高精度的半导体光源驱动源

针对当前半导体光源的不稳定性，文章对现有的稳压电源进行改进，推出了一种用于光电实验中驱动半导体光源的高精度驱动电源，驱动电流调节范围为0—100mA，LED数码显示当前电流，电流波动达到极限（最后一位数字跳动1）。采用这种恒流源驱动，直接从驱动源上读取电流值，实验不仅方便直观，并且实验数据的一致性也可以得到保障，从根本上提高了半导体光源的精度和稳定性。     

阳极真空弧沉积装置及弧特性初步诊断

介绍一种新的真空弧沉积实验装置。在１５～４０Ａ的电流范围内，对Ａ１弧等离子体的特性进行了初步诊断。在２５Ａ弧电流下，电子温度为０．４～０．８ｅＶ，电子浓度为１０１５～１０１７ｍ－３。     

全致密和非全致密3Y－TZP的高温塑性形变行为

在１２５０～１４５５℃温度下于空气中对全致密和非全致密（相对密度为０．９５）的两种微晶的摩尔分数为０．０３的Ｙ２Ｏ３稳定四方氧化锆多晶体的高温压缩塑性形变行为进行了研究。结果表明，这两种材料形变的主要机理都是通过扩散适应的晶界滑移。非全致密的３Ｙ－ＴＺＰ的流动应力低于全致密的３Ｙ－ＴＺＰ的流动应力，但两种材料的应力指数和蠕变活化能相似。非全致密的３Ｙ－ＴＺＰ在形变过程中发生致密化，且经过１３５０℃以上的温度压缩形变，可以得到全致密的材料。     

一种高压电子式互感器腔体内温度测量方法

针对高压电子式电流和电压互感器腔体内温度测量困难的问题，设计了一种F—P温度传感器及解调方案。采用铜管和端面镀膜的光纤制作F-P传感器，白光光源经过腔长受温度调制的F—P传感器选频后，用平面光栅和线阵CCD实现光波波长的解调。对F-P传感器的结构以及解调系统的光路行了设计分析，并进行了实验验证。系统结构简单，精度和可靠性高，可以很好地满足高压电子式互感器输出信号温度补偿的需要。     

中心负剪切模式中的电子回旋波电流驱动

根据中心负剪切模式中的等离子体温度分布和安全因子分布，通过将波迹方程与Fokker—P]anck方程联合进行求解，对中心负剪切模式中的电子回旋波电流驱动进行了计算．结果表明：在中心负剪切运行模式中，驱动电流大有较宽的分布，改变平行折射率可以控制波功率在等离子体中的沉积位置以及驱动电流分布的位置．     

光纤液位仪发射-接收机设计

基于光弹效应，研制了ＩＭ８５－Ⅰ 型光纤液位仪。其传感器内采用光桥式补偿光路，可以克服各种外界因素对测量产生的不利影响。根据补偿结构的要求，其发射－接收机采用双光源交替发光，双探测器同时探测的工作方式。但光源光谱稳定性和光电探测器光电转换的线性对测量结果都会有影响．分析表明：选择发光二极管作光源，硅ＰＩＮ管作探测器．采用Ⅰ－Ｖ光电转换方式，可以满足没计要求。仪器的精度为０．２％．     

Y1—xGdxBa2Cu3O7—δ超导体的磁场烧结致各向异性

在磁场下（Ｈ＝１．３Ｔ）烧结得到的Ｙ１－ｘＧｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ）（ｘ＝０～１．０）系超导体表现出明显的电阻率ρ超导转变零电阻温度Ｔｃｆ和临界电流Ｊｃ各向异性，样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大８％～７０％，零电阻温度Ｔｃｆ∥比Ｔｃｆ┴大１．０～５．０临界电流Ｊｃ比Ｊｃ大９％～７３％，而且在外磁场（Ｈｔ＝２．０Ｔ）下测得的临界电流Ｊｃ随外扬Ｈｔ与烧结磁场     

Y_（1－x）Gd_xBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体的磁场烧结致各向异性

在磁场下（Ｈ＝１．３Ｔ）烧结得到的Ｙ１－ｘＧｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０～１．０）系超导体表现出明显的电阻率ρ、超导转变零电阻温度Ｔｃｆ和临界电流Ｊｃ各向异性．样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大８％～７０％；零电阻温度Ｔｃｆ比Ｔｃｆ大１．０～５．０Ｋ；临界电流Ｊｃ比Ｊｃ大９％～７３％，而且在外磁场（Ｈｔ＝２．０Ｔ）下测得的临界电流Ｊｃ随外场Ｈｔ与烧结磁场ＨＳ间的夹角α呈椭圆形变化规律．这表明烧结过程中所加的磁场引起了该系超导体的各向异性．     

发光二极管作为组培光源的特性分析与应用

为实现组织培养光源的有效调控，节约组培光照耗能，同时为了解发光二极管（LED）光源对组培苗生长的影响，从LED的光电、衰减、透光特性以及有效发光效能等几个方面对LED作为组培光源进行了特性分析．研究结果表明：LED光源透光性强、衰减有规律，它的光电特性具有良好的线性关系，有效发光效能也明显高于普通日光灯，红、白光LED光源通过电能转化的有效光能达到了日光灯的3倍．同时，通过对光源效果的试验研究，结果表明，蓝光LED光源处理的诸葛菜和油菜组培苗鲜重增量百分数最大，分别达到了595％和490％，碳酸酐酶活性最强，分别达到了227和182WAU g^-1FW．研究结果将为LED作为组培光源的控制提供理论依据．     

一种新型的交流大电流测量标准装置

研究了一种新型交流大电流测量标准装置,装置基于交流比较仪原理,采用多通道开口级联技术,用于在线测试及校验发电机出口电流互感器,电流比较仪的准确度优于０．０４％,开口重复性误差小于０．００７％,防磁能力大于０．０１Ｔ。     

磁光盘道间距的相对周期测量法

论述了研制磁光盘机械特性测试系统时根据相同位移长度内的光栅信号和光道信号周期数以及光栅信号每mm周期数测量道间距的方法、原理及实现,提出了相对基线过零求周期数的方法,给出了测量结果．     

5X密度磁光盘光学特性测试系统设计

阐述了 5X密度磁光盘光学特性测试系统的结构原理与系统设计 ,并对其硬件电路系统和软件结构的设计作了详细的论述 .     

非晶SmDyFeCo薄膜的制备和磁光记录特性

研究了制备非晶ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜的方法和它的磁光记录畴大小随记录激光功率Ｐ及记录偏磁场Ｈｂ的变化趋势，并与非晶重稀土－过渡族ＤｙＦｅＣｏ薄膜的磁光性能比较，得到了重要的结论：在非晶重稀土－过渡族ＤｙＦｅＣｏ薄膜中加一定量的轻稀土元素Ｓｍ组成四元非晶合金薄膜能使它的磁光记录畴直径减小，它可能成为未来高记录密度的新型磁光材料     

掺Sm、Pr的MnBl合金薄膜的磁性、结构和磁光性能研究

讨论了掺 Ｓｍ 、 Ｐｒ 的 Ｍｎ Ｂｉ 合金薄膜的结构、磁性和磁光性能实验表明,经过退火处理（３７５ ℃～４２５ ℃／２ ～４ｈ） ,样品形成 Ｍｎ Ｂｉ 晶体结构掺杂含量 ｘ ＝ ０ ．１ ～０ ．２５ ,样品具有较大的 Ｋｅｒｒ 角（θ Ｋｍａｘ ＝ ２ ．５７°） ,内禀矫顽力 Ｍ Ｈ Ｃ＝ １ ．５ ～５ ．６ ｋ Ｏｅ ,剩余磁化强度 Ｍｒ ＝ ３ ．０ ～５ ．６ ｋ Ｏｅ ,剩磁比ｒ ＝ ０ ．８８ ～０ ．９８磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,样品 Ｋｅｒｒ 角的极大值向长波方向移动在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜（ ｄ ＜ ２５０ｎｍ ） 情况下矫顽力以形核机制为主     

温度变化对锰铋稀土薄膜的矫顽力和磁光克尔转角的影响

锰铋稀土 (Mn Bi RE)薄膜具有较大的磁光克尔转角 θk,因而作为良好的磁光信息存储材料 .用真空蒸镀方法制备了 Mn Bi RE (RE=Ce、 Pr、 Nd、 Sm)薄膜 ,考察了温度变化对其矫顽力、磁光克尔转角等性能的影响 .通过信息的写入 ,分析了这些样品的读写特性并与四层结构 Tb Fe Co样品做了比较     

一种新型多层膜结构的法拉第旋转器

采用多层薄膜结构的特殊结构，在稳恒磁场中可达到较大的旋转角度，可用于制作光隔离器用法拉第旋转器。通过特征矩阵的办法可对其传输特性进行计算，并由此推导出几种可行的结构，厚度只有数10μm，插入损耗约0.5dB。     

三相光学电流传感器的实验研究

提出了一种用于测量电力系统三相电流的光学电流传感器系统，建立了基于法拉第磁致旋光效应的三相光学电流传感器系统的数学模型，对三相光学电流传感器进行了实验研究。实验结果与理论分析的结论是一致的。研究结果对改进三相光学电流传感器的设计，提高三相光学电流传感器的性能具有重要的指导作用。     

智能磁光仪的盘温测控系统研制

介绍了磁光静态磁参数测量用盘温控制系统的软硬件。硬件部分以 80 3 1单片机为核心 ,包括数据采集、测量处理的温度控制部分 ,并利用单片机和上位机之间的双向通讯功能实现温度设定及显示 ;软件部分采用C语言和 MCS5 1汇编语言编制。控温范围为 (0～ 1 0 0 )℃ ,控温精度为± 0 .8℃。     

三相光学电流互感器系统的建模

提出了一种全新的用于测量电力系统三相电流的光学电流互感器系统,即利用一路光和一套检测系统实现三相电流的测量。用矩阵光学的方法建立了基于法拉第磁光效应的三相光学电流互感器的数学模型,为相关的研究提供了理论基础。理论分析和仿真结果均证明了系统的可行性。