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一种半导体压力传感器
引用本文:张为,姚素英,张生才,张维新.一种半导体压力传感器[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),2005,38(10):901-903.
作者姓名:张为  姚素英  张生才  张维新
作者单位:天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院 天津 300072,天津 300072,天津 300072,天津 300072
基金项目:天津市自然科学基金资助项目(033600811).
摘    要:根据有限元工具ANSYS的分析结果,设计了一种半导体压阻式压力传感器——绝缘体上硅(SOI)压力传感器,并完成了制作.测试表明,除具有良好的静态特性之外,与同类压力传感器相比,SOI压力传感器的工作温区宽,最高工作温度可达220℃;稳定性高,30d内的零点漂移小于0.2%;温度特性好,灵敏度温度系数约为-5.1×10-4/℃.此外传感器的结构简单,采用半导体集成电路平面工艺结合微机械加工技术制作,易于实现批量生产,有广阔的应用前景.

关 键 词:绝缘体上硅  高温压力传感器  微机械加工
文章编号:0493-2137(2005)10-0901-03
收稿时间:2004-03-16
修稿时间:2004-03-162004-11-08

A Semiconductor Piezoresistive Pressure Sensor
ZHANG Wei,YAO Su-ying,ZHANG Sheng-cai,ZHANG Wei-xin School of Electronic Information Engineering,Tianjin University,Tianjin ,China.A Semiconductor Piezoresistive Pressure Sensor[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),2005,38(10):901-903.
Authors:ZHANG Wei  YAO Su-ying  ZHANG Sheng-cai  ZHANG Wei-xin School of Electronic Information Engineering  Tianjin University  Tianjin  China
Institution:ZHANG Wei,YAO Su-ying,ZHANG Sheng-cai,ZHANG Wei-xin School of Electronic Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China
Abstract:
Keywords:silicon on insulator  high-temperature pressure sensor  micromachining
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