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高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值. 相似文献
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《中南大学学报(自然科学版)》2016,(4)
基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究。通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组分和掺杂偏差σn对表面势和阈值电压的影响。此外,还对比分析高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压。研究结果表明:阈值电压随应变Si膜中Ge组分的增加而降低;表面势和阈值电压随偏差σn的增加而减小;高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压相差较大,表明非均匀掺杂对器件表面势和阈值电压等影响较大。 相似文献
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肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值. 相似文献
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采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法, 考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制, 模拟 InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示, 在稳态下, 散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布, 但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小; 而在施加阶跃漏端电压时, 散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间, 降低了器件的截止频率。 相似文献
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为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流,首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构,这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质,再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极.通过求解二维电势Poisson方程,建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型.研究表明,该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应,且在沟道长度小于100nm条件下,阈值电压表现出明显的反短沟道特征,在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高,解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高. 相似文献
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在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度的关系. 相似文献
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研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小. 相似文献
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对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件,静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作,基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型器件性能的影响,利用双重积分方法提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流理论预测模型,并在此基础上,基于BSIM4模型使用HSPICE仿真工具进行了仔细的研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下,MOSFET器件、CMOS电路的性能.仿真结果能很好地与理论分析相符合,这些理论和实验数据将有助于以后的集成电路设计. 相似文献
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栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟道电子通过高栅栈结构的透射系数,模拟得到的透射系数曲线随电子能量变化呈现峰谷振荡的特征.将本文模拟结果与非平衡格林函数及WKB近似方法模拟结果对比,通过论证得出电子能量低于高导带底的透射系数峰为共振隧穿机制所产生,而能量高于高k介质导带底的电子透射系数峰为直接隧穿的结论. 相似文献
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提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能,对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管,使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。 相似文献
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城市排水系统的研究与探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
曹小练 《科技情报开发与经济》2008,18(10):192-194
分析了现状城市排水系统建设中存在的问题,对如何完善城市排水系统进行了研究,并提出了改进策略。 相似文献
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根据组织寿命学说和库克曲线理论,组织之间的人才流动对组织、行业和经济的发展都是有好处的,但是过于频繁的人才流动会严重阻碍企业的发展。探讨的人才流失属于人才过频的主动流动,所定义的人才是指对企业和组织发展较为重要的中高层管理人员或技术人员。通过挖掘人才流失微观因素,描述企业人才流失的动态过程,就其关键点位置进行控制,探索企业人才流失的对策。 相似文献
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通过介绍管材技术经济特性,从水力条件、物理性能、价格、工程造价等方面对排水管网各种常用管材进行了技术经济比较,为给排水工程项目管材选择提供了依据。 相似文献
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山西人才流失与对策研究 总被引:1,自引:0,他引:1
翟肖锋 《科技情报开发与经济》2006,16(8):198-199
面对山西人才流失的现状及其影响,山西应抓住建设新型能源和重化工基地的良好时机,优化人才环境,适当引进人才,加大人才培养力度,采取各种措施留住人才,努力遏制人才流失的势头。 相似文献
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略论高校人才流失的影响及对策 总被引:1,自引:0,他引:1
高校人才流失是学校管理当局激励不当的表症,它将给高校内部凝聚力、学科建设、品牌形象造成严重影响,从长远看对组织的危害更是不容低估,亟需引起重视。协作系统、心理契约和公平理论揭示了人才流失的成因,在对人才的激励上,诱因性报酬、激励性工作设计、晋升和目标考核四个方面都十分重要。 相似文献