自结合碳化硅材料高温氧化行为研究

研究了气孔率为１１ ．５ ％ 的自结合碳化硅材料在１ ３００ ℃空气中的高温氧化行为．研究结果表明：氧化初期形成的非晶态ＳｉＯ２ 对材料中孔隙与裂纹尖端起钝化作用，造成材料室温强度随氧化时间的增加而增加．当氧化２２ ．５ ｈ 时，材料强度最高，达２９３ ＭＰａ；随着氧化时间的增加，非晶态ＳｉＯ２ 晶化形成方石英，以及冷却过程中引发的表面裂纹，造成材料室温强度的降低．表面裂纹的出现，使得自结合碳化硅的氧化增重动力学曲线符合对数规律     

高温烧成碳化硅制品的2．5m~3梭式窑

介绍２．５ｍ３高温梭式窑的窑体结构、砌筑材料及窑的技术特性。经生产使用，以轻柴油为燃料，合理燃烧，该窑温度可达１５００℃，为碳化硅制品生产建立了高温烧成设备。     

氧化锆——碳化硅复合材料氧化过程的研究

在空气中，800℃到1630℃温度范围内，对氧化锆——碳化硅复合材料进行氧化实验，结果表明，复合材料的SiC氧化是属于保护型氧化，试样从800℃起开始氧化；1100℃时氧化反应加快；1450℃以后材料表面形成致密的SiO2保护层;1627℃时，SiO2保护层受到破坏，从而加剧了SiC的氧化。     

微型涡轮发动机设计与制造的若干关键技术

分析了微型涡轮发动机不同于宏观尺度的流动和燃烧特性(低雷诺数Re、高马赫数M、高库埃特Couette数和低毕渥Biot数的流动，极小空间超高燃烧负荷率的燃烧)。提出了在微尺度和超高转速条件下，传统的流体动力润滑理论所存在的局限性；研究了利用边界滑移实现微尺度条件下气体动力润滑轴承实现超高转速的可性。基于碳化硅材料在MEMS高温高强度条件下的应用前景，提出将硅基蚀刻与传统的碳化硅反应烧结和磨削加工等工艺进行结合，实现微型涡轮发动机碳化硅材料微细结构的机械加工。     

预氧化对高温CO2环境下典型耐热材料腐蚀行为的影响研究

为提高耐热材料在高温CO₂中的抗腐蚀性能，以耐热材料Sanicro 25、HR6W、HR230和740H为对象，经高温O₂短时预氧化后开展CO₂腐蚀实验。采用分析天平测量耐热材料腐蚀前后质量变化；利用X射线衍射仪、扫描电镜及能谱分析仪表征腐蚀产物形貌、成分及其分布。实验结果表明：预氧化后耐热材料在900℃CO₂中的腐蚀动力学曲线符合抛物线规律；预氧化后4种耐热材料表面氧化物主要为Cr的氧化物和少量零星团状的Fe氧化物，该富Cr氧化膜有效减低腐蚀行为的离子扩散，从而降低耐热材料的腐蚀质量增加；耐热材料Sanicro 25和HR6W表面腐蚀层厚度减薄，而740H内氧化加剧。结合耐热材料腐蚀质量变化与腐蚀产物，高温预氧化处理可提高HR6W和HR230的抗高温CO₂腐蚀性能。     

纤维增强复合材料

在飞机、火箭、宇航器、核设施以及有关能源技术等领域中,需要高强度、高韧性、耐高温的特殊材料。以往的材料很难完全满足上述各项要求,而在以碳为主的基材中添加耐热纤维也只能起到增强作用。基材除碳外还可用碳化硅和氧化铝。耐热增强材料多为碳纤维和碳化硅纤维等,但这两种纤维在高温下耐氧化性能差,即在有氧条件下,碳纤维在900℃以上、碳化硅纤维在1300℃以上时,它们的稳定性就劣化。如果在其表面涂以耐氧化膜,则此膜极易受损,当其受损伤时,裂痕就向基材内部推进,纤维仍然会被氧化,最终还是难保高强度和高韧性。 为解决上述问题,本专利提出三项技术。第一,在添加耐熟纤维的碳基材表面,覆盖以无机材料形成的耐氧化层,其上再覆盖能与耐氧化     

加强宽禁带半导体材料的研发与应用

 宽禁带（一般指禁带宽度>2.3 eV）半导体材料的研发与应用方兴未艾，正在掀起新一轮的热潮；其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势，成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。     

添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响

研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响．试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析，可知在室温与高温下，加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率，随着Ni、Mo和Al加入量的增加，碳化硅的室温电阻率也下降．其中，Ni、Mo对反应烧结碳化硅电阻率的影响比Al大．在烧结过程中，Ni、Mo分别与液态Si反应，并在碳化硅粒子界面处生成Ni     

高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展

 碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点，在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性，即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状，其中中低压器件发展已逐渐成熟，高击穿电压器件研究成果展现出由碳化硅材料特性预测的性能优势。展示了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在该领域取得的最新技术进展，建立了600~3300 V碳化硅肖特基二极管和MOSFET产品技术，研制出国际先进水平的高压碳化硅MOS-FET和IGBT。     

天域半导体:聚焦核心技术攻关推动碳化硅半导体产业发展

第三代半导体碳化硅(SiC)作为典型的宽禁带半导体材料,因其优越的物理特性,非常适合在大功率、高温和高频环境下应用,也是目前产业化程度最高的三代半材料,其产品应用场景已覆盖电源/功率因数校正(PFC)、光伏、新能源汽车/充电桩、风能、轨道交通、智能电网等诸多领域.与传统的硅基器件相比,碳化硅制造出的电力电子器件体积更小...     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

中型氧化硅簇的性质及其在纳米硅线生长中的作用

应用量子化学计算法和前线轨道理论研究了中型氧化硅簇体系的结构和反应性，并从该理论研究出发，对一种新型的可以高产量生长纳米硅线的实验技术，即氧化硅辅助生长方法的生长机制做了相应的探讨。初步得出了富含硅的氧化硅簇和类似SiO配比的氧化硅簇在纳米硅线的成核和生长中起到了重要作用。     

非晶与单晶硅电解掺氢的研究

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．     

制备活性二氧化硅实验的设计

本文介绍的活性二氧化硅的制备及性质实验是为化学专业无机化学实验课而设计的一个综合性实验。本实验具有综合性强,制备条件温和,时间短,实验耗费低及原料易得等优点。     

多孔硅的形成与理论分析

综述了多孔硅的形成机制，并分别对用n-Si和p-Si形成多孔硅的机理进行了分析。     

浙江新昌硅化木的硅质来源

在浙江新昌早白垩世盆地西侧馆头组地层中存在丰富的硅化木。该地硅化木保留清晰的植物, 均由显微结晶质石英组成。从岩石学角度。它们属木化石硅质岩。硅化木的硅氧同位素组成δ^30Si值为－0．4‰--1.3‰δ^18O值为18．1‰-23.1‰。根据硅化木的硅，氧同位素组成及周围岩石的岩石化学成分，作者讨论了硅化木的硅质来源和成因，认为它们具有热水硅质岩的特点，系河湖水和海水向下渗透，并在一定深度内发生循环然后上涌，火山活动为热水提供热源，二氧化硅来源于热水流经的地层和岩石，富含二氧化硅的热水交代古树木形成硅化木。根据氧同位素地质温度计，计算出硅化木形成时的热温度为70．8－108．4℃。     

PCVD法制取高硅钢的研究

利用等离子体增强化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法对低硅钢进行ＳｉＣｌ４涂层处理，然后进行高温扩散，制得高硅钢，使其磁性能大为改善，从而铁损Ｐ１５／５０降低约４５．１％，磁感应强度提高４．５％左右     

硅普通二极管的典型应用

本文较为系统地论述了“一专多能”的硅普通二极管在稳压、保护、温度补偿、钳位、限幅、继电器电路、阻尼、开关、变换器、抑制器等十余种典型应用。     

硅氧烷移印油墨的研究

本文是研究聚二甲基硅氧烷、交联剂和催化剂制备硅氧烷移印油墨,并对交联剂量,催化剂量,热固化温度和时间的影响做了考察.     

硅扩散应力的理论分析

参考热弹性力学中的薄板热应力理论，推导出硅薄片中扩散应力的表达式；讨论了单面扩散和双面扩散硅片中的应力分布规律；并将理论结果跟光弹实验结果作了比较，发现它们之间有比较好的一致性。