| 一氧化硅制备的研究 |
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| 引用本文： | 周继萌,张坐奎.一氧化硅制备的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2000,37(1):115-117. |
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| 作者姓名： | 周继萌 张坐奎 |
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| 作者单位： | 四川大学原子核科学技术研究所,成都,610064 |
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| 摘 要： | ＳｉＯ是一种宽带隙半导体光学材料，广泛用于真空镀膜：Ｄ－Ｔ核反应绝对测量囚禁放射性氘的气体靶窗［１］；激光增透膜和反射膜；无线电元件、玻璃、塑料和纸类等基体的保护膜、绝缘膜，及装饰膜的原料．由于ＳｉＯ的生产条件苛刻，而多限于实验室制备［２，３］，不能满足市场需要，因此我们在由实验室条件过渡到规模生产过程中，对制备较高纯度（９９．９％）的ＳｉＯ条件进行了研究和改进．以下简述制备ＳｉＯ过程中的化学反应及其压力、温度和反应时间对产品质量的影响．１制备方法１．１制备流程原料－纯化－配料－预制反应物成形－…
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| 关 键 词： | 一氧化硅 制备 生产工艺 产品性能 |
| 文章编号： | 0490-6756（2000）01-0115-03 |
THE STUDY FOR PREPARATION OF SiO |
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| ZHOU Ji-meng,ZHANG Zuo-kui.THE STUDY FOR PREPARATION OF SiO[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2000,37(1):115-117. |
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| Authors: | ZHOU Ji-meng ZHANG Zuo-kui |
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