转杯纺排杂区流场与排杂性能

采用数值模拟的方法获得转杯纺排杂区气流场的特征,在此基础上分析纤维和杂质在流场中的运动,并研究纺纱参数对排杂性能的影响。研究结果表明:上主排杂区主要排除一些质量较大的杂质,微小杂质容易被回收;下主排杂区为强气流区,气流流动复杂,要避免杂质在此处排出;转杯出口压力和分梳辊转速对气流场影响甚微,但增大分梳辊转速有利于增大杂质离心惯性力,提高排杂力度;气流速度随吸杂口负压增大而增大,当吸杂口负压增加到-700Pa时,上主排杂区气流速度急剧上升,大大增加杂质回流的风险。     

物理冶金法单晶硅片双面磷吸杂实验研究

对物理冶金法提纯的单晶硅太阳能电池的生产工艺中,在磷扩散制备PN结时进行了双面磷吸杂实验研究。结果表明,与常规的磷吸杂扩散相比,双面磷吸杂效果明显,吸杂后硅片的少子寿命及其制成电池片的转换效率均有提高。     

铸造多晶硅的吸杂

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.     

扩散方阻对多晶硅太阳能电池效率的影响

在现有大规模太阳能电池生产工艺的基础上,改变扩散工艺条件,制备一系列的方块电阻发射极.在未改变其他工艺参数的条件下,当发射极方块电阻升高时,短路电流持续上升,开路电压在接近70Ω/□时接近饱和,而填充因子(fill factor,FF)则因串联电阻的增加呈下降趋势.器件的效率在70Ω/□方阻发射极时达到最大值.通过光致发光图(photoluminescence,PL)比较方阻为50和70Ω□发射极的吸杂效果,结果说明,在磷扩散过程中,硅片的晶粒、晶界以及位错区域的吸杂效果都非常明显,且50Ω/□发射极硅片的吸杂效果略优于70Ω/□的硅片.     

太阳能硅片切割工艺

铸造级太阳能多晶硅由于其原料纯度和制备过程中容易引入碳及氮化物杂质,引起硅片切割过程中出现跳线和断线现象,从而造成破片率偏高.通过金相显微镜和场发射扫描电镜测试硅片碎裂处表观形貌,结合X-射线能量色散谱对其进行微区元素分析,以期从原材料选择到工艺优化等方面降低硅片的破片率.     

硼掺杂和磷掺杂对硅衬底的变温荧光光谱特性的影响

在Si(110)衬底上通过原位掺杂的方法可得到磷掺杂和硼掺杂硅片.测量了本征、磷掺杂和硼掺杂硅片的变温荧光光谱,研究了不同温度时杂质对硅片性质的影响.本征硅片的荧光发射光谱中只存在1个特征峰,进行掺杂后,由于能级发生分裂,在主峰左侧分裂出杂质峰.2种情况下均表现为杂质峰的波长随温度升高逐渐增加,而主峰的波长随温度升高逐渐减小.随着温度升高到135K,杂质峰消失并逐渐并入到主峰中,而且它们的主峰波长在275K时都与本征硅片的特征峰波长趋于一致.     

MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火

报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。     

离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究

给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10~(15)cm~(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10~(16)cm~(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能.     

快速退火炉离子注入退火工艺设计

研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度均匀性的关系,设计了一种可以满足硅片温度均匀性要求的轴对称排列的灯阵列形式.卤钨灯分布在三个半径分别为5,10,16.8 cm的同心圆上,线密度分别为0.127,0.191,0.341cm-1,加热头高度为10.2 cm.此时辐照度的标准差有最小值,保证了硅片边缘和硅片中心能够得到尽可能一致的辐照.接着进行了P离子注入快速热退火试验,测量比较了退火后样品的方块电阻值,获得了快速热退火的最佳温度时间关系参数.对于剂量7.0×1015cm-2,能量60 keV的P离子注入,快速热退火的最佳温度为1000°C,稳定10 s.     

掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响

研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,硅片中FPD s的密度都有很大程度降低,而A r气氛退火对vo id微缺陷密度的影响要优于N2气氛.轻掺B硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最多,而重掺Sb硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最少.     

磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究

本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~ 注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec.本文并应用隐式差分方法计算了退火样品的体内温度的径向分布T(r,t)及离子注入非晶层外延再结晶厚度的径向分布ξ(r,t)的离散值,得到选择退火条件的一些依据.     

靶温对钛离子注入纯铝的影响

高注量(>3×10~(17)cm~(-2))钛离子注入铝时,靶样品的温度明显地改变钛原子的浓度分布。靶温度超过400℃时,析出相为金属间化合物Al_3Ti。用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注钛时,强束流(每脉冲2.0mA/cm~2)轰击产生的温升,使钛原子在铝中大约可以穿透1μm深,样品近表面700nm范围内钛的原子浓度超过了22％。     

离子注入植物引起生物效应的机理

以３０￣２００ｋｅＶ的氮或磷离子束对玉米，小麦、水稻、黑麦等植物种子进行离子注入的处理，在处理的当代种子及以后几代种子中均出现显著的生物效应变异，如发芽率，生长速度植物株型等，染色体行为也出现异常。     

注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响

选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。     

THE THINNING EFFECT OF ION IMPLANTATION

In this paper,we shall study in detail the change regularities of surface roughness parameters intwo and three dimensions under some implantation conditions.And a computer is used to calcu-late and analyze the topographies of the surfaces before and after ion implantation,therefore themechanism of the changes of surface topographies and that of wear resistance after implantationscan be understood further.     

全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究

通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计，初步构造出离子注入的分布图像，通过与实验结果比较，进一步完善模型，选用高斯与半高斯混合模型，得到了与实验结果更吻合的模拟方案，从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)离子注入的最佳条件，并研制了性能良好的VDCFET。     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

MEVVA源强流Ti离子注入纯铜表面层的结构与性能研究

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源技术对强流Ti离子束注入到纯铜表面的结构和性能进行了系统的研究.材料表面层的机械性能测试表明:强流Ti离子注入纯铜后材料表面的硬度和耐磨性均有提高,相对于纯铜基体,5×1017 cm-2注量注入可以使材料表面硬度提高2.3倍,使表面摩擦因数下降14%.注入层的X射线结构分析表明:金属离子注入后,在纯铜表面注入层中析出了合金相,合金相的析出是材料的表面硬度和耐磨性提高的主要因素.     

离子注入对纯铁表层结构及抗蚀性能的影响

作者对离子注入对退火后的纯铁表层结构及抗蚀性能的影响进行了试验研究。结果表明，注入硼离子或钼离子，可获得表面非晶薄层；铬、钼多元素离子注入，在非晶层下得到第二相，并有较明显的过渡层；经氮离子来混合镀硅，可获得较厚的表面非晶型的陶瓷层；采用上述离子注入工艺，可使纯铁的抗腐蚀性能显著提高，其中氮离子束混合处理有最佳的表面改性效果．     

氢氧注入在GaAs器件中的应用

从３个器件说明氢，氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入了Ｐ＾＋－Ｎ＾－－Ｎ＾＋层的Ｎ＾－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益，其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。