| 绝缘体上硅高温压力传感器研究 |
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| 引用本文： | 张为,姚素英,张生才,赵毅强,张维新.绝缘体上硅高温压力传感器研究[J].西安交通大学学报,2004,38(2):178-180. |
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| 作者姓名： | 张为 姚素英 张生才 赵毅强 张维新 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,300072,天津 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金资助项目(0 3 3 60 0 81 1 ). |
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| 摘 要： | 采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计，制作出样品，并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。结果表明：1：2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV／MPa，远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50mV／MPa)。此外，该传感器能够工作在200℃的高温环境中，有良好的长期稳定性，30d内的零点时间漂移为0．12％。
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| 关 键 词： | 压力传感器 绝缘体上硅 高温 有限元分析 |
| 文章编号： | 0253-987X(2004)02-0178-03 |
| 修稿时间： | 2003年5月28日 |
Study on High-Temperature Piezoresistive Pressure Sensors Based on Silicon on Insulator |
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| Zhang Wei,Yao Suying,Zhang Shengcai,Zhao Yiqiang,Zhang Weixin.Study on High-Temperature Piezoresistive Pressure Sensors Based on Silicon on Insulator[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2004,38(2):178-180. |
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| Authors: | Zhang Wei Yao Suying Zhang Shengcai Zhao Yiqiang Zhang Weixin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pressure sensor silicon on insulator high-temperature finite element analysis |
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