微型机的发展

世界上最大的微型机芯片制造厂家美国英特尔公司,是全球(包括中国)90%芯片的供应商,它影响整个计算机业界,是一家颇有影响的公司.……     

基于集成电路芯片封装问题的探讨

集成电路芯片封装,不同的处理设备就有不同的处理芯片,芯片是电子设备的核心,其设计、制造、封装、测试等过程对芯片有很大影响。本文从集成电路芯片封装技术的发展形式、特点、失效及发展趋势等方面进行简单探讨。     

微流控PCR生物芯片及其检测技术的研究

微流控芯片的目标是把整个化验室的功能,包括采样、稀释、加试剂、反应、分离和检测等集成在可多次使用的微芯片上。检测系统是芯片系统研究的关键之一,影响整个微流控芯片分析系统的检出限、检测速度、适用范围以及体积等指标,是微流控芯片分析系统的一个关键部分。本文针对微流控芯片的发展及其检测技术进行了研究,并分析了目前发展的现状和趋势。     

在PDMS-玻璃微流控芯片上的细胞培养

微流控芯片上的细胞培养技术是构建一个整体化的片上细胞分析实验室的基础。针对芯片上细胞培养存活率低、容易污染等问题,该文提出了一套polydimethylsiloxane(PDMS)-玻璃微流控芯片的制备、处理方法及片上细胞培养的操作流程,并讨论了影响微管道细胞培养的因素,包括准备细胞悬液、避免气泡、芯片表面处理和培养液中的血清浓度等。应用这套方法,在微流控芯片上成功培养了多种哺乳动物细胞。     

2007年机顶盒之芯发展趋势

本文介绍了数字电视机顶盒的核心——机顶盒芯片在2007年的发展趋势。首先,文中概括了已过去的2年机顶盒市场的情况。后面重点介绍关乎机顶盒芯片发展最重要的、也是最受关注的三个概念,它们是:CA,产品定位,国产化。最后结合对市场及政策的分析,提出了影响机顶盒芯片供应商竞争态势的三个关键所在。     

一种船舶生活污水检测芯片的设计及优化

根据激光诱导荧光检测机理设计一种基于嵌入式光纤微流体检测芯片,结合船舶生活污水中致病菌及嵌入式光纤尺寸特性确定芯片尺寸。根据驱动聚集理论分析得出影响检测芯片聚集效果的三个因素,并利用FLUENT仿真软件对理论分析得到的影响因素进行仿真。对检测芯片聚集效果进行实验,结合荧光检测光纤尺寸特性得出检测芯片的最佳尺寸,可为实现大肠杆菌的快速检测提供有力的技术支持。     

14 MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算

快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。     

对于基因芯片实验的动力学范围和结果可重复性的研究

杂交动力学和实验结果的可重复性是基因芯片研究中十分重要的内容，以单基因模拟芯片对DNA芯片的杂交动力学进行了初步的研究：将不同含量的植物cDNA点在玻片上制成DNA芯片，利用体外转录的方法得到植物基因的mRNA，然后通过反转录方法把荧光标记到cDNA上，用不同含量的荧光标记cDNA对芯片进行杂交，根据结果分析了靶基因和探针含量变化对芯片杂交信号产生的影响，利用多基因模拟芯片分析了不同基因的杂交动力学特点；利用12800点的高密度芯片进行了2组不同的表达谱实验，对芯片结果的可重复性做了验证。     

表面粗糙度对蛋白质检测芯片性能影响的研究

微流控芯片因其样品消耗量小、易于集成、经济高效等优点已被广泛应用。为了研究表面粗糙度对蛋白质检测芯片性能的影响,通过数控机床和激光两种加工方式制备的毛细微流体芯片,分别从流动状态和蛋白质检测性能方面进行实验探究,得到了影响芯片性能的最优表面粗糙度范围,从而为芯片制备工艺参数选择提供依据。结果表明:一方面随着表面粗糙度的增大,接触角增大,液体流动减慢;另一方面随着粗糙度的增大,信噪比先增大后减小,当粗糙度为10～50 nm时,与待检测蛋白质分子直径相近,可以更精确地捕获并增强信噪比,检测效果更佳。因此,表面粗糙度可以改善芯片的性能,这项工作在蛋白质检测芯片的研究和应用方面具有广阔的前景。     

多芯片双面PCB的热应力分析

运用隔热材料和复合材料的计算公式,采用三维有限元方法,计算了单芯片组和多芯片组集成电路板的温度场和热应力场。数值模拟结果显示,芯片组与印刷电路板之间存在较大的剪应力,这可能是芯片剥离的原因之一。芯片位置对电路板的温度场和热应力场分布影响很大。合理地布置各芯片,可有效降低电路板的温度极值和应力极值。     

抗软错误SRAM单元设计

随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误可能通过改变基于SRAM的FPGA的存储单元配置而改变芯片功能.在此类型FPGA芯片内,SRAM单元存放着FPGA的配置数据,因此增强SRAM的抗软错误性能是提升FPGA芯片可靠性的最有效...     

电子封装器件翘曲问题的数值分析

考虑玻璃态转变温度（tg）对材料性能的直接影响，运用三维有限元分析法分别对单芯封装器件及多芯封装器件由于热变形引起的翘曲问题进行了分析，同时着重探讨了封装器件中各种材料的尺寸变化对翘曲的影响．计算结果表明：在单芯封装中，基底与芯片厚度比和封装材料与芯片厚度比的变化对翘曲影响较大，基底与芯片面积比和粘结层与芯片高度比的变化对整体翘曲影响较小；在多芯封装中，随着芯片厚度的增加，整体翘曲减少，而粘结层的厚度对整体翘曲影响较小，基底尺寸影响较大．这一结果为进一步封装设计提供了理论依据．     

板上芯片技术封装问题的探讨

本文介绍了板上芯片技术．讨论了封装对板上芯片技术的影响，给出了封装的实验结果．     

基于微流体芯片的准分子激光微加工技术的研究进展

微流体芯片作为一种新型的生物芯片被广泛应用在生命科学等领域,而准分子激光在生物芯片加工过程中有着快速、可控和高效的特点,正逐渐应用于微流体芯片的制造,并有着广阔的发展前景。简要介绍了微流体芯片的技术特点,重点介绍了近年来国外基于微流体芯片制作的准分子激光微加工技术的研究进展和应用,分析了影响准分子激光加工微流体芯片技术发展的因素,并对此技术的今后发展趋势进行了展望。     

芯片表面微翅片强化FC-72流动沸腾传热

为采用高效传热技术来提高芯片的冷却效率 ,保证芯片的正常工作 ,研究了不带电介质FC 72在微翅片尺寸 (厚度×翅片高 )分别为 5 0μm× 190μm ,5 0μm× 2 5 0μm ,10 0μm× 15 0μm和 10 0μm× 30 0μm的 4种强化面芯片表面的流动与沸腾传热性能 ,探讨了FC 72过冷度对沸腾传热的影响 ,并与光滑面芯片的沸腾传热性能进行了对比 .实验结果表明 ,随着FC 72过冷度的增大 ,所有实验芯片的临界热流密度增大 .强化面芯片的临界热流密度所对应的壁温低于 85℃ ,而光滑面芯片的临界热流密度所对应的壁温高于85℃ .在相同过冷度下 ,强化面芯片的最大热流密度是光滑面芯片的 7～ 9倍 ,表明微翅片结构能显著地强化不带电介质FC 72的沸腾传热     

用于三维封装的多层芯片键合对准技术

采用离心力使硅片直角边与模具凹槽直角边贴紧对准的思想,提出了一种用于三维系统封装的多芯片对准技术.基于该技术原理制作了对准装置,并实现了多芯片一次性对准键合(6层芯片).具体过程包括:加工带方形凹槽的模具;将芯片切割为形状一致的方形,并保证边缘整齐;将芯片置入凹槽并旋转模具,对准后停止旋转并夹紧固定堆叠芯片;将固定后的芯片转移至键合腔内实现键合,试验测试键合后对准误差为4μm.具体分析了影响多层芯片对准精度的因素,并提出了优化方案,论证了离心对准技术的可行性.     

全国政协副主席朱光亚谈影响二十一世纪的新技术

全国政协副主席、原中国工程院院长朱光亚院士,在前不久《跨世纪科学技术发展趋势》的报告中预测,芯片加工技术,灵境等高新技术等将对21世纪产生重大影响 芯片加工技术 当年386计算机处理器芯片采用1.5微米工艺,586机采用0.35微米工艺,含有330万个晶体管;     

低频大功率晶体管芯片的电子束退火研究

本文研究了电子束退火对低频大功率晶体管芯片的影响,结果证明,经电子束退火,芯片的机械抛光损伤、热氧化层错和位错都有显著减少.本文还研究了低频大功率晶体管的"云雾击穿".讨论了电子束退火对"云雾击穿"的影响.     

GaAs红外发光管芯片的表面性质

利用扫描电子显微镜观察 Ｇａ Ａｓ 外延层及 Ｉ Ｒ Ｌ Ｅ Ｄ 芯片的表面，测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化，讨论了 Ｇａ Ａｓ 红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响． 结果显示，芯片表面玷污、划伤，电极磨损，使输出辐射强度降低．     

国内LED封装技术的发展现状与趋势分析

LED封装的主要任务是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提高光取出效率的作用。在LED产业链中,LED封装是连接产业与市场的纽带。LED封装涉及到光、热、电等领域的知识,是一个综合复杂的课题,其中LED芯片、散热设计、封装材料等一直是影响LED封装质量的主要因素。本文首先介绍国内LED封装的发展情况,再结合LED封装的主要技术及目前的技术难点提出国内LED封装的发展趋势。