2-S2-N2气氛中高温腐蚀行为

研究了３１０ＳＳ（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）在５５０－６５０℃、常压下、０．５％ＳＯ２－Ｓ２－２．０％Ｎ２及６００℃、常压下、２．３％ＳＯ２－Ｓ２－８８．８％Ｎ２条件下高温氧化－硫化行为。ＳＥＭ／ＥＤＸ、ＸＲＤ等技术对腐蚀产物形貌及腐蚀层结构观察、分析表明,３１０ＳＳ的腐蚀速率温度升高而升高;当温度相同时,气氛中Ｖ（Ｓ２）／Ｖ（ＳＯ２）升高时,腐蚀速率也升高,但变化不大。主要腐蚀可分为３层：     

碳布增强SiC／c新型共烧结合金的研究Ⅰ

为改善碳／碳复合材料的高温抗氧性能，在碳布／液体酚醛中引入超细碳化硅粉进行复呈，关工无氧条件下高温烧结，初步制成了碳布增强ＳｉＣ／Ｃ新型共烧结合金材料。热分析测度表明，该新型材料在９００℃高温下的热失重率比常规的碳／碳复合材料降低数１０倍。     

8MeV中子诱发^235U裂变20个产物产额的测定

用ＨＰＧｅ直接γ射线能谱法绝对测定热中子和８ＭｅＶ中子诱发＾２３５Ｕ裂变的２０个产物的产额。其中１９个是链产额，１个是独立额。绝对裂变率是用双裂变室测定的，并测定＾１９８Ａｕγ射线的活度检验裂变测定的可靠性。     

面心立方萤石结构Ce1—xTbxO2—δ固溶体的氧缺欠研究

以热重量法研究了Ｃｅ１－ｘＴｂｘＯ２－δ（ｘ＝０．３，０．４，０．５）的缺氧分数δ。发现δ值随组成、环境氧分压和温度的不同在０．０６－０．４范围内变化。样品ＣＴ３０和ＣＴ５０于６５０℃以上温度在空气中失氧形成氧空位的反应焓经估算分别为３６．０和４０．６ＫＪ／ｍｏｌ。     

在CTMAC存在下镓与邻苯二酚紫显以反应的分光光度研究

在ＣＴＭＡＣ存在下，探讨镓与邻苯二酚紫的显色反应，研究了镓－邻苯二酚紫－ＣＴＭＡＣ显色体系的最佳条件。体系的最大吸收波长为６５０ｎｍ，表观摩尔吸光系数ε６５０＝１．０５×１０＾５Ｌ／ｍｏｌ．ｃｍ。在０．１５－２６μｇ镓／２５ｍＬ符合比耳定律。     

类水滑石衍生镁铁混合氧化物的催化性能

采用共沉淀法合成镁铁类水滑石，以其为前体，制备了镁铁混合氧化物，并对样品进行Ｘ射线衍射分析，差热分析及比表面积测定，研究其对逆水煤气变换反应的催化性能，结果表明：催化剂前体具有类水滑石的层状结构，衍生得到的Ｍｇ／Ｆｅ（ｍｏｌ／ｍｏｌ）为１的混合氧化物在温度为６５０℃，ＣＬ２／Ｈ２（ｍｏｌ／ｍｏｌ）为４／１，Ｈ２空速为２８５０ｈ＾－１时催化性能最好，Ｈ２的转化率为７１．５％，ＣＯ的选择性近乎１００％     

PZT薄膜的相转变与晶格参数的研究

研究Ｓｏｌ－ｇｅｌ制备ＰＺＴ薄膜材料相结构与晶格参数,研究ＰＺＴ薄膜相变、衬底与温度关系和不同Ｚｒ／Ｔｉ比Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１－ｘ）Ｏ３（ｘ＝０．２～０．８）。结果表明：ＰＺＴ薄膜从烧绿石相向钙钛矿相转变的温度在Ｐｔ衬底上为６００℃,在不锈钢上为６５０℃。ＰＺＴ铁电体薄膜的晶格参数和晶格畸变随Ｚｒ／Ｔｉ比的不同而变化;在铁电四方相区,随Ｚｒ含量增加,ａ＝ｂ轴逐渐增大,ｃ轴稍有缩短,四方晶系发生畸变;     

高温气冷堆包覆燃料颗粒破损率研究

包覆燃料颗粒是高温气冷堆燃料元件的关键组成部分，是阻挡放射性裂变产物释放的主要屏障。包覆燃料颗粒的破损率是一项直接影响高温气冷堆运行安全特性的重要质量监控指标。采用燃烧－硝酸浸取法（在 ８５０ ℃空气中灼烧， ９ｈ； ９０ ℃， ７ｍｏｌ／Ｌ ＨＮＯ３， １０ｈ）对包覆燃料颗粒的破损率进行了测试研究。制定了测试流程，给出包覆燃料颗粒的自由铀含量与浸取时间的关系曲线，确定了最佳的试验温度、硝酸浓度和浸取时间等测试条件，并对６组包覆燃料颗粒破损率测试结果进行了分析讨论。     

Cr6Ni11Mn13MoTi奥氏体钢焊条的研究

研制了一种Ｃｒ６Ｎｉ１１Ｍｎ１３ＭｏＴｉ奥氏体钢焊条用于高温服役（４５０～６５０℃）的Ｃｒ－Ｍｏ钢构件的异种金属焊接。结果表明：其异质接头具有良好力学性能和抗氧化性能,可以克服以往的异质接头服役过程中因碳迁移而导致的提前失效问题。     

长英质麻粒岩流变性质的实验研究

在温度为６５０～９００℃、围压为１１００ΜΡａ和应变率为１０－４～１０－７ｓ－１的条件下，对大陆下地壳组成中的一类重要岩石——长英质麻粒岩进行了流变实验。稳态流动力学参数符合幂函数流动律ε＝Ａｅｘｐ（Ｑｃ／ＲＴ）Δσｎ，其中Ａ＝０．２７ＭＰａ－３ｓ－１，Ｑｃ＝２８８ｋＪ／ｍｏｌ，ｎ＝３．０。该文将其外推到大陆下地壳变形环境下，讨论了下地壳的强度特征     

快速凝固Al—Fe—V—Si合金薄带微观结构的热稳定性

通过示差热分析，Ｘ射线衍射，能谱分析和透射电镜观察，研究了快速凝固Ａｌ－Ｆｅ－Ｖ－Ｓｉ合金薄带微观结构的热稳定性，结果表明，室温时已存在立方结构的α－Ａｌ１３（Ｆｅ，Ｖ）３Ｓｉ相，呈近球形弥散分布；加热时α粒子长大，但直到５１０℃／１００ｈ粒子粗化仍不明显。升温到６５０℃发生相转变，出现多边形θＡｌ２（Ｆｅ，Ｖ，Ｓｉ）六方结构相；而经６５０℃／２５ｈ处理后观察到长条形析出相，其成分近似为（Ａｌ，Ｓ     

束箔光谱研究的初步实验结果

引言离子束(能量从数百千电子伏到数十兆电子伏)透过薄箔(厚度数十微克/厘米~2)受激发光,曾因其所发射谱线极其丰富(从可见光、紫外光直到X射线区)而在六十年代受到广泛注意。由于束离子通过薄箔的时间(10~(-14)—10~(-15)秒)大大短于原子激发态的寿命(～10~(-8)秒),束箔光谱方法可与飞行时间技术相结合而用以测定激发态平均寿命。更