一种半导体压力传感器

根据有限元工具ANSYS的分析结果,设计了一种半导体压阻式压力传感器——绝缘体上硅(SOI)压力传感器,并完成了制作.测试表明,除具有良好的静态特性之外,与同类压力传感器相比,SOI压力传感器的工作温区宽,最高工作温度可达220℃;稳定性高,30d内的零点漂移小于0.2%;温度特性好,灵敏度温度系数约为-5.1×10-4/℃.此外传感器的结构简单,采用半导体集成电路平面工艺结合微机械加工技术制作,易于实现批量生产,有广阔的应用前景.     

SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管（SiGe SOI BMHMT）构成适合在低电压下工作的新型集成电路，该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能，对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟，结果表明，SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高，阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管，使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。     

绝缘体上硅高温压力传感器研究

采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计，制作出样品，并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。结果表明：1：2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV／MPa，远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50mV／MPa)。此外，该传感器能够工作在200℃的高温环境中，有良好的长期稳定性，30d内的零点时间漂移为0．12％。     

传真机热印头驱动专用集成电路的研究

论述了采用硅栅ＣＭＯＳ工艺研制的热印头驱动ＡＳＩＣ，它由６４位移位寄存器、６４位锁存器、６４位输出驱动电路和外围缓冲电路组成。其电路性能为：０．５ｋΩ负载电阻情况下，最大输出电流４８ｍＡ，输出管饱和压降１．８Ｖ，输出管击穿电压３．５Ｖ，时钟频率５．２ＭＨｚ，在传真机热印头上使用，可实现高速打印和高分辩率。     

热敏打印头电学性能测试

对热敏打印头电学性能及其测试原理进行了分析研究 ,并重点讨论其耐电脉冲冲击性能的测试 ;同时对测试仪设计原理 ,以及测试仪信号源、计数显示、功率驱动等主要组成部分进行了分析     

薄膜热印头研制

论述了一种高分辨率，高清晰度，快速打印的薄膜热印头的结构，设计和制造技术，主要研究了Ｔａ２Ｎ，ＳｉＯ２和Ｔａ２Ｏ５薄膜的性能对薄膜热印头的影响。