注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响

选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。     

关于x+y_2→xy+y反应的速率常数的计算

体系的过渡态是直线型的,有效势能为 l为转动量子数,M_1和M_2分别是y原子和 x原子的质量,r_1和r_2分别是y原子间及x与较近的一个y原子间的距离,体系对于质     

多光子离化谱的理论研究

使用Ｆｌｏｑｕｅｔ理论对原子的过渡态－过渡态跃迁进行了研究，通过求解一个藕合矩阵而得到从不同束缚态到连续态的衰变宽度．通过一些计算，得到了单光子和双光子的衰变宽度．     

隧道效应修正的过渡态理论

提出了计算速率常数的精细态—态过渡态表达式,考虑隧道效应的计算结果与实验结果符合得较好,特别是室温以下,未考虑隧道效应的计算值偏离,实验结果较明显。     

受限于纳米碳管中水的分子动力学模拟

在1.01×105 Pa的NPV系综下,从300 K逐渐降温至190 K(或150 K),对受限于不同直径(11.001~13.751A°)纳米碳管中的水分子进行了分子动力学模拟研究,发现不同直径碳管中的水分子会发生无序-有序的相变,并且分别形成不同的稳定结构。水分子的偶极矩角度分布函数图表明不同直径管中水分子相变温度不同,并且相变温度随着管径的增加而降低。     

氧注入制成SOI材料的研究

采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.     

H+H_2(v=0)→H_2+H反应中考虑隧道效应的过渡态理论

传统的过渡态理论并没有考虑隧道效应,特别是低温下忽略隧道效应会给计算带来明显的误差。1979年Kuppermann提出的过渡态理论中引进了透过几率,这就给考虑隧道效应带来了方便。