杂多蓝型电荷转移配合物（C_8H_12N_2）_5H_7PMO_12O_40的

以Ｈ＿７［ＰＭＯ＿８ⅥＭｏＯ＿４ⅤＯ＿４０］·１２Ｈ＿２Ｏ为原料与对氨基二甲苯胺（Ｃ＿８Ｈ＿１２Ｎ＿２）反应合成了一种新型杂多蓝型电荷转移配合物（Ｃ＿８Ｈ＿１２Ｎ＿２）＿５Ｈ＿７ＰＭＯ＿１２Ｏ＿４０，并通过元素分析，ＩＲ、ＵＶ、ＸＰＳ、ＥＳＲ等手段对其进行了表征．发现在该化合物中杂多阴离子部分依然保持Ｋｅｇｇｉｎ结构，还发现在多电子的杂多蓝与芳香有机物对氨基二甲苯胺之间发生了显著的电荷转移．这种电荷转移被认为是所合成的化合物具有很大三阶非线性光学性质的理论根据．利用Ｚ－扫描技术在保持入射光强Ｉ＿０＝２．３８×１０￣１３ω／ｍ￣２，波长λ＝５３２ｎｍ条件下，测定了浓度为４．６８×１０（－６）ｍｏｌ·ｄｍ（－３）的（Ｃ＿８Ｈ＿１２Ｎ＿２）＿５Ｈ＿７ＰＭｏ＿１２Ｏ＿４０的ＤＭＳＯ溶液的三阶非线性光学系数ｘ（３），测得△Φ＝－４．１１，ｘ（３）＝－２．６１×１０（－１０）ｅｓｕ，为当今无机、有机材料中的优秀值．     

双核Cu（Ⅱ）配合物[Cu2（C6H5COO）4（C4H8O）2]晶体结构的分析

利用铜粉和过氧化苯甲酰的氧化加成反应，在四氢呋喃存在下生成［Ｃｕ＿２（Ｃ＿６Ｈ＿５ＣＯＯ）＿４（Ｃ＿４Ｈ＿８Ｏ）＿２］配合物。结果表明：配合物属于单斜晶系，空间群为Ｐ２（１）／ｎ，ａ＝９．９９０（２），ｂ＝１０．５４０（２），ｃ＝１７．１８９（７），α＝γ＝９０°β＝１００．４４（３）°，Ｖ＝１７７９．９，Ｚ＝２，Ｄ＿ｃ＝１．４１０ｇ·ｃｍ￣（－３），Ｍｒ＝７５５．７６，Ｒ＝０．０５０７９，Ｒ＿ｗ＝０．０５８４３。     

Pb（Ⅱ）、Zn（Ⅱ）与5－Br－PADAP络合平衡的研究

本文研究了Ｐｂ（Ⅱ）－５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ及Ｚｎ（Ⅱ）－５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ络合反应体系的吸收光谱，用基于Ｒｏｓｅｎｂｒｏｃｋ算法的最优化程序处理了光度测量数据，发现Ｐｂ（Ⅱ）与５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ形成１：１络合物，稳定常数ｌｇβ＿１＝１１．２１，摩尔吸光系数ε＿１＝６．２×１０￣４Ｌ·ｍｏｌ￣（－１）·ｃｍ￣（－１）；Ｚｎ（Ⅱ）在ｃ＿Ｌ＞ｃ＿Ｍ的条件下主要形成１：２络合物，ｌｇβ＿２＝２２．３６，ε＿２＝１．２８×１０￣５Ｌ·ｍｏｌ￣（－１）·ｃｍ￣（－１）。     

稀土金属镱及钇苦味酸盐与苯并15冠5配合物的晶体和分子结构

标题化合物Ｙｂ（Ｐｉ）＿３（Ｂｌ５Ｃ５）＿２·２Ｈ＿２Ｏ·ＣＨ＿３ＣＮ（Ｉ）及Ｙ（Ｐｉ）＿３（Ｂｌ５Ｃ５）＿２·２Ｈ＿２Ｏ·ＣＨ＿３ＣＮ（Ⅱ）为同晶结构，均为３斜晶系，空间群为Ｐ－对晶体（Ｉ），ａ＝１２．７５３（１）Ａ，ｂ＝１３．８１０（２）Ａ．ｃ＝１９．６０９（２）Ａ，α＝８１．３７（３）°，β＝７１．５８（３）°，γ＝７０．７１（２）°，Ｚ＝２．Ｄ＿ｃ＝１．４６８ｇ·ｃｍ￣（－３），μ＝１５．９２８ｃｍ￣（－１）（ＭｏＫα），Ｍ＿ｒ＝１４７１，０４，Ｆ（０００）＝７４５，Ｒ＝０．０３１，Ｒ＿ｗ＝０．０３９；对晶体（Ⅱ），α＝１２．７８５（１）Ａ，ｂ＝１３．８５０（３）Ａ，ｃ＝１９．５７１（２）Ａ，α＝８１．０５（３）°，β＝７０．９２（２）°，γ＝７０．６２（３）°，Ｚ＝２，Ｄｃ＝ｌ．４８５ｇ·ｃｍ￣（－３），μ＝１０．４４１ｃｍ￣（－１）（ＭｏＫα），Ｍ＿ｒ＝１３８６．９ｌ，Ｆ（０００）＝７ｌ４，Ｒ＝０．０６５，Ｒ＿ｗ＝０．０７８．测定结果表明，中心稀土离子Ｙｂ￣（３＋）（或Ｙ￣（３＋）直接与３个苦味酸阴离子和２个水分子配位，此水化镱（或钇）苦味酸盐通过水桥氢键与冠醚Ｂｌ５Ｃ５相联而形成一个大的疏水性     

在表面活性剂存在下泰尔登的电分析化学特性研究

在ｐＨ７．００缓冲溶液中，当有０．００２０％ＯＰ存在时，泰尔登在－１．９５Ｖ产生一灵敏极谱波，利用此波可测定痕量泰尔登，检测下限为５．４×１０￣（－９）ｍｏｌ／Ｌ。用恒电位库仑法，计时库仑法和循环伏安法测得反应电子数为２，吸附量为１．１７×１０￣（－１０）ｍｏｌ／ｃｍ￣２，扩散系数为４．３×１００￣（－５）ｃｍ￣２／ｓ。     

［Ag_2（α－Ph_2PPy）_2］_2（NO_3）_4的合成和晶体结构

ＡｇＮＯ＿３和ａ－ｐｈ＿２ｐｐｙ，（ａ－（Ｃ＿６Ｈ＿５）＿２Ｐ（ＮＣ＿５Ｈ＿５））在加有少量Ｈ＿２Ｏ＿２和ＮａＯＨ的Ｃ＿２Ｈ＿５ＯＨ水溶液中反应生成标题化合物的灰黑色晶体。属四方晶系，空间群Ｐ４＿１，ａ＝１．３００ｎｍ，Ｃ＝４．０７６ｎｍ，ｖ＝６．８８４ｎｍ￣３，Ｚ＝８，Ｄ＿ｃ＝１．６７ｇｃｍ￣（－３），Ｒ＝０．０５９，ｒ＿ω＝０．０７２．每一不对称单元中存在二套独立而结构基本相同的［Ａｇ＿２（ａ－ｐｈ＿２ＰＰｙ）＿２］￣２＋，它的二个Ａｇ原子和二个ａ－ｐｈ＿２ＰＰｙ中－Ｎ－Ｃ－Ｐ－桥的Ｎ，Ｐ原子联接成为一个稳定非共面八员环，而环内Ａｇ，Ａｇ间距分别是０．３１４，０．３ｌ０（ｎｍ），均未成键。不对称单元中的二个八员环通过的Ｏ原子与环上Ａｇ原子的弱成键而具有结构联系。环内还出现了罕见的三配位Ａｇ原子。     

ZnCl2与POM的合成和结构

ＺｎＣｌ２与ＰＯＭ生成１：２加成物「Ｚｎ（ＰＯＭ）２Ｃｌ２」，Ｃ１２Ｈ１２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ６Ｚｎ，晶体必三科晶系，空间群为Ｐ１，晶胞系数为ａ＝１１．７５５（１１）×１０＾－１０ｍ，ｂ＝１２．３５７４（７）×１０＾－１０ｍ，ｃ＝６．５９２（４）×１０＾－１０ｍ，ａ＝１０２。７３２（５）°，β＝９２．０７４（６）°，γ＝１１０．１２４（６０°，Ｖ＝８７６．２×１０＾－３０ｍ，ＭＲ＝４４４．５３，ｚ＝２，ｄ     

速冻蔬菜的最适烫漂时间与其过氧化物酶活性测定研究

本试验以各种蔬菜：菠菜、芹菜、花菜、芦笋、土豆、大头菜、蒜苗中的过氧化物酶活性为研究对象：在不同温度下进行烫漂处理后其ＰＯＤ活力具有再生现象，于是确定在９５°Ｃ下烫漂得到不同蔬菜的最佳烫漂时间分别为菠菜１ｍｉｎ，蒜苗２．５ｍｉｎ，芹菜３ｍｉｎ，芦笋４ｍｉｎ，青菜１．５ｍｉｎ，大头菜１．５ｍｉｎ，花菜２．５ｍｉｎ，土豆３ｍｉｎ；还进一步比较研究了添加柠檬酸、Ｎａ＿２ＣＯ＿３、ＣｕＳＯ＿４等化学药品对蔬菜烫漂处理中ＰＯＤ活性的影响，结果用适宜浓度的Ｎａ＿２ＣＯ＿３（１０￣（－５）Ｍ）或ＣｕＳＯ＿４（４．０×１０￣（－４）Ｍ）溶液烫漂处理具有护色和杀酶的协同效果。     

Sb＿2O＿3－ZnSn（OH）＿6－ZnNH＿4PO＿4阻燃体系的研究

研究了在聚氯乙烯（ＰＶＣ）中，Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６，Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４，ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４二元体系的协同阻燃性能，以及Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４三元系的阻燃性能，采用混料回归实验设计，导出了三元系氧指数与阻燃剂含量关系的数学模型，经计算机计算并绘制出了氧指数等值图，该体系中Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６，Ｓｂ＿２Ｏ＿３－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４复配具有正的协同作用，而ＺｎＳｎ（ＯＨ）＿６－ＺｎＮＨ＿４ＰＯ＿４复配则表现为负的协同作用。     

锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）

本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。     

氮化硅结合碳化硅材料抗氧化性能的研究

研究了氮化硅结合碳化硅材料１１００℃时的高温氧化行为，结果表明，该材料的氧化特性符合氧化动力学方程；高温氧化产物的数量及其特性对材料室温强度的变化起主导作用；随氧化硅含量降低或碳化硅颗粒的增大，材料的抗氧化性能得到明显改善。     

国产磨料的杂质及研磨对硅片的污染分析

本文研究了国产磨料的成分、杂质和磨料、磨具对硅片的污染,分析了铁对硅器件的危害,提出了减少污染的方法.     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

粉煤灰中二氧化硅测定的误差分析

用此物质的混合物来标定测定方法的准确度,分析了误差的来源,测定了二氧化硅的含量.结果表明:测定误差小于1％,此法易于排除其它氧化物的干扰,可用于其它类似氧化物的测定.     

SiO2粗分散体系稳定性的研究

本文对SiO_2均匀粗分散体系(5～14μm)进行了聚沉动力学和ζ—电位的研究。实验证明粗分散体系的稳定性不符合DLVO理论,从而选择模型假设,引入重力校正因子,建立再力诱导聚沉的校正方程,并获得与实验基本相符的结果。     

中型氧化硅簇的性质及其在纳米硅线生长中的作用

应用量子化学计算法和前线轨道理论研究了中型氧化硅簇体系的结构和反应性，并从该理论研究出发，对一种新型的可以高产量生长纳米硅线的实验技术，即氧化硅辅助生长方法的生长机制做了相应的探讨。初步得出了富含硅的氧化硅簇和类似SiO配比的氧化硅簇在纳米硅线的成核和生长中起到了重要作用。     

制备活性二氧化硅实验的设计

本文介绍的活性二氧化硅的制备及性质实验是为化学专业无机化学实验课而设计的一个综合性实验。本实验具有综合性强,制备条件温和,时间短,实验耗费低及原料易得等优点。     

唐山市水稻田土壤施硅肥对作物产量的影响

唐山市各县区长期种植水稻 ,逐渐表现出缺硅现象 :群体植株高度下降 ,茎叶变软 ,叶片披垂 ,易感病 ,籽粒空秕率高 ,导致产量降低。水稻田灌溉水有效硅含量 :沿海地区平均 1 2 92mg/kg ;内陆地区平均 2 37mg/kg。水稻田土壤有效硅含量 :沿海地区平均 74 57mg/kg ;内陆地区平均 59 63mg/kg。水稻田施用硅肥的最佳施肥量 :沿海地区施有效硅 1 2 1 5kg/hm2 ;内陆地区底施有效硅 1 61 6kg/hm2 。水稻田施硅增产的因子有 4个方面 :1、促进根系发育 ,增加白根数量 ,减少红、黑根数量 ,提高根系的吸收能力 ;2、提高植株有效分蘖和成穗率 ,减少养分消耗 ;3、增加植株高度 ,使茎叶健壮 ,提高抗病性 ;4、从产量结构分析 ,穗数、穗粒数、千粒重均增加 ,从而增高单位面积产量     

稻草制浆过程中硅的形态变化

硅在稻草中主要以粒径为１５μｍ的硅晶胞形式存在于植物外层，在制浆过程中硅晶胞作为整体溶脱后再以相对小的硅晶胞附着在纤维上．在ｐＨ值、粒子粒径和反应时间几个影响硅溶出的因素中，ｐＨ值为控制因素．硅在溶液中主要以无定形形态析出，析出的硅主要附着在纤维表面，当有阳离子聚合物存在时硅沉降速度和沉降量急剧上升