TFT-LCD液晶材料焚烧产物及反应过程分析

以TFT-LCD液晶为实验材料,研究了其焚烧失重特征,分析其焚烧产物并对其过程进行推测。结果表明,由多种单体化合物组成的TFT-LCD液晶材料焚烧反应过程主要发生在150～380℃,该过程导致约90%液晶损失;在焚烧过程中液晶材料首先发生分解反应,分解产物生成的先后顺序取决于其单体化合物的主要化学键键能大小;分解过程产生的烃类自由基和芳香族自由基极不稳定,前者进一步分解生成C原子更少的丙烯等烃类,后者会因高温进一步分解乃至脱F,同时自由基团之间重组发生再合成反应;液晶焚烧产生由多种芳香族化合物组成的混合物,焚烧温度高易生成PAHs和HF。TFT-LCD焚烧产物绝大多数是有毒有害物质,不宜进行焚烧处理。     

氯化汞触媒的汞挥发速率

采用通量箱、比表面积分析仪、扫描电子显微镜和x射线光电子能谱仪测试了电石法聚氯乙烯（PVC）行业中高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率、比表面积、成分及汞形态．研究表明：高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率分别为1．04×10^-7、5．90×10^-8和2．47×10^-4mg·g^-1·min^-1．高汞触媒使用后氯化汞被还原为单质汞,且汞吸附于触媒表面,导致废高汞触媒汞挥发速率远高于新汞触媒．     

稻草制浆过程中硅的形态变化

硅在稻草中主要以粒径为１５μｍ的硅晶胞形式存在于植物外层，在制浆过程中硅晶胞作为整体溶脱后再以相对小的硅晶胞附着在纤维上．在ｐＨ值、粒子粒径和反应时间几个影响硅溶出的因素中，ｐＨ值为控制因素．硅在溶液中主要以无定形形态析出，析出的硅主要附着在纤维表面，当有阳离子聚合物存在时硅沉降速度和沉降量急剧上升     

基于资源产出率的工业园区绿色评价技术初探

我国工业园区发展迅速,成效显著,目前正面临资源环境瓶颈的制约。工业园区处于向绿色发展转型的关键阶段,需要园区绿色评价技术作为衡量发展水平和指导建设方向的依据。本文分析了我国目前较为广泛应用的几种工业园区评价指标体系,在物质流分析原理的基础上,基于资源产出率提出了几种针对不同类型工业园区的资源产出率评价核算模型。