x3（G）—X3（G^—）的可达下界

引入了最佳配点，最佳配邻点集的概念，讨论了３－色数的界，给出了ｘ３（Ｇ）＋ｘ３（Ｇ＾－）的可达下界。     

GL（V）的表示T→K^Gψ（T^—t）^t）及其应用

当ψ是由Ｇ的不可约实表示提供的特征标ｘ和Ｇ提供的球带函数时，讨论了ＧＬ（Ｖ）的表示Ｔ→Ｋ＾Ｇψ（Ｔ＾－１）＾ｔ），得到了这种表示的一个完全的简化，并且给出了这类球带函数诱导的矩阵函数属于ＭＰＷ的充分条件。     

用G—L理论计算磁在Josephson隧道结中的穿透深度

该文用Ｇ－Ｌ理论计算得出磁场在Ｊｐｓｅｐｈｓｏｎ隧道结中的穿透深度值为λｊ＝」ｍｃ＾２／８πｅ＾２ ξ＾２００．７４＾２／ρ０ｃｏｓ（γ２－γ１）／２Ｔｃ／（ｄ＾２－ｘ＾２）（Ｔｃ－Ｔ０」＾１／２这一结果表明λｊ与空间位置Ｘ有关。     

方程x（t）=—f（x（t）,x（t—r1）,x（t—r2））非常数周期解的…

研究了方程ｘ（ｔ）＝－ｆ（ｘ（ｔ），ｘ（ｔ－ｒ１），ｘ（ｔ－ｒ２））（Ａ）非常数周期解的存在性。证明了在某些条件下，方程（Ａ）有以４ｒ１／（１＋４ｎ）（ｎ为非负整数）为周期的非常数振动的周期解。     

关于群的计数的几个渐近公式

令Ｃ（ｘ），Ａ（ｘ），Ｎ（ｘ）分别表示阶ｎ≤ｘ且任一ｎ阶群都是循环群，Ａｂｅｌ群，幂零群的自然数ｎ的个数，本文证明了：Ｃ（ｘ）＝ｅ＾－ｒ／ｌｏｇ３ｘ＋Ｏ（ｘｌｏｇ４ｘ／ｌｏｇ＾２３ｘ），Ａ（ｘ）＝ｅ＾－ｒｘ／ｌｏｇ３ｘ＋Ｏ（ｘｌｏｇ４ｘ／ｌｏｇ＾２３ｘ），Ｎ（ｘ）＝ｅ＾－ｒ／ｌｏｇ３ｘ＋Ｏ（ｘｌｏｇ４ｘ／ｌｏｇ＾２３ｘ），Ｎ（ｘ）－Ａ（ｘ）＝ｅ＾－ｒｘ／ｌｏｇ＾２３ｘｌｏｇ＾２３ｘ＋Ｏ（ｘｌｏｇ＾     

关于X_4~T（G）＋X_4~T（G）的可达下界问题

解决了张忠辅等人提出的如下问题：确定的可达下界，其中表图Ｇ的４－全色数，表Ｇ的补图。     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

环／Z（2^d）上本原序列的保熵映射类

设ｆ（ｘ）是环Ｚ／（２＾ｄ）上强本原多项式,Ｇ（ｆｘ））＾ｄ表示Ｚ／（２＾ｄ）上以ｆ（ｘ）为特征多项式的序列的全体,Ｆ２＾∞是Ｆ２＝Ｚ／（２）上序列的全球,η（ｘ０,ｘ１,…,ｘｄ－２）是任一ｄ－１元Ｂｏｏｌｅ函数,φ（ｘ０,ｘ１,…ｘｄ－１）＝ｘｄ－１＋η（ｘ０,ｘ１,…,ｘｄ－２）是ｄ元Ｂｏｏｌｅ函数,证明了压缩映射。     

应用离子选择性电极进行溶液热力学研究（Ⅵ）：RbCl在（H2O—DF）混？…

应用Ｃｏｒｉｎｎｇ一阶阳离子选择性电极Ｏｒｉｏｎ固态氯离子选择性电电极组成无液接可逆电池Ｃｌ＾－１－ＩＳＥ／ＲｂＣｌ（ｍ）,Ｈ２Ｏ（１－ｘ）,ＤＭＦ（ｘ）／Ｍ＾＋－ＩＳＥ通过测定上述测量电池的标准电动热。     

CBHe^n＋（n=0,1,2）元素簇合物的量子化学研究

用ａｂ ｉｎｉｔｉｏ研究了元素簇合物ＣＢＨｅ＾ｎ＋（ｎ＝０，１，２）基态的三种平衡几何构型，即线型Ｃ－Ｂ－Ｈｅ＾ｎ＋，Ｂ－Ｃ－Ｈｅ＾ｎ＋和Ｔ型ＣＢＨｅ（Ｔ）＾ｎ＋，讨论了其成键性质，势能曲线和稳定性。计算中采用了６－３１Ｇ＊＊，６－３１１Ｇ＊＊和６－３１１Ｇ（３ｄｆ，２ｐｄ）基组。所采用的方法有ＭＰ２（ＦＵＬＬ），ＭＰ４（ＳＤＴＱ）和ＳＴ４ＣＣＤ。研究结果表明，在元素簇合物ＣＢＨｅ＾ｎ＋中，Ｈｅ与     

关于不完整三角和的估计

本文改进了华罗庚关于不完整三角和的著名结果，我们主要证明了：│Σ＾ｍｘ＝１ｅｑ（ｆ（ｘ））－ｍ／ｑＳ（ｑ，ｆ（ｘ））│〈４／ｘ＾２（ｌｏｇｑ＋γπ＋３／４－ｌｏｇπ／２）ｅ＾２ｋｑ＾１－１／ｋ＋２／π（２－１／π）ｅ＾２ｋｑ＾－１／ｋ。其中ｆ（ｘ）＝ａｋｘ＾ｋ…＋ａ１ｘ＋ａ０为一整系数多项式，且（ａ１，ａ２……＋ａｋ，ｑ）＝１，γ为Ｅｅｎｌｅｒ常数，ｑ≥２整数。     

关于不定方程组（m＋2）x^2—my^2=2,（4m＋4）y^2—（m＋2）z^2=3m＋2

研究了不定方程组（ｍ＋２）ｘ＾２－ｍｙ＾２＝２,（４ｍ＋４）ｙ＾２－（ｍ＋２）ｚ＾２＝３ｍ＋２（ｍ∈Ｎ且为奇数）,给出了求解正整数解的一种方法。     

4连通无爪图的最长圈

设Ｇ为ｎ阶４连通远爪图，δ＝ｍｉｎ（ｄ（ｘ）／ｘ∈Ｖ（Ｇ）），则当ｎ≤６δ－１１时Ｇ为Ｈ图，当ｎ≥６δ－１０时，ｃ（Ｇ）≥５δ－７。     

积分方程∫（x,∞）e^—1／2y^2dy／∫（—∞,x—√a）e—^1／2y^2dy=q的…

在复化辛卜生公式的基础上构造了计算∫（－ｘ，∞）ｅ＾－１／２ｙ＾２ｄｙ的动态公式，对动态公式进行了误差分析，给出了公式的误差界小于等于１０＾－６，并综合０．６１８法，给出了积分方法∫（ｘ，∞）ｅ＾－１／２ｙ＾２ｄｙ／∫（－∞，ｘ－√ａ）ｅ＾－１／２ｙ＾２ｄｙ＝ｑ的一种数值求解方法。     

关于Hennekemper的一个基本不等式

用与Ｈｅｎｎｅｋｅｍｐｅｒ不同的方法研究了（ｆ＾ｋ＋１）＾（ｋ）的值分布，将Ｈｅｎｎｅｋｅｍｐｅｒ所得的基本不等式推广至小函数情形，得到了如下定理：设ｆ为超越亚纯函数，Ｆ＝（ｆ＾ｋ＋１）＾（ｋ），ｋ∈Ｎ，ψ为非零的小函数，则Ｔ（ｘ，ｆ）≤（１＋２ｋ＋１／４ｋ＾２＋２ｋ－１）Ｎ（ｒ，１／ｆ）＋４ｋ＋２／４ｋ＾２＋２ｋ－１Ｎ↑－（ｒ，１／Ｆ－ψ）＋Ｓ（ｒ，ｆ）。     

应用离子选择性电极进行溶液热力学研究（X）^＊—RbCl在（ …

应用Ｃｏｒｎｉｎｇ一价阳离子选择电极（Ｍ＾＋￣ＩＳＥ）和Ｏｒｉｏｎ氯离子选择性电极（Ｃｌ＾－￣ＩＳＥ）组成可逆电池,即Ｃｌ＾－￣ＩＳＥ／ＲｂＣｌ（ｍ）,Ｈ２Ｏ（１－ｘ）,ＤＭＦ（ｘ）／Ｍ＾＋￣ＩＳＥ 通过测定上述测量电池的标准电动势（Ｅｍ＾０／ｍＶ）,根据溶液热力学原理,运用扩展的Ｄｅｂｙｅ－Ｈｕｅｃｋｅｌ公式,计算求得了ＲｂＣｌ由Ｈ２Ｏ至（Ｈ２Ｏ￣ＤＭＦ）混合溶剂的标准迁移自由能（ΔＧｔ＾０／ｋ     

独立数和最小度与f—因子

对图存在ｆ－因子涉及到独立数和最小度条件进行了研究，得到了下列结果：设ａ，ｂ为整数且ｈ≥ａ１，ｂ≥２，Ｇ是一个有ｎ个顶点的连通图且ｎ≥（ａ＋ｂ）＾２／ａ，ｆ（ｘ）是定义在Ｖ（Ｇ）上的非负整数函数，满足Σｘ∈ＶＧ）ｆ（ｘ）是偶数且α≤ｆ（ｘ）≤ｂ。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

排队系统GI^（x）／GI／1的平稳分布性质

利用随机游动性质得到了当系统达到平稳状态下,成批排队系统ＧＩ＾（ｘ）／ＧＩ／１的等待时间及ＧＩ＾（ｘ）／Ｍ／１的队长的平稳分布性质,并将这一结果应用于保险业。     

x_3（G）＋x_3（_G~－）的可达下界

引入了最佳配点、最佳配邻点集的概念，讨论了３－色数的界，给出了ｘ＿３（Ｇ）＋ｘ＿３的可达下界．