基于XYZPADL 的Web 服务体系结构形式描述

在对时序逻辑语言XYZ/E进行扩展的基础上,对服务、合成服务、面向服务的体系结构以及系统的活性、正确性以及安全性等核心概念进行了形式定义,并对整个Web服务体系结构进行了形式化的描述与实现过程的分解与逐步求精,指出了在该体系结构框架下,系统的活性、正确性以及安全性存在的与服务求精过程中所具有的语义的可组合特性,这一组合特性在服务的状态转换变迁模型下得到了证明,从而为服务的合成与重用机制提供了形式化的理论指导.     

圆柱齿轮加工的计算机仿真方法的改进

提出了一种新的滚刀加工渐开线型圆柱齿轮的计算机仿真方法，首次将加工误差引入仿真方程，并用ＴｕｒｂｏＣ开发了仿真软件，可以逼真、清晰地模拟出齿轮加工的详细过程．该方法能为齿轮的ＴＣＡ、接触应力分析和振动分析等自动生成科学的有限元网格计算模型．     

带衬底的半透明前电极热释电探测器的分析

本文用热扩散模型给出了带衬底的半透明前电极热释电探测器响应率表达式,并计算了在衬底和热释电材料吸收系数共同影响下的器件响应率和噪声等效功率,着重分析了热释电材料吸收系数对热释电探测器性能的影响及器件最佳响应厚度与频率之间的关系。     

超声参差宽带阵优化指向特性的计算机模拟

应用声压迭加原理，得到了参差调谐超声宽带基阵换能器的声压响应函数及声压指向特性，并应用波束等价的方法对波束分布的指向特性进行了优化模拟研究．通过对较优波束指向特性进行模拟，可以得到一个具有较优指向特性、布阵合理、阵元频率可参差调谐的宽带阵列换能器的布阵方案，为超声基阵换能器的设计提供了一个新途径．     

一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型

针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.     

具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟

为了处理纳米MOS场效应管的量子效应，在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正，并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法．该算法在每个节点应用多层网格法求解一个子区域内各网格点的Poisson方程，采用有效势法进行量子修正，并跟踪模拟一组带电粒子的加速飞行和随机散射运动，使各节点的负载始终保持平衡．模拟实例表明，引入有效势修正的蒙特卡罗模拟结果与薛定鄂方程吻合得较好，     

非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型

为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流，首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构，这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质，再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极．通过求解二维电势Poisson方程，建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型．研究表明，该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应，且在沟道长度小于100nm条件下，阈值电压表现出明显的反短沟道特征，在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高，解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高．     

集成电路工艺课程教学改革探析

集成电路工艺是微电子专业本科生重要的专业课程。针对课程特点,结合教学实际,提出了包括精心选择教学内容、多方位构建教学平台、注重创新能力培养等教学改革设想及措施,以激发学生的学习兴趣,提高课程教学质量,培养满足新世纪微电子工业所需的专业技术人才。     

全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型

针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显,以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型.同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响,结合沟道与氧化层界面处的边界条件,求解一维泊松方程,得到一维电势分布模型,然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程,最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型,并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型.利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证,结果表明:该模型克服了本征模型在重掺杂情况下失效和仅考虑耗尽电荷的模型在强反型区失效的缺点,在不同沟道掺杂情况下从亚阈值区到强反型区都适用;与原有模型相比,该阈值电压模型的误差减小了45.5%.     

热释电探测器的数理分析

依椐热扩散数理模型,给出了热释电探测器响应率的数学表达式,计算了在衬底和热释电材料吸收系数共同影响下的器件响应率和噪声等效功率,着重分析了热释电材料吸收系数对热释电探测器性能的影响及器件最佳响应厚度与频率之间的关系。