ZnO∶Ga和ZnO∶Co纳米结构双光子荧光特性

利用化学气相沉淀法(CVD),以Au为催化剂,在硅片衬底上制备出了纯ZnO与Ga掺杂ZnO和Co掺杂ZnO的纳米结构产物.对产物进行了物相分析与微观表征,并研究了双光子荧光特性.结果表明:样品均体现了较好的双光子光致发光性能;与纯ZnO纳米棒相比,Ga掺杂ZnO纳米棒在385nm波长处具有很强的紫外发射峰,在520nm波长处具有较强的绿光发射峰;Co掺杂ZnO纳米片在540nm波长处具有很强的绿光发射峰,在385nm波长处具有非常弱的紫外发射峰,且可见光发射强度增高.     

三氧化钼薄膜的制备及其光学性质研究(英文)

采用离子交换和化学沉淀法在玻璃基底表面成功合成了h-MoO3和α-MoO3薄膜.分别用XRD、SEM等手段对产物进行表征,通过荧光光谱和紫外可见光谱对MoO3薄膜的光学性质进行了详细的研究.结果表明:h-MoO3薄膜有两个荧光峰,分别位于440、630 nm;α-MoO3薄膜仅在440 nm处有一个荧光峰.440 nm处的荧光发射峰来自于MoO3的导带-价带电子跃迁,630 nm处的发射峰来源于h-MoO3薄膜中氧空穴的存在.所制备薄膜的光致变色研究表明,相对于α-MoO3薄膜来说,h-MoO3薄膜具有更好的光致变色响应,这与h-MoO3的特殊结构中的某些氧空穴和缺陷有关.     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si (100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365 nm和389 nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365 nm附近的紫外峰红移到373 nm,并且强度增强,而389 nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373 nm的发光峰强度减弱并蓝移到366 nm处,蓝光带强度减弱并红移到430 nm～475 nm处,并且出现了396 nm的近紫峰.     

硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性

采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.     

SDS的荧光光谱及其寿命

十二烷基硫酸钠(SDS)是一种重要的荧光增敏剂,对其荧光特性的研究具有重要应用价值.利用FLS920荧光光谱仪具体测量不同浓度SDS水溶液的荧光及寿命,发现SDS的荧光光谱有如下特征:低浓度时仅有一个荧光峰,在290～300 nm左右,浓度增大后在330 nm处出现第二个峰.第一荧光峰应由碳硫间氧原子激发产生;第二荧光峰则由与硫键合的氧原子激发产生.还对其衰减曲线进行拟合,计算了荧光平均寿命,发现SDS荧光平均寿命随浓度增加呈变大趋势,与330 nm处荧光峰相比,300 nm处荧光平均寿命较小.     

ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的光学性质

用微乳液法合成了ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶,并通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、荧光光谱等手段对产物的结构、尺寸、形貌、荧光特性进行了表征。结果表明,ZnS：Tb纳米晶的粒径为3nm,ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的粒径为5nm左右,这样就得出壳的厚度约为1nm。在ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的发射光谱上可以观察到有5个发射峰为460、489、544、584和620nm,分别对应ZnS基质的发光和Tb^3＋离子的^5D4→^7F6、^5D4→^7F5、^5D4→^7F4、^5D4→^7F3跃迁。     

稀土掺杂TiO_2基质发光特性

目的研究退火温度、薄膜层数等制备工艺对发光特性的影响。方法以钛酸丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备稀土Eu,Tb掺杂的TiO2发光干凝胶和薄膜,用紫外-可见荧光分光光度计进行表征。结果 Eu3+单掺样品,用545nm波长光激发时,在618nm处有较强的Eu3+的5D0→7F2跃迁的红光发射,其跃迁强度随着退火温度的升高先增强后减弱,600℃时达到最大值。另外,薄膜的跃迁强度随着薄膜层数的增加先增强再减弱,提拉速度为8cm/min时,19层膜的荧光强度最佳。结论 Eu,Tb共掺干凝胶,以251nm作为激发波长,发射光谱在370～520nm出现了很宽的谱带,谱带中435nm和469nm两个肩峰,认为该发射峰是Eu2+的4f→5d跃迁发射引起的,退火温度在850℃时蓝光发射最强。     

表面配体辅助CsPbBr3无机钙钛矿纳米片尺寸与 光学性能调控研究

采用高温热注射法,通过改变辛酸和辛胺等短链配体与油酸和油胺等长链配体的摩尔比X,制备CsPbBr_3无机钙钛矿纳米片.利用透射电子显微镜(TEM),X线衍射仪(XRD),紫外-可见分光光度计(UV)和荧光光度计(PL)对CsPbBr_3纳米片形貌、晶相和光学性能进行表征.分析发现改变X从0.33～0.65变化时,可以有效调控CsPbBr_3纳米片的横向尺寸在290～2 840 nm之间变化.CsPbBr_3纳米片对小于510 nm的光具有较强的吸收,并且横向尺寸越大,对应的吸收峰越高,同时在520 nm处表现出较窄的荧光发射峰,半高宽为17 nm.上述结果分析表明,通过改变短链配体与长链配体的摩尔比X能有效调控纳米片的尺寸,且大尺寸的CsPbBr_3无机钙钛矿纳米片在未来的光电探测器等器件领域具有重要应用前景.     

溅射法制备的ZnO薄膜的光发射

报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜，在514nm处观察到显著的单色绿光发射峰；且随着氧分压的增加，绿光发射峰的强度减弱．经真空中退火该发射峰增强；而在氧气中退火该发射峰强度减弱．该发射峰强度依赖于氧分压的事实表明：514nm绿光发射峰与ZnO薄膜中的氧空位缺密切相关，认为它来自于氧空位缺陷深施主能级上的电子到价带顶上的跃迁．     

氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法, 在n型（100）Si基底上沉积了不同厚度（54~124 nm）的纳米氮化硼（BN）薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角BN（h-BN）相(1 380 cm^-1和780 cm^-1)结构. 在超高真空系统中测量了不 同膜厚的场发射特性, 发现阈值电压随着厚度的增加而增大. 厚度为54 nm的BN薄膜样品阈 值电场为10 V/μm, 当外加电场为23 V/μm时, 最高发射电流为240 μA/cm². BN薄膜场发射F-N曲线表明, 在外加电场作用下, 电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.     

邻菲啰啉衍生物及其铕配合物的合成、表征及光物理性能

为改变铕配合物配体的结构,增强其紫外-可见吸收率,寻找红光效率更高的发光材料,以乙酰丙酮为第一配体,邻菲啰啉及其衍生物为第二配体,合成了5个稀土铕配合物,并进行了1H NMR、MS、IR、元素分析等表征,测定了目标配合物的紫外、荧光光谱和电化学性质.结果表明:随着第二配体共轭结构的变化,铕配合物在紫外区的吸收逐渐增强,荧光发射峰均约为612 nm,发光强度随配体共轭程度的增加而增大;电化学数据与铕配合物的发射波长相匹配,证明强紫外-可见吸收率配体的引入极大地提高了配合物发光效率.     

Experimental study on the in-plane thermal conductivity of Au nanofilms

The in-plane thermal conductivity of Au nanofilms with thickness of 23 nm, which are fabricated by the electron beam-physical vapor deposition method and a suspension technology, is experimentally measured at 80-300 K by a one-dimensional steady-state electrical heating method. Strong size effects are found on the measured nanofilm thermal conductivity. The Au nanofilm in-plane thermal conductivity is much less than that of the bulk material. With the increasing temperature, the nanofilm thermal conductivity increases. This is opposite to the temperature dependence of the bulk property. The Lorenz number of the Au nanofilms is about three times larger than the bulk value and decreases with the increasing temperature, which indicates the invalidity of the Wiedemann-Franz law for metallic nanofilms.     

Experimental study on the in-plane thermal conductivity of Au nanofilms

The in-plane thermal conductivity of Au nanofilms with thickness of 23 nm, which are fabricated by the electron beam-physical vapor deposition method and a suspension technology, is experimentally measured at 80-300 K by a one-dimensional steady-state electrical heating method. Strong size effects are found on the measured nanofilm thermal conductivity. The Au nanofilm in-plane thermal conductivity is much less than that of the bulk material. With the increasing temperature, the nanofilm thermal conductivity increases. This is opposite to the temperature dependence of the bulk property. The Lorenz number of the Au nanofilms is about three times larger than the bulk value and decreases with the increasing temperature, which indicates the invalidity of the Wiedemann-Franz law for metallic nanofilms.     

Nd~(3+)∶KLa(MoO_4)_2激光晶体的光谱特性分析

采用中频感应提拉法生长出了Nd3+∶KLa(MoO4)2单晶,测试其室温下非偏振吸收光谱、荧光发射光谱.805 nm处吸收峰半峰宽10 nm,吸收截面为3.74×10-20cm2.主荧光发射峰位于1 059.45 nm处,荧光寿命160.6μs.利用Judd-Ofelt理论计算出J-O强度参数Ωt(t=2,4,6)及自发辐射概率、荧光分支比、辐射寿命、荧光量子效率及受激发射截面等参数.     

CdS纳米颗粒对荧光染料光谱特性的影响

4-溴-1，8-萘酰亚胺包裹CdS纳米微粒后，它的紫外-可见光吸收光谱由348．28nm移动到349．79nm，并且吸收强度有明显的增加。在相同激发下（360nm），4-溴-1，8-萘酰亚胺-CdS纳米颗粒复合体的荧光光谱轮廓与4-溴-1，8-萘酰亚胺基本相同，但发光峰有“红移”，而且发光强度略有下降。在400nm激发下，4-溴-1，8-萘酰亚胺的发光峰在570．55nm；在330nm激发下，4-溴-1，8-萘酰亚胺-CdS纳米颗粒复合体的荧光峰在499．66nm。同时，4-溴-1，8-萘酰亚胺-CdS纳米颗粒复合体的荧光强度有所提高。     

发菜中红色蛋白的研究

研究发菜中一种红色蛋白(Rx)的分离纯化及其光谱学性质.采用超声法破碎发菜细胞,盐析法初步纯化藻胆蛋白,利用DEAE-DE52交换介质得到藻胆蛋白纯品;测定室温和低温(液氮)下的荧光激发光谱和发射光谱.Rx的吸收峰在520 nm,室温与低温下的荧光发射峰分别在625和630 nm,室温与低温下的荧光激发峰分别在615和610 nm,室温下,Rx在藻胆体中的荧光上升时间和荧光寿命分别为495和2 200 ps.结果表明,Rx既可以把它吸收的光能传递给藻蓝蛋白(PC),再经由PC传递给别藻蓝蛋白(APC),又可以直接将能量传递给APC.     

Two-photon absorption and frequency-upconversion properties of a new organic dye HMASPS

Two-photon absorption (TPA) and frequencyupconversion properties of a new upconversion laser dyetrans-4-[p-(N-hydroxyethyl-N-methyl-amino)styryl]-N-methylpyridinium toluene-p-sulfonate (abbreviated to HMASPS) were reported in this note. The linear absorption, TPA, single-photon induced fluorescence, TPA induced fluorescence and TPA induced upconverted lasing spectra of HMASPS solution in dimethyl formamide (abbreviated to DMF) were measured at room temperature. The red shift for the central wavelength of TPA induced fluorescence peak, which was compared with that of the single-photon induced fluorescence peak, and the blue shift for that of TPA induced upconverted lasing compared with that of TPA induced fluorescence, were explained by using re-absorption effect. TPA peak was at 930 nm. There is an 11 nm blue shift for two-photon energy of TPA peak compared with the linear absorption peak. The molecular TPA cross-section σ₂ ^9′ at 1064 nm was measured to be 6.0×10⁻⁴⁸ cm⁴ · s/photon by using the open aperture Z-scanning system. The highest upconversion efficiency was measured to be 8.4% at 1064 nm.     

射频磁控溅射制备SiO_2薄膜及性能表征

采用射频磁控溅射技术,制备4种不同溅射时间的SiO2薄膜.用XRD、PL、FTIR、UV-Vis等对薄膜的微结构、发光、红外吸收以及透、反射进行表征.结果表明:SiO2薄膜仍呈四方晶体结构,平均晶粒尺寸在17.39～19.92nm之间;在430nm附近出现了发光峰,在1049～1022cm-1之间出现了明显的红外吸收峰,且随着溅射时间的增加发生红移;在可见光范围内平均透射率大于85%.     

金属离子和变性剂对黄精凝集素Ⅱ构象与功能的影响

黄精凝集素II（Polygonatum cyrtonema Hua.Lectin II,PCLII)具有323nm的荧光发射峰和281．6nm的激发峰,其远紫外圆二色谱（CD谱）显示224nm负峰,分子中含有17．3％的α螺旋和45．8％的β折叠,在10mmol/L的SDS中,PCL II完全丧失兔红细胞凝集能力及促T－淋巴细胞有丝分裂活性,CD谱呈现双负峰的a螺旋构象,去除SDS后,则呈无规卷曲构象,此时,荧光发射峰红移而激发峰蓝移,PCL II仍完全失活,在EDTANa2溶液中,PCL II凝集红细胞能力及促淋巴细胞有丝分裂活性完全丧失,去除EDTA后,红细胞凝集活性完全恢复,但仍失去促淋巴细胞有丝分裂能力,PCL II二级结构变化不大,荧光光谱的变化表明微环境受到影响。     

Au纳米耦合结构表面等离激元的EELS分析

应用透射电子显微镜中电子能量损失谱仪(TEM-EELS),对电子束激发的单晶Au纳米线耦合结构及单晶/多晶纳米薄膜的表面等离激元(SPs)特征进行分析.结果表明:直径约为10 nm的两单晶Au纳米线平行耦合时,单根纳米线和耦合结构中均存在位于2.4 eV 的SPs共振,耦合结构中SPs的纵模数增加;单晶及多晶Au纳米薄膜在1.4 eV附近存在SPs模式,相较于单晶薄膜,多晶Au纳米薄膜的SPs共振峰位出现明显红移.