硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系

通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。     

硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究

推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式．通过薄硅片抗弯强度的测试实验，对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准，并研究了挠度、厚度比ω／δ与校准系数Ｋ的关系．结果表明，符合小挠度假设的范围是ω／δ≤１／７．     

硅片力学行为与表面损伤

研究了硅片力学行为与表面损伤的关系．结果表明，Ｍ２０金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹，研磨硅片在常温工艺中容易破碎，机械强度较低；在高温工艺中容易弯曲或翘曲，抗形变能力差．研磨后化腐３０μｍ左右可使强度提高１倍多，达到材质固有强度，高温弯曲度变化降到磨片的１／４～１／３．研磨片表面７～８μｍ的微腐也可使强度提高到材质强度的７０％～８０％，弯曲度变化降到磨片的１／２～２／３．     

圆片冲击法硅片强度测试中简支半径问题研究

分析了圆片冲击法硅片强度测试中简支半径对动载荷挠度及强度测试值的影响，实验求得直径50．8mm硅片抗弯强度测试值的校正系数为0．8．     

氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响

通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃,１．５ｈ后急冷热处理,研究了硅中氧、氮、磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响．实验结果表明,普通氩气氛下直拉单晶硅（ＡＣＺＳｉ）高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅（ＦＺＳｉ）的１／３左右．在含氮气氛下直拉硅（ＮＣＺＳｉ）中,氮含量为４．５×１０１５ｃｍ－３的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的１／３,重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多．