a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

交叉脱氢偶联反应研究进展

交叉脱氢偶联(CDC反应)是在氧化条件下直接通过两分子反应底物C—H键的断裂而形成C—C键的一种高效率、高原子经济性的直线合成方法.本文按照以下分类,含有胺N原子α-C—H键底物的CDC反应;含有醚O原子α-C—H键底物的CDC反应;烯丙基和苄基底物进行的CDC反应;烷烃的CDC反应,详细综述了近年来该领域的一些研究进展.     

1,2-C_2H_4BrCl分子光解离机制的理论研究

采用考虑了旋轨耦合的从头算方法计算研究了1,2-C2H4BrCl的光解.计算了1,2-C2H4BrCl分子的若干电子态的垂直激发能.用MS-CASPT2/CASSI-SO方法计算了1,2-C2H4BrCl分子C-Br解离的势能曲线.根据计算结果清晰地指认了1,2-C2H4BrCl分子的解离通道:C2H4Cl+Br(2P3/2)和C2H4Cl+Br*(2P1/2).     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。     

两种等离子体化学气相沉积制备类金刚石薄膜摩擦性研究

采用平行板电容耦合射频辉光放电化学气相沉积(RF-PECVD)装置,在镀有TiN/Ti过渡层的碳钢表面制备类金刚石膜(DLC),以及直接在基材表面制备掺氮的类金刚石膜,研究成膜内应力减小机理.通过对成膜表面的傅里叶变换红外光谱(FTIR)、激光Raman光谱、X射线光电子能谱(XPS)的测试,分析成膜表面的组分和微观结构对薄膜的性能影响.以薄膜表面摩擦因数的大小,初步评估试样的耐磨程度,研究α-C:H及α-C:H(N)薄膜的摩擦学性能与其结构的关系.     

一种新的非晶钝化膜a—Si_xC_(1-x)∶H膜

本文介绍了一种新的钝化膜——a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜在硅器件表面上的应用,实验结果表明:这种膜的钝化效果和a—Si∶H类似,在某些方面更好些,文中还对这种膜的钝化机理作了初步探讨。     

有机钛取代的Keggin型硅钨杂多化合物的合成、表征及其生物活性研究

制备了一种有机钛取代的Keggin型硅钨杂多化合物———α-K4H3[(CpTi)3S iW9O37].11H2O(缩写为α-(CpTi)3S iW9Cp=η5-C5H5)。通过元素分析、IR、UV-V is、TG、1H NMR和183W NMR等研究方法对其结构进行表征,结果表明该化合物仍然保持Keggin型母体结构。生物活性实验表明有基钛取代的化合物具有很好的体外抗肿瘤活性。     

C_7H_15自由基裂解反应机理及速率常数的理论研究

采用CBS-QB3方法构建了C7H15自由基裂解反应势能剖面。计算结果表明,4种不同构型的C7H15自由基(1-C7H15,2-C7H15,3-C7H15,4-C7H15)发生多种不同类型的β位断裂,裂解成C2—C6烯烃和新的自由基。新的自由基继续发生β位断裂,形成诸如CH3自由基以及CH2CH2、CH3CHCH2等烯烃。此外,利用VKLab程序包及Wigner校正模型在200~3 000 K温度范围内计算了4种C7H15自由基各类β位断裂反应速率常数。其中1-C3H7→C2H4+CH3反应速率常数的结果与试验结果非常吻合。     

氢化非晶碳膜导电机制的探索

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR -CVD)方法 ,以苯为气源 ,在不同基片温度下制备了氢化非晶碳膜 (a -C :H) ,对样品进行了伏安特性测试。考察了基片温度对样品电阻率与击穿场强的影响 ,结合薄膜含氢量、SEM、Raman散射等分析手段探索了a -C :H膜的导电机制     

几个二价稀土金属配合物的催化甲基丙烯酸甲酯聚合反应活性研究

研究了二价稀土金属配合物(η5:η1-C9H6CH2CH2CH2NMe2)2YbII(1),[{η5:η5:η1-(C9H5CH2SiMe2NC4H8)2}EuI2I(μ-Cl)]2[μ-η3:η5:η1:η3:η5:η1-(C9H5CH2SiMe2NC4H8)2].C7H8.(C6H6)0.5(2),and[η5:η1-C9H6CH2SiMe2NC4H8]2YbII(3)催化甲基丙烯酸甲酯聚合活性.探索了催化剂与MMA单体摩尔比、溶剂的极性、温度对MMA聚合反应的影响.     

Ni在酸性介质中钝化的现场X-射线衍射

采用θ-2θ型粉末衍射仪对Ni在H2SO4介质中的钝化过程进行了现场X-射线衍射(XRD)观测,同时收集Ni电极/溶液界面两侧的XRD谱图,采用差谱法分析Ni钝化前后界面两侧的结构变化.结果表明,钝化电位下,更多的H2O分子进入Ni电极表面及附近,其数目随钝化电位的升高而增大.H2O分子参与Ni的钝化过程,在Ni的钝化过程中起着重要的作用.钝化膜的厚度随着钝化电位的升高而增大.     

单取代环戊二烯基金属羰基配合物的合成及晶体结构

配体C5H5R[R=CH2Ph(1),nBu(2)]分别与Fe(CO)5,Ru3(CO)12在二甲苯中加热回流,得到了3个新的双核配合物[(η5-C5H4CH2Ph)Fe(CO)(μ-CO)]2(3),[(η5-C5H4nBu)Fe(CO)(μ-CO)]2(4)和[(η5-C5H4CH2Ph)Ru(CO)(μ-CO)]2(5).通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱对配合物的结构进行了表征,并用X射线单晶衍射法测定了配合物5的结构.结果表明:晶体属于单斜晶系,P21/m空间群,a=0.678 94(13)nm,b=1.225 8(2)nm,c=0.781 16(13)nm,α=90°,β=113.407(2)°,γ=90°,V=596.61(19)nm3,Dc=3.477g/cm3,μ=2.597mm-1,F(000)=620,Z=2,R1=0.022 6,wR2=0.059 5.CCDC:881473.     

大位阻胍基化合物[2,6-iPr2-C6H3NC(NMe2)NLi]2Et2O的合成和结构

以2,6-二异丙基苯胺为原料,通过锂化和无α-H的腈加成等多步反应,得到了胍基化合物[2,6-iPr2-C6H3NC(NMe2)NLi]2Et2O,该化合物的结构用X-ray,1H NMR,13C NMR和元素分析进行了表征.其反应性和产物结构与其类似物进行了比较.     

半三明治(1,3,5-C3P3H3)M和三明治(1,3,5-C3P3H3)2M(M=Li+-K+,Be2+-Ca2+)配合物的结构与芳香性的理论研究

运用密度泛函理论(DFT),研究1,3,5-C3P3H3、(1,3,5-C3P3H3)M和(1,3,5-C3P3H3)2M(M=LI+-K+,Be2+-Ca2+)的结构、键和能以及芳香性.结果表明.1,3,5-C3P3 H3、(1,3,5-C3P3 H3)M和(1,3,5-C3P3H3)2M的基态结构分别为D3h、C3v和D3d对称性;(1,3,5-C3P3H3)2M的交错(D3d)和重叠(D3h)两种构型的旋转势能面较平坦,金属离子与配体间主要以静电作用相结合,第一、第二主族三明治配合物的解离方式不同,其中(1,3,5-C3 P3H3)2Mg2+的解离能最大,配合物最稳定;除(1,3,5-C3P3H3)Mg2+和(1,3,5-C3P3H3)2Be2+为中心反芳香性外,其他配合物都具有芳香性,其中心芳香性较自由配体降低,且内侧芳香性大于外侧芳香性;芳香性的主要贡献来源是C-P π键.同主族三明治配合物的芳香性随着金属原子序数的增加而增强.     

羟基取代脂肪族一元酸的电子结构与化学反应性的讨论

为引导和构建结构决定性质教学,通过含羟基取代的直链型脂肪族羧酸化合物羟基代十一酸的空间构象和电子结构分析,获得α-羟基十一酸的α-C-COOH单键旋转能垒为9.0337 kcal/mol和α-C-OH键单键自由旋转能垒为28.1556 kcal/mol,表明α-C-OH键单键旋转受阻;羟基酸化合物的碳原子电荷受羟基氧原子和羧基影响,随链长度n取代羟基,α-C、β-C、γ-C、δ-C、ε-C、ζ-C等碳原子负电荷减少;羟基取代酸体系能E随n位羟基取代关系E=-614.651 0.059/n(2≤n≤11).     

C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究

对等离子体增强热丝化学气相沉积(PE-HFCVD)Si衬底上合成的C-N薄膜进行了研究.利用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)等对C-N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析.结果证实:在Si衬底上能形成了α-C3N4和β-C3N4混合相,且气流中V(NH3):V(CH4)的比值直接影响C-N薄膜中混合相的含量.由于α-C3N4和β-C3N4相之间存在的竞相生长,导致晶粒很难长大,从而形成聚晶结构,每个聚晶由大量的纳米晶组成.还对氮化碳的形核生长进行了一些探讨.     

氢化非晶硅膜在半导体器件表面钝化上的应用

本文叙述一种新的钝化膜——氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜在硅半导体器件表面钝化上的应用。发现这种薄膜复盖于器件表面可以使PN结的反向漏电流明显减小,器件的小电流h_(FE)有较大幅度的提高。试验了三种不同的钝化方案,并对其钝化效果作了比较。根据实验结果,初步探讨了这种氢化非晶硅薄膜的钝化机理,指出其良好的钝化作用在于这种薄膜具有半绝缘、电中性和富含氢的特点。给出了钝化器件的长期可靠性试验结果。     

镀锌层无铬钛盐的蓝色钝化

探讨了镀锌层钛盐溶液钝化替代传统的铬酸盐镀锌层蓝色钝化的工艺和形成蓝色钝化膜的机理.通过对镀锌层钛盐溶液pH值、温度和钝化时间的优选试验,获得了色泽均匀、耐腐蚀性能优良的蓝色镀锌钝化膜层.蓝色镀锌钝化膜表面成分分析的结果表明:钛盐溶液获得的钝化膜主要成分为Zn4Si2O7(OH)2·2H2O,SiO2,TiO2和ZnO等.受钛盐溶液pH值、温度和钝化时间的影响,镀锌钝化膜的外观色泽(从蓝色向彩色)、膜层表面微观形貌、成分和耐腐蚀性能均发生变化.     

纳米流体强化CO2鼓泡吸收实验

利用两步法制备了多种乙醇基质纳米流体,建立了一套纳米流体强化气体吸收实验装置,分别测试了CO2在体积分数为0．01％-0．10％的Al2O3-C2H50H、MgO-C2H50H、SiO2-C2H5OH、TiO2（5nm）．C2H50H、TiO2（25nm）．C2H50H、Ti02（60nm）-C2H50H纳米流体中的吸收浓度曲线,得到了纳米流体的体积分数、纳米粒子的种类和粒径等因素对C02吸收过程的影响．实验结果表明,纳米流体的吸收强化效果随着纳米粒子体积分数的增加而增加,并且随着纳米流体中纳米粒子粒径的增加而减少．此外,还对纳米流体强化CO2吸收过程的机理进行了分析．     

GDa-Si:H薄膜的—新发光峰

GDα-Si:H薄膜作为廉价大面积太阳电池的基本材料日益显示出广阔的前景,人们已进行了大量的研究工作。然而对α-Si:H基本性质的许多问题至今尚未解决。由于光致发光谱可以探测α-Si:H的带尾和其他局域态的性质,故对GDα-Si:H薄膜光致发光的研究是当前基础研究的一个重要课题。迄今为止,人们已经发现α-Si:H薄膜有五个发光峰:(1)主发光峰。尽管对