一种高性能低功耗两级全差分运算放大器设计

分析并设计了一种高速、高增益、低功耗的两级全差分运算放大器.该运算放大器用于高速高精度模数转换器中.运算放大器第一级采用增益自举cascode结构获得较大的直流增益,采用2个新的全差分运算放大器替代传统的4个单端运算放大器作为增益自举结构.该放大器采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计,电源电压1.8 V,直流增益125 dB,单位增益带宽300 MHz(负载3 pF),功耗6.3 mW,输出摆幅峰峰值达2 V.     

前馈型轨到轨恒跨导恒增益CMOS运算放大器

设计了一种恒跨导恒增益的轨到轨运算放大器.输入级采用一倍电流镜控制的互补差分对结构,实现轨到轨和恒跨导.通过分析运算放大器电压增益随共模电压变化的原因,提出了一种前馈型恒增益控制模块,可以根据共模电压开启或关闭附加电流源,使运算放大器电压增益保持恒定.输出级采用前馈型AB类输出结构,以达到轨到轨输出效果.采用Chartered公司0.35μm工艺进行流片,仿真及测试结果表明:该运算放大器的直流开环增益为125dB,单位增益带宽为8.879MHz,在整个共模范围内电压增益最大变化率为1.69%.     

带共模反馈的CMOS折叠式高增益运算放大器

提出了一种单电源5V供电的带共模反馈的两级折叠式运算放大器结构.折叠式运算放大器的输入共模反馈结构使输出共模电平维持在2.5 V左右,增益可达到90 dB以上,相位裕度为45°,同时增益带宽为33 MHz.     

精细数控放大器的设计

描述了一种可数字精细控制增益放大器的结构和设计方法,它可以用高分辨率电流型D/A转换器和运算放大器实现,调试容易,外接元件少,可以方便地和计算机接口.放大器增益的线性好、精度高,既可放大又可衰减,动态范围达100dB以上.阐述了放大器的工作原理,给出了采用AD7547和OP37的设计实例,讨论了放大器的频率响应及其增益分配等.     

低耗能流水线模数转换器的运算放大器设计与仿真

基于0.13,μm工艺,设计一个用于1.2,V低电压电源的10比特83MSPS流水线模数转换器的两级运算放大器.该放大器采用折叠共源共栅为第一级输入级结构,共源为第二级输出结构.详细介绍了运算放大器的设计思路、指标确定方法及调试中遇到的问题和解决方法.模拟结果显示:该运算放大器开环直流增益可达79.25,dB,在负载电容为2,pF时的单位增益频率达到838 MHz,在1.2,V低电压下输出摆幅满足设计要求,高达1 V,满足了10比特低电压高速度高精度模数转换器的要求.     

一种高性能全差分运算放大器的设计

设计了一种具有高增益、大带宽的全差分折叠式共源共栅增益自举运算放大电路,适用于高速高精度流水线模数转换器余量增益电路(MDAC)的应用,增益自举运算放大器的主放大器和子放大器均采用折叠式共源共栅差分结构,并且主放大器采用开关电容共模反馈来稳定输出电压,该放大器工作在5.0V电源电压下,单端负载为2pF,采用华润上华(CSMC)0.5μm 5VCMOS工艺对电路进行仿真测试,结果显示该运放的直流增益可达到126.3dB,单位增益带宽为316MHz。精度为0.01%时的建立时间为4.3ns。     

一种新型级联ΣΔ调制器系统结构

针对传统高阶级联ΣΔ调制器结构电路复杂和对运算放大器的增益和线性度要求较高的缺点,提出了一种新型的2-3两级5阶多位量化器级联ΣΔ调制器系统结构.该结构的第1级采用2阶多位量化器的低失真ΣΔ调制器结构,减小了运算放大器的非线性有限增益对调制器性能的影响.第2级采用信号传递函数等于单位增益的单环3阶ΣΔ调制器,而不是传统级联结构中1阶或2阶ΣΔ调制器,降低了电路的复杂程度.系统仿真结果表明：在最大增益为70 dB的非线性运算放大器增益、±0.2%的随机数模转换误差的非理想条件下,该调制器的最大信号噪声失真比能够达到95 dB.     

一种3.3 V/0.6μm轨对轨CMOS运算放大器的设计

基于0.6μm CMOS工艺,设计了一种轨对轨运算放大器.讨论了该运算放大器的原理、性能及设计方法,并进行了模拟仿真.此运算放大器采用了3.3V单电源供电,其输入共模范围和输出信号摆幅接近于地和电源电压,即所谓输入和输出电压范围轨对轨.其运放的小信号增益为77dB,单位增益带宽为4.32MHz,相位裕度为79度.由于电路简单,工作稳定,输入输出线性动态范围宽,非常适合于SOC芯片内集成.     

一种新型级联∑△调制器系统结构

针对传统高阶级联∑△调制器结构电路复杂和对运算放大器的增益和线性度要求较高的缺点,提出了一种新型的2-3两级5阶多位量化器级联EA调制器系统结构.该结构的第1级采用2阶多位量化器的低失真∑△调制器结构,减小了运算放大器的非线性有限增益对调制器性能的影响.第2级采用信号传递函数等于单位增益的单环3阶∑△调制器,而不是传统级联结构中1阶或2阶∑△调制器,降低了电路的复杂程度.系统仿真结果表明:在最大增益为70 dB的非线性运算放大器增益、±0.2%的随机数模转换误差的非理想条件下,该调制器的最大信号噪声失真比能够达到95 dB.     

一种新型电流镜运算跨导放大器的设计

针对传统低压微功耗电流镜运算跨导放大器存在低增益和小摆率的缺陷,设计了一款新型电流镜运算跨导放大器。在不影响电路的静态功耗和稳定性的基础上,该运算跨导放大器采用增益提高(gain-boosting, GB)结构,增大了电路的小信号增益;引入开关型摆率增强(switched slew-rate enhancement, SSRE)结构,提高了电路的大信号摆率。基于UMC 0.11μm标准CMOS工艺进行电路设计和仿真。仿真结果表明：在1.2 V电源电压和10 pF负载电容下,与传统电流镜运算跨导放大器相比,设计的新型电流镜运算跨导放大器的增益提高了47 dB,正摆率提高了11.2倍,负摆率提高了12.4倍。     

低孔低渗气藏高效低伤害压裂液研究

根据延长气田低孔低渗的特点,研究了一种能够适应该储层的高效低伤害压裂液。通过对压裂液各个组分的配比的研究优化出此压裂液的最佳配比,并进一步研究了此压裂液的抗剪切性能、携砂性能、破胶性能以及对地层的伤害性,发现本压裂液有着强稳定能力、流变性强,携砂能力强,破胶快及低伤害等特点,现场进行5口井的压裂施工试验,结果证明对延长油田低孔低渗气藏有较好的压裂增产效果。     

用于植入式医用芯片的低电压低功耗SAR ADC

为适应植入式医用芯片的使用要求,给出一低电压低功耗逐次逼近型模数转换器(SARADC)的设计。从降低功耗出发,提出了一种新的能量高效开关策略。与传统开关策略相比,电容阵列的平均开关能量减少了68%,电容阵列的面积仅为传统开关策略的50%;采用带校正的动态比较器,在提高精度的同时可以降低功耗;采用异步时钟,省略了高频时钟产生器,进一步降低了功耗。提出的5 Ms-111位SAR ADC采用SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺流片。供电电压低至1 V,功耗仅为0.236 mW,SNDR,SFDR分别达到55.1,68.38 dB。核心面积为650μm×1 000μm,符合植入式系统的要求。     

酸性媒介黑T低温低铬染色工艺的探讨

对酸性媒介黑Ｔ低温低铬染色工艺进行试验研究．结果表明，用氨／盐溶液在一定条件下预处理的羊毛，在８０～８５℃下加适当稀土染色、其上染率高于常规染色，染色牢度达到常规染色水平，并能减少红矾用量、降低纤维损伤、节约能量和染料、降低铬污染．     

大连市低碳发展初探

低碳发展已成为全球经济发展趋势,大连市节能减排工作成效显著,但产业结构转型压力较大,缺乏有效的低碳技术研发激励机制,碳金融产品匮乏。大连市实现低碳发展,必须科学制定低碳经济发展战略,改善能源结构并提高能源利用效率,建立多元融资机制,促进低碳产业的发展,积极参与低碳化的国际合作,规划和推进低碳社会建设。     

曼地亚红豆杉的半致死温度与对低温的适应性

红豆杉树皮是一种最重要的提取紫衫醇的原料，但其生长缓慢，资源匮乏，而曼地亚红豆杉的自然杂交品种叶片中的紫衫醇的含量很高，生长迅速，可通过大力栽培解决原料不足的问题。在引种栽培蔓地亚红豆衫的试验过程中，抗寒性是决定其是否能够引种栽培成功的关键因素之一，而半致死温度能较直观，准确地反映植物的抗寒能力，半致死温度的测定常采用电导法。采用电导法对引种栽培的2个曼地亚红豆衫(T.media)品种Hicksii和Dark Green Spreader(DGS)进行低温半致死温度的测定，并与其生境中的自然温度变化相比较，结果表明，在自然降温的过程中，两个曼地亚红豆衫杂交品种的低温半致死温度随气温的下降而不断的降低，两品种的低温半致死温度分别为-13．3℃和-12．6℃，均对引种栽培地低温有较强的适应性，又Hicksii品种比Dark Green Spreader品种的抗寒能力略强。因此从理论上讲，两种曼地亚红豆衫品种均可在栽培地及与栽培地相同的生境下栽培成功。     

低NO_x燃烧技术及典型低NO_x燃烧器的结构原理

介绍了NOx产生的机理,阐述了低NOx燃烧技术及低NOx燃烧器的原理和分类,并对低NOx燃烧器的结构方式、使用效果和未来发展进行了探讨。     

低孔低渗储层物性下限确定方法及其适用性

低孔低渗油气储层存在巨大的开发潜力,而物性下限是评价低孔低渗储层的一个重要参数。针对低孔低渗储层的物性下限,国内外专家学者进行过诸多研究,但缺乏方法对比分析及适用性研究。鉴于此,在阅读大量国内外文献的基础上,概述了储层物性下限这一概念的来源及定义;结合实例归纳了低孔低渗储层物性下限的影响因素;总结了3类确定方法：以岩芯资料为基础的方法、岩芯与试油资料相结合的方法、以测井资料为基础的方法,阐述了每种方法的适用性,建议根据研究区地质背景、资料占有情况选择适当方法,并且要多种方法相互结合验证。在此基础上,分析了储层物性下限研究的发展趋势,以期对低孔低渗储层物性下限更进一步的研究提供支持。     

低功耗数字系统设计方法

首先对集成电路的功耗来源进行简要的分析。在此基础上,按照不同的设计层次,分别介绍了系统层、寄存器传输层、版图层的各种主要的低功耗设计技术,重要分析了不同技术的基本思路和进一步发展的方向。最后,从整体设计流程的角度介绍了前馈型的设计方法,进一步指出高层设计层次中的低功耗设计方法和技术在未来数字系统功耗设计中的重要性。     

低渗低压水平气井压裂研究及实践

水平井技术已逐渐成为油田提高采收率和开发综合效益的重要手段,国内外应用情况表明,钻遇在低渗透油藏的水平井,不经过压裂酸化改造很难达到工业开采价值。从区域地质特征及井况条件出发,充分研究了压裂液、支撑剂选择、压裂管柱结构以及压裂规模等方面,通过优化设计,确定了适合低渗低压水平井的压裂的前置多段塞、大排量造缝、降排量携砂及施工方案优化等压裂技术措施。对红台2-17井进行了大型压裂施工试验,取得了较好的增产效果,为国内低渗储层低压水平气井压裂提供了宝贵的经验。     

一个0.9 V电源电压16位300 μW音频ΣΔ调制器

设计了一个应用于0.9 V电源电压,精度达16 bit,功耗仅为300μW的音频ΣΔ调制器.调制器采用了前馈单环三阶结构,以降低整个调制器的功耗;并采用时钟自举电路以实现低电压下CMOS开关的良好导通.芯片采用SMIC 0.18μm一层多晶六层金属工艺进行设计和仿真,芯片核心部分面积为0.7 mm×0.66 mm.后仿真结果显示该调制器在20 kHz的音频信号带宽范围内信噪比可达93 dB.