大功率晶体管材料参数计算与分析

为更好地研究大功率晶体管的工作原理,针对集电极最大允许耗散功率P=50 W的具体大功率晶体管参数要求,利用近似方法结合制造工艺条件进行综合分析,计算出大功率晶体管的晶片电阻率、基区和发射区表面浓度、外延层杂质浓度和电阻率等材料参数;并分析了材料质量对大功率晶体管成品率的影响和大功率晶体管的击穿原因,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。分析方法通过实验验证,具有较好的实用性。     

Si平面型大功率晶体管的BV_(EBO)问题——提高产品率的调查研究报告

在硅低频大功率晶体管生产中,往往由于发射结击穿电压BV_(EBO)不合格而成为降低成品率的主要问题。影响这个参数的原因可以是多种多样的。我们对工厂某高反压低大晶体管的生产进行了调查统计,作了一些实验和小批试生产,初步了解影响BV_(EBO)的一些具体原因,改进后对成品率有一定的提高。     

提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法

本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量.     

晶体管二次击穿特性研究

主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义．     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

辐射损伤的半导体元器件的电子束退火

常规的IRAN方法太繁锁,而且筛选周期较长.近年来我们进行的大量实验表明:用电子束辐照,电子束退火,可以作为IRAN的一种方法.实验方法本实验所采用的样品有CMOS电路,双极型晶体管.CMOS电路是国产CO36电路,其中有Al_2O_3膜,Si_3N_4膜、SiO_2膜钝化的CO36电路和没有钝化的CO36电路;双极型晶体管是经Al_2O_3膜钝化具有一定核加固能力的PNP型小功率管3CK_2和3CG型晶体管.     

Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究

构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.     

低频大功率晶体三极管的功耗限制电路

随着半导体技术的发展,晶休三极管的最大耗散功率也在不断提高。上千瓦,上百安的管子已经问世。使用大功率晶体管制作的设备功率可以高达几十千瓦,甚至更高。但是,大功率晶体管比起电子管来最大的弱点就是极易损坏。损坏的原因大致有如下几点:一、过电压击穿,特别是二次击穿;二、过电流热击穿;三、过功耗损坏。在通常的电路中多采用过压和过流的方式来对晶体管进行保护,这些方法都是行之有效的;但有时在使用中也经常发生电路中的电流和电压都没有超过管子的额定值而管子却损坏     

大功率晶体管在三相异步电动机调速中的应用

本文主要介绍一种简易的调速方式,它是利用大功率晶体管的开关特性,通过脉宽调制器对大功率晶体管的开关放大器开关时间进行控制,从而达到调节电机转速的目的.     

中间退火对薄SiO_2膜电击穿特性的影响

本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO_2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温度升高和时间增长而减少。与常规后退火比较,中间退火能更有效地改善干氧氧化膜的电击穿特性,也能改善湿氧氧化膜和TCE氧化膜的电击穿特性。经中间退火处理的干氧氧化膜,其固定电荷密度也稍有降低。     

激光损伤硅片背面对微缺陷的吸除效果

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。结果表明,这种方法能有效地吸除金属杂质和微缺陷,能显著提高少子寿命、改善Si/SiO_2的界面特性、降低PN结的漏电流、提高击穿电压和晶体管小电流放大系数,使KD45的成品率提高50％,     

带状电子束发散因素的分析

本文分析了带状电子束发散因素,从而有助于估算电子束流密度,为设计符合要求的、用于大功率二氧化碳激光器的电子枪提供了依据.     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

大功率双功率模块测量与控制电路

大功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)在现代广播、雷达发射机,特别是全固态调制器、高压开关电源中得到广泛应用。本文介绍了一种用于大功率PSM短波发射机全固态调制器的双功率模块测量与控制电路,该双功率模块控制采用微处理器和可编程逻辑芯片设计,因此具有工作电压低、损耗小等特点。     

改进型大功率晶体管自保护驱动器

本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护     

晶体管焊接逆变器及其能量损耗(英文)

本文主要通过晶体管焊接逆变器的模拟研究和大量的试验、测量,论述其基本工作原理.着重分析它的能量损耗的级成和规律,在电弧炸接复杂的过程中大功率晶体管的热损耗以及影响因素,并提出减少能量损耗和防止晶体管烧坏的途径,从而为正确设计和研制这种新型的弧焊电源以及提高其效率提供参考.     

基区调变晶体管的“交叉点击穿”

本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。     

硅合金结及扩散结晶体管h参数的温度关系

硅晶体管的温度应用范围比锗晶体管要宽广得多。因此硅晶体管参数的温度变化的研究对其更广的温度应用范围及大功率运用具有很大的意义。本文从实验方面研究了硅合金结及扩散结两     

巨型功率晶体管二次击穿检测

概述了双极功率晶体管二次击穿机理.介绍了二次击穿的测试电路和测试方法.讨论了降低电流型二次击穿的方法和防止电流型二次击穿的电路改进措施.     

退火处理对等离子体显示器中氧化镁薄膜特性的影响

研究了电子束蒸发法制备的氧化镁薄膜在退火处理过程中特性的变化.研究表明:退火处理改善了薄膜的结晶性,降低了红外光谱中水分子吸收峰的强度,并使得低温或低通氧气量制备的氧化镁薄膜的可见光透射比下降,且这些薄膜在退火处理中极易产生裂纹.薄膜的结晶取向或结晶性是薄膜可见光谱变化和表面裂纹产生的主要原因,薄膜表面光洁度对可见光谱变化影响不大.