树脂薄膜光降解控制因素预测神经网络模型

利用试验室加速试验得到的不同配方COPO树脂薄膜的光降解试验数据，在分析薄膜降解各因素的基础上，选取薄膜降解后的力学性能3个指标为输入值，以COPO树脂薄膜降解的主要控制因素：环境温度、光照时间、光敏母料含量为输出值，利用MATLAB6．1软件中的神经网络工具箱建立了COPO树脂薄膜光降解控制因素预测的BP神经网络模型。讨论了模型的样本划分、网络参数、模型预测误差，选出最佳网络参数配置。模型预测精度高。     

不同光照水平下白酒草 (Conyza japonica)氮、镁元素的分配

对多年生草本植物白酒草在高、中、低3个光照水平下，氮和镁在根、茎、叶中的分配进行了研究．结果表明：光照水平显著的影响了白酒草对叶和根的氮和镁的分配，而对于氮和镁在茎中的分配没有显著影响．高光照水平下，更多的氮和镁被分配到根中．低光照水平下．白酒草将较多的氮和镁分配至叶中．不同光照水平下白酒草氮镁分配方式和生物量分配方式的相似性说明．在氮和镁的分配利用上，植物也存在功能平衡作用．是植物生长和光合作用反馈调节的结果．     

不同光照水平下叶损失对樟(Cinnamomum camphora)生物量分配的影响

对不同光照条件及叶组织受损程度对植物生物量分配的影响进行了研究．结果表明：光照条件不同和叶损失程度不同都会导致植物物质分配方式的变化．高光照水平下，植株加大对根的生物量分配，低光照水平下增加对叶的生物量分配，中度光照条件下植株对根和叶的分配则处于两者之间；叶组织损失使植株加大对叶的生物量投资，不同处理阶段结果有所不同；低光照条件下，叶损失植株对叶的生物量分配显著高于高光照下的叶损失植株．     

常温直流对靶溅射制备高TCR氧化钒薄膜

常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数（TCR）氧化钒薄膜．通过设计正交试验，系统分析了Ar和O2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响．对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试，TCR达到-3．3％／K，室温方块电阻为28．5kΩ，个别样品的TCR达到-40%／K以上．扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）的形貌分析显示，这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜，晶粒尺寸在纳米数量级．X射线光电子能谱（XPS）分析发现，高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近＋4价．所有结果表明，制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求，且该工艺能与CMOS工艺兼容．     

不同因子对绞股蓝培养细胞的总皂甙和总黄酮影响的初步分析

不同光照条件对绞股蓝培养细胞的总皂甙含量无显著影响,在光照条件下总黄酮含量较黑暗条件下高．在蔗糖30g／L、葡萄糖40g／L时,总皂甙和总黄酮的含量最高．琼脂糖浓度0．1％时,最有利于总皂甙和总黄酮的积累．     

真空反应蒸发法制备ZnO透明导电薄膜

以ＺｎＣｌ２作为蒸发源，采用真空反应蒸发技术制备出具有高透过率和电导率的ＺｎＯ薄膜．对制备薄膜的结构，电学和光学特性进行了测量．     

低温环境下光照强度对野古草种子萌发的影响

通过模拟重庆地区冬季和初春的低温环境，研究低温环境中不同强度光照环境下野古草种子的萌发对策．结果表明：在低温环境中，野古草种子有一定时间的休眠和低的萌发率；相对于高光照和中光照环境，野古草种子在低光照环境中有更高的萌发率，同时，野古草种子的休眠率和达10％萌发率的时间呈现出随光照减弱而减少的趋势，发芽势呈现出随光照减弱而增强的趋势．说明野古草能在冬季或初春季节进行萌发，但存在休眠现象，并且高光照环境不利于野古草种子的萌发。     

磁控溅射TiN薄膜工艺参数对显微硬度的影响

测试了各种工艺参数下磁控溅射制备TiN薄膜的显微硬度，并研究了TiN薄膜硬度随偏压、N2流量及溅射功率的变化．实验结果表明：N2流量对薄膜性能和结构影响较大，随着N2流量的增加，氮化钛薄膜的硬度先急剧上升，到15mL／s时达到最大值，然后氮化钛薄膜硬度平缓下降，在无偏压的情况下，氮化钛薄膜的硬度很低，加偏压后，由于离子轰击作用，薄膜硬度增加，但过高的负偏压反而会降低氮化钛薄膜硬度．     

水热法制备高折射率的HfO2光学薄膜

采用水热合成技术制备了HfO2胶体，用旋涂法镀制了单层HfO2介质膜．采用多种仪器设备对薄膜进行性能测试和表征，并用输出波长为1．06μm、脉宽为10ns的电光调Q激光系统产生的强激光测试薄膜的激光损伤阈值．研究表明，水热合成技术制备的HfO2薄膜具有较高的激光损伤阈值、折射率和较好的平整度．对HfO2薄膜激光损伤形貌和成因进行了研究．     

TiN薄膜的溅射制备工艺及光学性能

在SPF－430H射频磁控溅射系统上用反应溅射方法制备TiN薄膜．研究了制备工艺，讨论了薄膜的光学性能与溅射工艺参数的关系．实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、高透射率）的TiN薄膜．     

优质高稳定性微晶硅薄膜的制备

对以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积优质高稳定性的微晶硅薄膜进行了研究.在低于250℃下,成功制备出了沉积速率高达0.28nm/s、晶化度达80%以上的微晶硅薄膜.通过光照实验,表明该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%.     

铁磁海森堡薄膜的磁学性质的解析研究

使用变分累积展开方法．研究了铁磁性薄膜的磁性．给出了作为薄膜厚度函数的自发磁化强度的解析表达式．作为一个特例，给出了立方格点上自旋1／2铁磁薄膜的自发磁化曲线、磁滞回线和矫顽力的三级近似结果，并对结果作了分析和讨论．     

V2O5薄膜结构和性能研究

在常温下，用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜，经过450℃退火，得到V2O5薄膜。用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试，用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明，V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。室温到320℃范围内电阻变化2个量级，薄膜的光学能隙为2．46eV，与V2O5体材料性能一致。     

胶束溶液中薄膜扩展剂的含量分析

薄膜扩展剂是一种高分子型的非离子表面活性剂，常用于稠油油藏的蒸汽吞吐或蒸汽驱中．它在水及油中溶解度较低，常与乙醇、乙酸等复配成其胶束溶液．而股束溶液中薄膜扩展剂的含量分析是合理使用薄膜扩展剂的重要条件之一，用比色分析法对胶束溶液中薄膜扩展剂的含量进行了分析及添加剂对其影响进行了研究．结果表明，该分析方法准确性高，操作简便，受添加剂的影响较小．     

碳化硅薄膜制备及其场发射特性

采用热丝化学气相沉积法在Si（111）、Ti（101）衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析．XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性．HIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收,其吸收峰为804．95cm^-1．从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密．此外,在高真空系统中（6．0×10^-4Pa）对生长的SiC薄膜进行场敛发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性：样品的开启电压为82．1V／μm,最大电流密度为631．5μA／cm^2．     

鄞甲油菜的生物学特性和高产栽培技术

鄞甲油菜从本地当家品种油菜5－8系中系统选育而成。生物学特性为：全生育期223d左右，株高160cm左右，耐寒、耐湿、抗病，产量高而稳，千粒重4．1g，含油量38％－39％，株型紧凑，根颈粗壮，根系发达，第二分枝多，主茎和一分枝顶部横生，自封顶。在适当稀植情况下单株角果较多。高产栽培技术要点：壮秧、早栽、适当稀植、足肥。     

射频溅射制备碳氮薄膜及其结构分析

报道了用射频等离子体溅射的方法在高阻单晶硅衬底上制备碳氮非晶薄膜，并利用拉曼光谱和红外吸收谱对其进行的结构分析研究．分析结果表明该膜中氮主要以ＣＮ，ＣＮ键形式与碳结合．在对薄膜进行退火处理后，薄膜的红外透过率增加，同时还观察到ＣＮ单键的红外吸收峰．说明高温退火对ＣＮ单键的形成有促进作用     

金刚石薄膜热敏器件特性

本文采用热丝ＣＶＤ方法和在以石英为衬底的金属钛梳状微电极上制备出的均匀致密、结晶完整的金刚石薄膜，制成了金刚石薄膜热敏器件．对其热敏特性的测试结果表明，该热敏元件具有检测温度范围宽、响应快、灵敏度高、性能稳定等优点．     

氧气流量对于磁过滤阴极真空弧法制备ZrO2薄膜特性的影响

ZrO₂薄膜具有高硬度、高耐磨性等优良特性，在诸多领域具有广泛的应用前景．高品质ZrO₂薄膜的制备一直是科学家们研究的一个重点和热点问题．本文利用磁过滤阴极真空弧（FCVA）技术，以金属Zr为阴极，在单晶硅（100）衬底上制备高品质ZrO₂薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、X射线电子能谱（XPS）和纳米力学探针对薄膜的结构、形貌、成分及其性能进行表征，研究了O₂流量对于ZrO₂薄膜的晶体结构、形貌、成分以及力学性能的影响规律，获得了结晶品质良好、表面平滑且硬度较高的ZrO₂薄膜．      

CVD金刚石薄膜表面的卤素修饰

金刚石是一种集多种优良性能于一体的功能材料，但是，金刚石薄膜sp^3碳构造的高稳定性导致其表面活性不足，无法满足各种功能性表面的需要．本文从化学修饰角度，研究了卤素在金刚石薄膜表面导入的方法和修饰后的应用，并对修饰后的金刚石表面进行了XPS表征．结果表明，卤素已成功的修饰到了金刚石薄膜表面．