钼钨纳米合金膜的制备及其微结构研究

利用羰基金属气相沉积方法，在Al2O3陶瓷基片上，以Mo(CO)6 W(CO)6为源，制备了Mo-W纳米合金晶膜.采用XRD和SEM技术，并与相同条件制备的Mo膜比较，研究了Mo-W合金晶膜的微结构．结果表明：该法制备的薄膜是以纳米粒子状态存在、具有超微结构的多晶膜材料．     

400-1100nm波段用于格兰泰勒棱镜减反射膜的研制

为提高格兰泰勒棱镜的透射率和使用带宽,研究了400-1100nm超宽带减反射膜的设计、制备．利用数值优化技术设计了多层膜;采用沉积Al2O3为过渡层的方法,提高了薄膜和晶体的附着力．用电子束沉积和离子束辅助沉积的方法制备了多层减反射膜．采用石英晶体振荡法监控膜厚和沉积速率．测量结果表明平均剩余反射率均小于1．7％．测试薄膜与冰洲石晶体的附着力性能良好．     

自清洁陶瓷光催化降解油酸特性的研究

制备了表面镀有ＴｉＯ２薄膜的自清洁陶瓷．利用ＸＲＤ、ＡＥＳ和原位光催化反应等方法研究了其光催化降解油酸的特性,考察了热处理条件、膜厚度、光照时间和陶瓷表面油酸浓度等光催化膜制备与反应条件对自清洁陶瓷光催化活性的影响．研究结果表明．油酸光降解为动力学一级反应;自清洁陶瓷的光催化活性决定于负载光催化膜的晶相组成、晶粒大小及其比表面积．     

一氧化硅制备的研究

ＳｉＯ是一种宽带隙半导体光学材料，广泛用于真空镀膜：Ｄ－Ｔ核反应绝对测量囚禁放射性氘的气体靶窗［１］；激光增透膜和反射膜；无线电元件、玻璃、塑料和纸类等基体的保护膜、绝缘膜，及装饰膜的原料．由于ＳｉＯ的生产条件苛刻，而多限于实验室制备［２，３］，不能满足市场需要，因此我们在由实验室条件过渡到规模生产过程中，对制备较高纯度（９９．９％）的ＳｉＯ条件进行了研究和改进．以下简述制备ＳｉＯ过程中的化学反应及其压力、温度和反应时间对产品质量的影响．１制备方法１．１制备流程原料－纯化－配料－预制反应物成形－…     

CVD金刚石薄膜的掺硼研究

主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长．采用热灯丝CVD法在硅上制备金刚石薄膜，采用三氧化二硼制备硼掺杂金刚石膜．利用拉曼光谱分析硼掺杂金刚石膜的生长情况．结果表明：硼的掺杂质量分数随生长时间延长而增大；利用SEM观察硼掺杂金刚石膜的表面晶粒变小；利用银浆在掺杂金刚石膜表面制备电极，测试电流随温度升高而变大.     

ZSM—5沸石膜的合成和表征

采用预吸附溶胶及原位水热合成方法，在多孔陶瓷管表面制备了ＺＳＭ－５沸石膜．Ｘ—光衍射测定表明陶瓷基质表面的膜层是纯ＺＳＭ－５沸石晶相；ＳＥＭ结果显示经多次重复合成的沸石膜层晶体相互交连，形成一种连续的多晶层，厚度约３０μｍ．Ｈ２／Ｎ２理想分离因子从原来陶瓷管基质的２．３２提高到３．６１，接近Ｋｎｕｄｓｅｎ扩散水平．这一研究表明采用预吸附溶胶及重复多次合成的方法可以制备出交连程度高的连续晶相沸石膜     

Mo/Si多层膜的制备及X射线衍射表征

采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜．通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的,界面清晰,与设计周期基本相同．通过Ｘ射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构,同时对Ｍｏ／Ｓｉ多层膜的位错密度等参数进行定量研究．结果表明,该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大,晶粒尺寸随周期厚度的减小而减小     

聚砜共混膜的透气性研究

用聚砜和添加剂的二甲基甲酰胺溶液制备了共混膜．并在室温下测定这些膜对二氧化碳 和氮气的透气性．实验表明，醋酸铜－聚砜共混膜具有较好的二氧化碳选择透过性．还讨论了制膜 条件对共混膜性能的影响．     

快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜光致发光的影响

采用在等离子体增强化学气相沉积(PFCVD)系统中沉积a-Si：H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si：H／SO2多层膜．用快速热退火对a-Si：H／SiO2多层膜进行处理，制备nc—Si/SiO2多层膜，研究了这种方法对a-Si：H／SiO2多层膜发光特性的影响．研究发现对a-Si：H／SiO2多层膜作快速热退火处理，可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰．研究了不同退火条件下发光峰的变化．通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析，探讨了a-Si：H／SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理．     

基于铝片生长的金颗粒膜的表面增强拉曼光谱活性研究

文章探讨了一种新的利用表面增强拉曼光谱活性衬底制备金颗粒膜的方法．用AuCl3水溶液在金属铝表面浸镀金镀层,制得金衬底,然后将金镀层放置在AuCl3和盐酸羟氨水溶液中使之还原生长,获得一定尺寸的金颗粒膜．通过紫外可见光谱研究该基底纳米粒子薄膜的光学特性,发现该金颗粒膜的吸收峰发生红移现象,并通过对结晶紫的表面增强拉曼光谱的峰位置和峰强度进行比较和分析,发现采用这种方法制备的金颗粒层具有显著的增强效应．     

SoC的可测试性设计技术

基于可复用的嵌入式IP（intellectual property)模块的系统级芯片（SoC)设计方法使测试面临新的挑战，需要研究开发新的测试方法和策略，结合系统级芯片的可测试性设计技术所面临的技术难点。详细介绍了当前系统级芯片的可测试性设计技术，分析了各种系统级芯片的可测试性设计技术的特点及其优缺点，着重讨论了国际工业界内针对系统级芯片测试的方案；IEEEP1500和虚拟插座接口联盟（VSIA）测试访问结构。     

浅议企业专利申请中的几个问题

知识经济时代的来临引爆了企业中的创新热潮。对于企业中大量的技术创新成果，及时进行专利申请是极为必要的。本文将从专利申请的可行性分析、专利申请中的事务管理及常用策略等几方面来进行相关阐述。     

分布式存储中的再生码综述

分布式存储系统中通过引入冗余提高系统的可靠性,纠删码作为重要的冗余策略在分布式存储中得到越来越多的重视.分布式存储系统中,当某个存储节点失效后,需要引入新的节点来修复失效节点的数据.传统纠删码冗余策略在修复失效节点时需要传输的数据量较大近年来出现的再生码对传统纠删码进行改进以减少修复失效节点的带宽消耗.再生码引入网络编码的思想,在修复失效节点时,参与修复过程的节点首先将本节点内的数据作线性组合后再上传,最终修复带宽消耗最小 介绍了再生码的基本概念,然后介绍单节点修复再生码和合作修复再生码的编码策略,最后总结再生码的发展和研究方向     

艾滋病治疗的预测分析

根据2006年全国大学生数学建模竞赛B题的相关数据，建立回归模型、方差分析模型、非参数检验模型，利用统计分析软件SPSS求解，对艾滋病的治疗进行预测分析．经分析认为，在25～30周病人体内CD4的浓度达到最大，HIV的浓度最小，治疗效果达到最佳，如继续服药，治疗效果不会有明显改善．从模型比较上认为非参数检验模型对艾滋病治疗的分析最优．     

艾滋病治疗的预测分析

根据2006年全国大学生数学建模竞赛B题的相关数据，建立回归模型、方差分析模型、非参数检验模型，利用统计分析软件SPSS求解，对艾滋病的治疗进行预测分析．经分析认为，在25～30周病人体内CD4的浓度达到最大，HIV的浓度最小，治疗效果达到最佳，如继续服药，治疗效果不会有明显改善．从模型比较上认为非参数检验模型对艾滋病治疗的分析最优．     

未知函数的尾部概率的鞍点逼近

鞍点逼近是一种对随机变量的密度或者分布进行逼近的方法,可将复杂密度函数或者分布化成一个简单,实用的形式,而且其误差较其他传统方法,比如正态逼近法及泰勒逼近法小得多,特别是在尾部概率的逼近方面优势明显。对已知函数进行逼近是简单的,但是实际试验中,试验数据的分布是未知的,本文对一组未知数据的尾部概率用两种不同的形式去进行近似。     

网络选址的两级决策模型

本文提出了以用户优化为下级决策,以设施选址优化为上级决策的网络选址两级决策模型,给出了树状网络下模型求解的基本定理及相应的算法,并从一个重要的反例出发,讨论了Braess佯谬与模型的联系。     

凸体p-非对称度的稳定性(英文)

证明了凸体p-非对称度在其最大最小值处的稳定性定理,其中关于1-非对称度在最小值1处的结论是该文的主要贡献。     

基于目标的新船构造标准对海事监管的影响

主要描述IMO关于基于目标的新船构造标准的现状,以及其对海事监管方面的影响.面对挑战,主管机关应该采取相应的行动去适应新标准带来的变化.同时,在新形势下找到合适的方法去监督船舶安全和保护环境.