界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

单体接枝改性制备炭黑填充型天然橡胶复合材料

在炭黑(HAF)、天然(NR)胶乳为主的体系中，引入适当的单体(M)，利用单体对橡胶乳液接枝的同时，与炭黑表面发生接枝反应，实现其与橡胶大分子链通过化学键相连接，制备炭黑填充型天然橡胶复合材料(NR／HAF／M)，复合材料表现为良好的力学性能、动态力学性能及耐老化性能。     

氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法, 在n型（100）Si基底上沉积了不同厚度（54~124 nm）的纳米氮化硼（BN）薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角BN（h-BN）相(1 380 cm^-1和780 cm^-1)结构. 在超高真空系统中测量了不 同膜厚的场发射特性, 发现阈值电压随着厚度的增加而增大. 厚度为54 nm的BN薄膜样品阈 值电场为10 V/μm, 当外加电场为23 V/μm时, 最高发射电流为240 μA/cm². BN薄膜场发射F-N曲线表明, 在外加电场作用下, 电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.     

胶乳反应改性法制备炭黑填充型丁腈橡胶复合材料

在以丁腈橡胶(NBR)胶乳、炭黑(HAF)为主的体系中，通过引入适当的单体——甲基丙烯酸甲酯(MMA)或丙烯酸丁酯(BA)，利用单体对橡胶乳液的接枝，与HAF表面产生化学结合，从而改善了炭黑在橡胶中的分散性，加强了橡胶与炭黑之间的结合，制备出了具有优良力学性能和耐热性能的炭黑填充丁腈橡胶复合材料．文中还考察了NBR、HAF与单体的接枝效果，并对复合材料的力学性能、热性能及动态力学性能进行了研究，通过扫描电镜(SEM)探讨了复合材料的微观结构、