| 磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究 |
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| 引用本文： | 周世禄,朱秉升,周彩弟,罗晋生.磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究[J].西安交通大学学报,1987(1). |
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| 作者姓名： | 周世禄 朱秉升 周彩弟 罗晋生 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系
(周世禄，朱秉升，周彩弟)，西安交通大学电子工程系(罗晋生) |
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| 摘 要： | 本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~ 注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec.本文并应用隐式差分方法计算了退火样品的体内温度的径向分布T(r,t)及离子注入非晶层外延再结晶厚度的径向分布ξ(r,t)的离散值,得到选择退火条件的一些依据.
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| 关 键 词： | 离子注入 退火 |
STUDY OF THE CWCO_2 LASER ANNEALING PROCESS OF ION IMPLANTATED LAYER OF Si |
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| Zhou Shilu Zhu Bingsheng Zhou Caidi Luo Jinsheng.STUDY OF THE CWCO_2 LASER ANNEALING PROCESS OF ION IMPLANTATED LAYER OF Si[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1987(1). |
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| Authors: | Zhou Shilu Zhu Bingsheng Zhou Caidi Luo Jinsheng |
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| Institution: | Department of Electronic Engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation annealing |
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